• 한국재료학회지
• /
• 제8권11호
• /
• pp.987-992
• /
• 1998

Ti 과 AI의 고순도 원소 박판을 이용하여 열간프레스장치에서 고온자전합성법으로 TiAI계 금속간화합물을 제조하였다. 원소 박판에서 $TiAl_3$ 금속간화합물을 제조하는 데 승온속도, 압력, 온도 등의 변수가 고온자전합성에 영향을 미치는 중요한 인자다. 특히 승온속도는 반응합성온도를 결정하는 인자로서 본 실험에서 DTA 분석을 이용하여 공정변수를 결정하였다. DTA 분석결과에 따르면, Ti와 AI의 계면에서 반응합성은 AI의 용융점 이하와 이상의 온도에서 두 번 발생함을 알 수 있다. 또한 승온속도가 증가할수록 두 반응합성온도는 증가하였다. 10층의 Ti 박판과 9층의 AI 박판을 $20^{\circ}C$/min의 승온속도로 고온자전합성시킨 후, $810^{\circ}C$와 240MPa의 압력에서 4시간 동안 열처리한 결과 $700\mu\textrm{m}$ 두께의 TiAI계 금속간화합물 판재를 제조하였으며, XRD 회절과 SEM으로 확인하였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제11권3호
• /
• pp.164-170
• /
• 2001

자전고온합성반응법을 이용하여 이규화 몰리브덴-텅스텐($Mo_{1-z}$ , $W_{z}$)$Si_2$을 합성하였다. 조성 (z)을 변화시켜 성형한 원통형 시편에 합성반응 중 전달되는 온도변화를 예측하기 위하여 시편의 중앙에 열전대를 삽입하였다. 반응 선단면이 열전대를 통과할 때 가장 높은 반응온도를 보이고 이것을 단열반응 온도라 간주하였다. 따라서 본 연구에서는 이러한 온도변화를 예측하기 위하여 자전조온합성반응의 모델링을 계시하고자 하였으며, 실험을 통하여 측정한 반응온도 분포곡선의 거동을 비교하였다. 각각의 시료에 대한 실험결과 측정된 반응속도는 약 2.14~1.35mm/sec, 반응온도는 1883K~1507K의 간을 보였다. 두 항 모두 텅스텐의 함량이 증가함에 따라 감소하는 경향을 나타냈으며, 수치해석을 통하여 거의 유사한 반응온도를 얻었다. 시료의 초기온도를 증가시킬 경우 반응온도는 증가함이 예측되었고, z=0.5인 시료에 대하여 반응온도가 1900k 이상이 되기 위해서는 약 800K-900K의 예열이 필요하였다.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제15권12호
• /
• pp.120-127
• /
• 1998

The finite element method has been used to model and analyze the heat transfer phenomena during manufacturing process of $MoSi_2$ by SHS(Self-propagating High-temperature Synthesis). For this purpose nonlinear transient heat transfer analyses by using ANSYS have been performed to estimate the temperature distributions and the peak temperature in the test specimen. The effects of manufacturing process parameters such as pre-heating temperatures, the velocity of reaction zone have been investigated. The results of the analysis have been compared with the experimental results.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제8권4호
• /
• pp.573-580
• /
• 1998

MgO와 Al 분말을 자전고온연소합성법으로 $MgAl_2O_4$ 스피넬 상을 합성하였다. MgO 와 Al을 테르밋 반응으로 생성하였으며, 가열반응생성으로 $800^{\circ}C$ 예열온도에서 반응시켰다. DTA/TG, 합성생성물, 최고온도 공정조건에 대해 연구하였고, MgO와 Al은 MgO+2Al+ 3/$2O_3$ $\rightarrow$ $MgAl_2O_4$ 로 합성되었다. 미반응된 재료로부터 MgAl2O4 스피넬의 활성화 에너지는 -264.8kcal/mol의 발생열량과 5634K의 최고 반응온도로 계산되었다. 테르밋 반응후의 시험편의 체적느 6% 증가하였다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
• /
• 한국분말야금학회 1998년도 추계학술대회 및 발표대회 강연 및 발표논문 초록집
• /
• pp.14-15
• /
• 1998

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
• /
• 한국분말야금학회 1994년도 춘계학술대회강연 및 발표대회 강연및 발표논문 초록집
• /
• pp.5-5
• /
• 1994

• 자원리싸이클링
• /
• 제12권4호
• /
• pp.51-57
• /
• 2003

케퍼시터용 Ta 분말제조공정에서 발생하는 waste 분말을 이용하여 TaC 분말을 자전고온합성법에 의하여 합성하였다. waste TA는 합성반응의 활성 및 산화방지를 위하여 전처리공정에서 미분쇄 및 탈산처리가 필요하였다. 합성반응에서는 TaC 단일상은 6∼7wt.％C의 조성범위에서 얻을 수 있었다. 또한 반응온도는 시료의 압축력에 영향을 받으며, 압축력 1600psi에서 최고반응온도를 나타냈다.

• 한국재료학회지
• /
• 제5권3호
• /
• pp.345-356
• /
• 1995

본 연구에서는 TiAl 금속간 화합물을 자전 고온 반응법을 이용하여 제조시 반응과정을 열시차 분석 방법으로 분석하였다. 합금 조성은 Ti-45at% Al, 53at%Al, 알루미늄 분말 크기, 승온 속도, 성형 밀도 등을 변화시켜 이들이 반응 과정에 미치는 영향을 관찰하였다. 분말이 미세할수록, 승온속도가 느릴수록, 성형 밀도가 낮을수록 반응 점화 온도 및 연소 온도가 감소하였으며, 고상 Ti와 고상 Al간의 반응정도가 증가하는 것이 관찰되었다. 고상 Ti와 고상 Al간의 반응에서 생성되는 것은 XRD 분석 결과 Ti$Al_{3}$상으로 확인되었다. 이에 비하여 반응 점화 온도가 알루미늄의 용융 온도보가 높을 경우에는 생성되는 상이 $Ti_{3}$Al, TiAl상으로 확인되었다. 이러한 상의 생성 원인에 대하여 확산 계수 및 알루미늄의 용해도등의 요인으로 설명하였다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
• /
• 한국분말야금학회 1998년도 추계학술대회 및 발표대회 강연 및 발표논문 초록집
• /
• pp.12-13
• /
• 1998

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1992년도 춘계학술발표회
• /
• pp.100-101
• /
• 1992