It is known that the Fe-Al transition metal compounds have a lot of disagreement about structural stability and magnetism. In this study, the correlation between magnetism and atomic structure of ordered $B_2$, $L1_2$, and $D0_3$ structured Fe-Al compounds has been investigated using the all-electron full-potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method based on the generalized gradient approximation (GGA). We found that considered all the structures were calculated to be stabilized in a ferromagnetic state. The calculated spin magnetic moments of the Fe atoms for B2 and $L1_2$ structures were 0.771 and 2.373 ${\mu}_B$, respectively, and that of Fe(I) and Fe(II) in $D0_3$ structure calculated to be 2.409 ${\mu}_B$, 1.911 ${\mu}_B$, respectively. In order to investigate structural stability between $L1_2$ and $D0_3$ structures, we performed the formation enthalpy calculations. As a result, the $D0_3$ structure is found to be more favorable than $L1_2 one by energy difference 16 meV/atom, which is well consistent with the experimental observation. We understood about structural stability and magnetism for Fe-Al compounds in terms of analysis of their atomic and electronic structures.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.8
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pp.933-939
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2008
In this paper, a new composite electromagnetic bandgap(EBG) structure using magnetic materials is proposed for simultaneous switching noise(SSN) suppression in the high-speed digital circuits. The proposed EBG structure has periodic unit cells of square-patches connected by spiral-shaped bridges. The magnetic materials are located on the unit cells of spiral-shaped EBG. The real part of the permeability shifts bandgap to the lower frequency region due to the increased effective inductance. The imaginary part of the permeability has magnetic loss that decreases parasitic LC resonance peaks from between the unit cells. As a result, the proposed structure has the lower cut-off frequency compared with conventional EBG structure and -30 dB SSN suppression bandwidth from 175 MHz to 7.7 GHz. The proposed structure is expected to improve the power integrity and reduce the size of the EBG power plane.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2002.12a
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pp.172-173
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2002
스핀전자소자 연구 분야의 가장 큰 관심은 전하와 스핀의 자유도를 동시에 고려하여 메모리 및 논리용 트랜지스터를 구현하려는데 있다. 스핀 분극 된 전자를 자성금속으로부터 상자성 및 절연체를 이용하여 또 다른 자성체 및 반도체, 초전도체에 주입하는 일 (Spin injection)에 관한 연구가 일부 진행되어 왔다. 두 개의 자성 금속 사이에 Au등의 상자성 금속을 끼워 넣는 구조로 한쪽의 자성금속을 스핀 소스로 사용하여 상자성 금속에 스핀을 주입하고 다른 쪽의 자성금속으로 주입된 스핀을 검출하는 스핀 스위치 저장소자로서의 양극 스핀 트랜지스터 (bipolar spin transistor)를 많은 연구소에서 제조 연구하였다. (중략)
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2002.12a
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pp.36-37
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2002
귀금속(noble metal)이나 전이금속(transition metal) 밑층(substrate) 위에 높여진 금속 웃층(metal overlayer)의 자성(magnetism) 연구는 오랫동안 많은 관심의 대상이 되었고, 특히 전이금속을 웃층으로 사용한 경우에 대해서 많은 연구가 있었다 [1]. 전이금속 중에서 바나듐(vanadium; V)은 덩치(bulk) 상태에서는 자성을 가지지 않지만, 귀금속인 Ag(001) 혹은Cu(001) 위에 놓여지면 자성을 가지게 된다는 보고가 있었다 [2]. (중략)
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.139-139
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2003
기록매체의 고밀도 대용량화를 위하여 자기헤드의 고성능화가 필요하다. 현재 고성능 자기헤드로는 bulk 형 페라이트 헤드, 헤드 갭(Gap)부의 연자성 특성이 우수한 MIG(Metal-in-Gap) 헤드, core부 자성금속을 적층시킨 적층 자기박막헤드 등이 있다. 이들 중 최근 MIG 헤드가 타 자기헤드에 비하여 연자성 특성이 우수하며, 박막의 조직특성에 따라 헤드의 성능이 크게 좌우되는 것으로 보고되고 있어, 이에 따라 특성 및 조직제어에 관한 연구가 진행되고 있다. 고포화 자속밀도의 자기헤드 갭은 자기모멘트가 큰 Fe원소를 기지원소로, 미량의 첨가원소에 기인하는 포화 자속밀도의 조절과 이에 따른 미세구조의 제어에 있는 것으로 연구되고 있다 즉 고포화 자속밀도를 가지는 연자성 박막의 미세구조를 제어함으로서 결정자기이방성이 최소화된 재료에 관한 박막화로 있다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.237-237
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2003
교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[1], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.184-185
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2000
1 차원 자성 포토닉 결정은 원하는 파장에서 큰 페러데이 회전각과 투과율을 얻을 수 있기에 아주 흥미롭다. 두 종류의 유전체 층(S: $SiO_2$, T:T $a_2$$O_{5}$)을 주기적으로 적층한 구조에, Bi를 다량 치환한 가네트 박막(M:B $i_{1.07}$$Y_{1.93}$F $e_{5}$$O_{12}$)을 결함층으로 삽입한 (A/B)$_{k}$ M/(B/A)$_{k}$ 의 구조를 갖는 1차원 자성 포토닉 결정의 자기 광학 특성을 수치해석하였다. 가시광과 적외선 영역에서 1차원 자성 포토닉 결정의 자성체 층의 두께( $d_{M}$ )와 유전체 층의 적층수(k)를 변화시키며, 투과율(T)과 페러데이 회전각($ heta$$_{F}$ ) 및 성능지수(Q)를 조사하였다. (중략). (중략)(중략)
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.188-189
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2000
1차원 자성 포토닉 결정은 결함 층으로 삽입된 자성 층에 빛이 국재화되어 거대한 자기광학 효과를 나타낸다. 그 구조를 적절하게 설계하면 원하는 파장에서 거대한 자기광학 효과와 큰 투과율을 얻을 수 있다는 점에서 주목을 받고 있다. [1] 본 연구에서는 (A/B)$_{k}$ M/(A/B)$_{k}$ 의 구조를 갖는(여기서 A는 SiO$_2$, M은 Bi:YIG) 1차원 자성 포토닉 결정에 대해 B유전체 층의 굴절율을 변화시켰을 때의 투과율(T), 페러데이 회전각 ($ heta$$_{F}$ ), 성능지수(Q)를 수치 해석한 결과를 보고한다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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