각종 전자부품에 이용되는 백금막의 밀착력과 응집화 현상에 대해 연구하였다. 온도저항계수(TCR)의 열화 없이 밀착력을 향상 시키기 위해서 AI, Si의 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 결과 매우 우수한 밀착력과 TCR을 보였다. 질소분위기 600-90$0^{\circ}C$의 온도범위에서 행한 열처리를 통해 응집화현상을 관찰한 결과 응집화는 기판거칠기에 따라 다른 양상을 보였다. Si3N4등의 기판거칠기가 작은 adhesion promoting layer를 이용한 시편의 경우 고온인 90$0^{\circ}C$에서 응집화 현상이 발생되었다. 표면거칠기가 큰 AI-Si 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 시편의 경우 비교적 저온인 $600^{\circ}C$에서 응집화 현상이 발생했으며 80$0^{\circ}C$이상의 열처리의 경우 중앙응집체와 응집체고갈지역이 형성되는 현상을 나타내었다.
Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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1997.05a
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pp.557-562
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1997
노심용융물의 노내 자연 냉각 현상은 TMI-2 사고 이래로 실험과 해석 분야에서 많은 연구가 이루어지고 있으나, 아직까지는 이에 대한 명확한 규명이 이루어지지 않은 상태이다. 원자로 용기 냉각 Mechanism 중에서 노심용융물이 원자로 용기 하부 반구내로 재배치되어 하부 반구 내벽과 접촉할 때 용융물과 하부 반구 내벽 사이에 생길 수 있는 작은 간극으로 냉각수가 침투되어 노심용융물의 냉각이 이루어질 수 있다는 가정이 유력하게 제기되고 있다 본 논문에서는 노심용융물과 원자로 용기 하부 반구 사이의 간극을 통한 노심용융물의 냉각 특성을 규명하는 SONATA-IV실험 연구와 연계하여 이상 유동이 존재하는 고온 표면에서의 미세한 간극을 측정할 수 있는 방법의 검토 및 시편을 이용한 실험을 통하여 가장 적합한 간극측정기법을 도출하였다 간극 측정 기법으로는 중성자 래디오그라피, X 선 후방산란 단층기법 그리고 초음파 펄스 반사 탐상법을 검토하였으며, 시편 측정 실험결과 실시간 간극 측정방법으로는 초음파 펄스 반사 탐상법이 가장 적합한 것으로 나타났다.
Silane과 Disilane를 사용하여 화학증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 미세구조를 증착온도의 변화에 따라 조사하였다. Silane과 Disilane의 증착온도는 각각 550에서 640.deg.C와 485에서 620.deg.C로 변화시켰다. Disilane은 silane에 비해 반응성이 크고 비정질에서 결정으로 변하는 전이온도는 약 20.deg.C정도 높았다. 전이온도에서 증착한 시편은 실리콘 source에 관계 없이 (311)조직의 거친 표면으로 되어있었다. 900.deg.C에서 열처리하는 동안 비정질로 부터는 (111)쌍정립계를 갖는 수지상의 결정성장을 하였다. 반면에 다결정 상태로 증착한 시편은 열처리하는 동안 구조가 거의 변하지 않았고 매우 작은 결정립으로 이루어진 주상구조를 하였다.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2003.11a
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pp.88-93
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2003
무전해 Ni-P와 Sn의 반응 및 Ni-P의 결정화에 대한 P 함량의 영향을 세 가지 다른 조성의 Ni-P (P 4.6, 9, 13 $wt.\%$)를 이용하여 연구하였다. $300^{\circ}C$까지 열처리한 모든 시편에서 $Ni_3Sn_4$ intermetallic compound (IMC)가 생성되었고 이들 시편을 $450^{\circ}C$까지 열처리한 경우 Sn 두께가 $0.5{\mu}m$로 작을 때 $Ni_3Sn_4$가 모두 $Ni_3Sn_2$로 변화하였다. nanocrystal인 Ni-4.6P는 Ni (111) texture를 유지하며 결정화되었고 Sn과의 반응시 형성되는 $Ni_3Sn_4$ IMC 또한 비정질인 Ni-9P, Ni-13P 경우보다 강한 (111) texture를 가짐이 확인되었다. Ni-P 막의 P 함량이 작은 경우 $Ni_3Sn_4$ IMC는 두껍고 조밀하게 형성되는 반면 P-rich layer 두께는 작아졌다.
실제 사용시 신뢰성을 보장하기 위하여, 고온에서 장시간 동안의 시효로 인한 ACA COG(Anisotropic Conductive Chip On Glass) 접합 특성의 변화가 연구되었다. 모든 접합 시편들은 16$0^{\circ}C$에서 156시간 동안 유지되었고 시효하는 동안의 접촉저항의 변화는 감소하였다. 특히, 156시간이후, 4000개 /$\textrm{mm}^2$의 입자밀도를 가진 ACA에서는 접촉저항의 벼노하가 나타나지 않았다. 입자크기의 경우 작은 입자를 가진 ACA는 16$0^{\circ}C$에서 시효후에도 접촉저항의 변화를 보이지 않았다. 또한 4000개/$\textrm{mm}^2$ 및 5$\mu\textrm{m}$ 입자를 가진 ACA를 사용한 시편은 접합상태가 안정하였기 때문에 16$0^{\circ}C$에서도 경화수지의 팽창 및 리플로우(reflow)에 의한 영향을 받지 않았다. 따라서 이 ACA에서는 16$0^{\circ}C$에서 156시간 동안 시효한 후에도 오픈(open)이 나타나지 않았다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.3
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pp.392-398
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1996
$Si_{3}N_{4}/SiC$ nanocomposites reinforced with tow different mean particle size were fabricated by hot press. Grain growth of matrix gran was inhibited by adding of SiC particles, and then number of equiaxed and fine grains were increased. The effect of grain growth inhibition was higher in the nanocomposites dispersed small size SiC. herefore fracture strength and hardness were increased, but fracture toughness was decreased in small size SiC dispersed samples.
Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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1989.11a
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pp.69-72
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1989
구형의 압자를 유리평판 위에 올려 놓고 미끄럼 시험을 할 때 하중이 임계치보다 크면 유리평판 표면에 소위 "semi-circular cone-crack(SCCC)"들이 형성된다. 그리고 이 SCCC형성에 필요한 임계하중은 유리의 강도에 의하여 결정된다. 한편 소석회 유리에서 크기가 작은 이온인 $Na^+$를 큰 이온인 $K^+$로 대치시켜주는 경우 시편표면에 잔류압축응력이 생성되어 강도가 크게 증가한다. 따라서 유리의 내마모성도 이온교환을 하면 크게 향상될 것임을 예측할 수 있다. 본 연구의 목적은 이 예측을 실험적으로 확인하는 것이다. 확인하는 것이다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2011.05a
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pp.149-150
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2011
미세화된 반도체 배선에 무전해 은도금을 적용하고자 새로운 Pd 활성화 공정을 제안하였다. 시편 표면에 작은 크기의 Pd 입자를 균일하게 분포시키기 위하여 Pd 활성화 도중 초음파을 가하였다. 추가적인 무전해 은 도금을 실시하여, 초음파에 의한 Pd 입자 분산이 은도금 피막 형성에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다.
The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.7
no.4
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pp.26-33
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1993
The acoustic emission automatic detection system is developed to observe tree deterioration phenomena. Applying an alternating voltage of 15(kVnns) toXLPE tree specimens, many pulses of small amplitude are detected when the bush type tree developes branch type and a few pulses of high amplitude prcxluced as branch type propagated to bush type tree. Therefore, it is known that pulses having small amplitude operates as a destructive factor. It is observed that the skewness of the amplitude and the number of average pulses as distribution tendency of three dimension are characteristic quantity of AE pulses. As the trajectory of skewness is farther from the origin on the S-plane, it is more likely to breakdown.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.506-507
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2011
경사코팅 기술(Oblique Angle Deposition; OAD)은 입사 증기가 기판에 수직으로 입사하지 않고 90도 보다 작은 각도로 비스듬히 입사하도록 조절하여 코팅하는 물리증착 기술의 하나로 피막의 조직을 다양하게 제어할 수 있는 방법으로 알려져 있다. 초기의 경사 코팅 기술은 경사각을 가진 정지된 기판 상에 코팅하였으나 최근에는 기판의 각도와 회전을 동시에 조절하여 이루어지는 소위 스침각 증착(Glancing Angle Deposition; GLAD) 기술이 개발되어 다양한 형태의 구조를 제어하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 컴퓨터를 이용하여 입사각과 방위각을 정밀 제어함에 의해 나노 스케일의 Zigzag 및 나선형, 기둥형 조직 등 복잡한 형태의 박막을 제조하는 것이 가능하게 되었다. 현재, GLAD 기술과 다양한 형태의 나노 조직을 이용하여 각종 센서는 물론 태양전지와 같은 에너지 소자, 필터와 같은 광학코팅 등에 응용하기 위한 연구가 세계적으로 폭넓게 진행되고 있다. 본 연구에서는 조직의 치밀도 향상을 통한 특성 향상을 위해 Al 및 TiN 박막을 제조함에 있어서 경사코팅 기술을 응용하여 단층 및 다층 피막(각도를 반대로 하여 여러 층을 제조)을 제조하고 그 특성을 비교하였다. Al 박막은 UBM (Un-Balanced Magnetron) 스퍼터링 소스를 이용하여 타겟 표면과 기판 표면이 이루는 각도 즉, 입사빔과 기판이 이루는 각도를 각각 0, 30, 45, 60 및 90도의 각도에서 강판 및 실리콘 웨이퍼 상에 시편을 제조하되 단층 및 다층으로 시편을 제조하고 치밀도 및 내식성과 반사율 및 조도 등의 특성을 비교하였다. 그 결과 경사각으로 코팅한 시편에서 조도 및 반사율이 향상됨은 물론 치밀도 및 내식성이 향상됨을 확인하였다. 특히, 염수분무에 의한 내식성 시험에서 경사 코팅된 시편의 경우 내식성이 현저히 향상되었는데, 이는 경사 코팅 방법이 박막의 치밀도를 향상시켜 나타난 현상으로 판단된다. TiN 박막은 Cathodic Arc 방식을 이용하되 Al 박막과 동일한 방법으로 코팅을 하고 내식성 및 경도 등의 특성을 비교하였다. TiN 박막은 경사각이 커지면서 경도가 낮아지며 특히 다층막의 경우 경도 감소가 현저함을 알 수 있었다. 다만, 45도에서는 다른 경사각에 비해 약간의 경도 상승이 측정되었다. 경사각 코팅에서의 경도 감소는 피막의 경사에 의해 탐침이 미끄러지거나 또는 우선 방위에 의한 경도 증가 효과가 나타나지 않아 생기는 현상으로 판단되었다. Ferroxyl 시험을 이용한 기공도 시험에서는 경사각 코팅의 경우가 기공이 다소 감소함을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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