• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권11호
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• pp.30-36
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• 2010

최근의 메모리 반도체에 있어서, 수율과 품질을 유지하기 위하여 불량셀은 반드시 수리가 필요하다. 대부분의 워드단위 입출력을 갖는 system-on-chip (SoC)를 포함한 많은 메모리가 다중 블록으로 구성되어 있음에도 불구하고, 기존의 대부분의 자체내장수리연산회로의 연구들은 단일블록을 대상으로 하였다. 워드 단위 입출력 메모리의 특성상 다중메모리 광역대체수리구조를 갖는 경우가 많다. 본 논문에서는 이러한 메모리를 대상으로 기존에 최적 수리효율을 갖는 대표적인 자체내장 수리연산 회로인 CRESTA를 기본으로 하여, 보다 적은 면적으로 최적 수리효율을 낼 수 있는 알고리즘과 연산회로을 제안한다. 제안하는 자체내장수리 회로는 단위블록의 연산결과를 순차적으로 비교하여 워드단위 메모리의 제약조건을 만족시키는 최종 수리해를 구해내며, 기존의 회로보다 훨씬 빠른 시간 내에 최적의 수리 해를 구해 낼 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권12호
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• pp.24-30
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• 2010

수율과 품질을 유지하기 위하여 불량 셀을 예비 셀로 수리하는 방법이 많이 사용되고 있다. 대부분의 메모리가 2차원 예비셀 구조를 갖는 상황에서, 최근의 Giga 용량 메모리의 경우 대부분의 칩에서 예비 셀에도 불량이 존재 한다. 본 논문에서는 예비 셀에 불량이 있는 경우를 고려한 자체 내장 수리연산 시 기존의 모든 자체 내장 수리연산 회로에 적용이 가능한 분석 영역 가상화 방법을 제시하였다. 분석 영역 가상화 방법은 향후 메모리 고용량화에 따른 필수 해결 사항인 에비 셀 불량에 대한 효과적인 대처방안이 될 수 있을 것이다.