이미 개발된 리니어형 초전도 전류 보상기는 다양한 동작 조건에서 충전 전류 실험을 통해 검증되었고, 고자장 초전도 마그넷용 전류보상기로 적용하기위한 기본적인 특성을 수행하고 있다. 충전전류는 초전도 Nb 박막에 인가되는 자장의 크기와 이동속도(주파수)에 영향을 받아 발생됨이 실험적으로 이미 확인되었다. 특히 인가 주파수가 임계점이상 (20 Hz이상)에서 충전전류가 서서히 감소되는 비선형적인 충전특성이 확인되었다. 본 논문에서는 초전도 Nb 박막에 침투되는 자장의 분포를 3D FEM을 이용하여 자장분포 해석을 수행하였다. 초전도 Nb 박막에 인가되는 자속의 이동속도에 따른 침투영역의 크기 변화를 근거로 침투자속에 따른 초전도 Nb 박막의 비선형성을 확인하였다.
본 논문에서는 우리 나라 1등 지자기점에서 측정된 지자기 측량성과를 지자기에 대한 기초이론을 도입하여 정리·분석하였으며 지자기의 5성분(편각 D, 복각 I, 수평분력 H, 연직분력 Z, 전자력 F)에 대한 자장분포식을 결정하였다. 또한 결정된 자장분포식으로부터 우리 나라의 지구자장 분포상태를 규명하였으며, 이로부터 우리나라 국가기본도에 표시할 각 도곽별 편각 및 자오선 수차를 제시하였다.
최근 전자환경은 가전 제춤의 보급과 전력소비의 증가와 더불어 변화되고 잇다. 대부분 관심이 집중되고 있는 자료들은 전력 주파수의 전장과 자장의 노출된 인체에 미치는 영향에 대해 많은 관심이 집중되고 있으며, 이에 대한 정확한 측정과 분석이 요구되고 있다 본 논문에서는 22.9[kV] 배전선로에 발생하는 극저주파 영역의 전장과 자장의 측정과 분석이 수행되었고, 배전선로를 가로지르는 방법으로 측정하였으며, 측정값과 비교를 위해 FIELDS 프로그램을 사용하여 이론적으로 계산하였다. 전장과 자장의 세기는 배전선로 아래에서 강하였고, 횡방향 거리에 반비례하여 감소하였다. 전장의 분포곡선은 M자형태이고 자장은 $\bigcap$자 형태이었으며, 측정값은 이론값고 거의 흡사한 양상을 보였다. 그리고, 전장과 자장의 세기는 모두 측정높이가 증가함에 따라 강하게 나타남을 알 수 있었다. 전장의 분포는 3상 도체의 배치에 의해 영향을 받으며 자장의 분포 특성은 상전류의 불평형에 의해 최대값이 중앙점으로부터 이동되는 것을 알았다.
본 연구에서는 피복 손상으로 주변 도전체를 통해 누전되었을 때 그 주변의 자장을 검출하여 누전 여부를 판단할 수 있는 장치개발을 하기 위하여 우선 표면 누전에 의한 전류의 흐름을 조사하고, 전류에 의한 자장을 검출하기 위해 센서를 제작한다. 코어는 요크 타입을 적용하였으며, 코일은 0.5[mm] 동선을 4,000회 감았다. 실험 환경은 전선 피복 손상에 의한 금속 표면에 누전되는 상황을 모의하였으며, 부하는 40[W], 400[W], 1,400[W]를 적용하였다. 센서는 표면에 발생되는 자장을 검출할 수 있도록 2축으로 구성하였으며, 전선 주변 및 누전된 금속 표면에서 거리 및 각도 변화에 따른 자장을 검출하였다.
이 논문은 옥내 변전소의 변압기와 가스절연개폐장치(GIS) 주변에서 상용주파수의 전장과 자장의 분포에 관한 것으로 전장과 자장의 측정은 지표상 Hill]의 높이에서 1차원과 3차원 측정기로 수행되었다. 변압기 주변에서 전 장과 자장의 분포는 2차원적 평면도로써 나타내었으며, 전장의 세기는 2.3~9[v/m]으로 비교적 작은 값이었고, 자장의 세기는 $0.3~20.3[{\mu}T]$이었다. 또한 GIS의 주변에서 전장의 세기는 2.2~2.5[V/m]이고, 자장의 세기는 주 로 GIS의 중간부위에서 국부적으로 크게 나타났으며 $1.2~39.5[{\mu}T]$의 값이었다. 변압기와 GIS의 금속 외함은 전장을 감소시키는 역할을 하고, 자장은 변압기와 GIS의 외함으로부터 거리에 따라 급속하게 감소하는 특정을 보이고 있다.
초크랄스키법들 의한 8인치 실리콘 단결정 성장계에 대칭과 비대칭 커스프 자장을 인가하여 결정을 성장시켰을 때 축방향으로 일정한 산소농도분포를 가질 수 있는 적절한 인가 자장의 크기와 비대칭도에 대한 수치해석적 연구를 수행하였다. 결정이 성장할 때 커스프 자장의 형태가 유지되는 방법으로 도가니의 위치를 변화시키는 방법과 인가코일의 위치를 변화시키는 방법을 비교하였다. 대칭 커스프 자장이 인가된 경우, 축방향으로 일정한 산소농도를 얻을 수 있는 자장의 강도변화는 결정이 성장함에 따라 아래로 볼록한 형태를 띠었다. 축밟향으로 일정한 산소농도분포를 갖기 위해 도가니의 위치를 변화시키는 방법과 코일의 위치를 변화시키는 방법을 비교한 결과 비슷한 산소농도의 표준편차값을 가짐을 알 수 있었다. 비대칭 자장이 인가된 경우, 축방향으로 일정한 산소농도 분포를 얻기 위해서는 비대칭도는 결정이 성장함에 따라 점차 증가하는 양상을 보였다.
초크랄스키법에 의한 8언치 실리콘 단결정 성장시 커스프자장의 영향에 관한 수치 해석적 연구를 행하였다. 액상실리콘의 유동에 대한 모렐은 저레이놀즈수 모렐을 사용하였다. 대칭커스프자장은 유션의 강도를 감쇄하였고, 특히 도가니 벽면 근처에서의 유동의 감쇄효과가 현저하였다. 결정으로 혼업되는 산소의 농도는 인가되는 커스프자장의 증가에 따라 감소하였다. 그리고, 결정으로 혼업되는 산소농도의 균일성은 향상되었다. 비대칭커스프 자장은 결정으로 혼 입되는 산소의 농도를 중가시켰지만, 반경방향의 산소농도의 분포는 일정하게 유지되었다. 대칭 과 비대청 커스프자장의 적절한 조합을 행하면 축방향으로 일정한 산소의 분포를 갖는 적절한 조업조건이 도출될 것으로 예상된다.
자장센서는 인공위성에 장착되어 궤도환경에서의 지자기장을 측정하는 센서로서 위성체의 자세결정과 자세제어 등에 활용된다. 일반적으로 자장센서는 원리와 응용범위에 따라 그 종류가 광범위하다. 응용되는 자기현상적으로 분류하면 Faraday 전자기 유도법칙을 이용한 방식, Hall Effect를 이용한 방식, 감지코일의 인덕턴스 변화와 와전류효과를 이용한 방식, 자속분포의 변화에 의한 유도기전력의 변화를 이용한 방식, 자기저항 변화효과를 이용한 방식 등이 있다. 그 중에서도 Faraday's Law를 이용하는 Fluxgate 자장센서가 구조가 비교적 간단하고 경량이며, 높은 신뢰성과 안정성을 가진다. 실제 위성을 발사하기전 지상에서는 위성체를 조립하고 전자파, 진동, 열진공 등과 같은 다양한 환경시험을 수행하는데, 이때 각 환경시험 수행을 전후로 자장센서의 극성시험, 응답시험 등과 같은 기능시험을 수행한다. 본 논문은 다양한 환경시험을 통해 수행한 Fluxgate 자장센서 기능시험 데이터에 대한 추이를 분석하여 위성 발사전 지상에서의 자장센서의 상태와 건전성을 진단하는 방법에 대하여 소개한다.
본 연구에서는 초소형 화의 욕구와 고밀도의 내실을 동시에 충족시킬 수 있으며 전자 장해를 발생하지 않는 일체형 인덕터 코어를 개발하기 위한 방법의 하나로 고전류인가에 따른 인덕터의 전자장 특성을 분석하고자하였다. 분석 결과, 인덕터 내부에서는 전자장이 크게 발생하였지만 인덕터 표면에 나타나는 자장분포 값은 매우 미약하여 주위의 다른 전자 부품에 영향을 미칠 정도는 아니었으며, 표면을 벗어나면 그 값은 순식간에 거의 0[T]로 작아지고 있기 때문에 일체형 인덕터를 이용하여 회로를 구성하였을 때 다른 전자 부품들에 대한 전자 장해는 발생하지 않을 것으로 생각된다. 이 결론은 일체형 인덕터 개발에 많은 영향을 미칠 것이며, 특히 인덕터 코어의 특성 분석 및 신뢰도 향상에 많은 도움이 될 것으로 예상된다.
수평자장을 건 Czochralski(HMCZ) 방법으로 자장강도(B)와 도가니 회전속도(C)가 실리콘 단결정의 산소편석에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. B=2, 3, 4kG와 C=4-15rpm에서 <100> 방향으로 성장시킨 57mm 직경의 단결정들 내의 산소분포는 대체로 축을 따라서 불균일하였고 톱니모양을 나타내었다. 종래의 CZ 방법과 비교할 때, 이러한 산소분포의 불균일성은 위 강도의 수평자장이 결정성장계면으로의 산소전달에 불안정한 요소로 작용했음을 나타낸다고 볼 수 있다. 반면에 C의 증가는 산소분포의 불균일성의 약화와 산소농도의 전반적인 증가를 유도하였다. 이 결과를 토대로 B=2kG에서 27-36ppma인 산소분포를 가진 단결정이 프로그램된 C에 의해서 얻어졌다. 소자제조공정을 모의한 열처리 과정에서 HMCZ 실리콘의 산소석출은 종래의 CZ 실리콘의 산소석출에 비해서 상대적으로 불균일하였고, as-grown 상태에서의 고르지 못한 HMCZ 실리콘의 산소분포가 주요 원인임이 밝혀졌다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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