• Title/Summary/Keyword: 인접셀 간섭

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Power Control Algorithm with Finite Strategies: Game Theoretic Approach (게임이론을 이용한 유한 전략 집합을 갖는 전력제어 알고리즘)

  • Kim, Ju-Hyup;Jang, Yeon-Sik;Lee, Deok-Joo;Hong, Een-Kee
    • Journal of Advanced Navigation Technology
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    • v.13 no.1
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    • pp.87-96
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    • 2009
  • The purpose of this paper is to analyze the power control problem in wireless communications with game theoretic approach. The major contribution of the present paper is that we formulated the problem as a game with a finite number of strategies while most of the previous game theoretic power control literatures modeled with continuous game in which there are infinite number of strategies. It should be noted that the closed-loop power control would be performed in a discrete manner, power up or down from the present level of power with fixed power control step size. We model the current closed-loop power control scheme with the famous Prisoner's dilemma model and show that the power-up strategy is Nash equilibrium. That is, every mobile tries to increase their power and approach to their maximal power. Thus, the outcome of current power control (Nash equilibrium) is inefficient. In order to attain efficient power control for the environment where ICI(Inter-Cell Interference is severe, we developed a new payoff function in which the penalty mechanism is introduced and derived conditions under which power-down becomes Nash equilibrium strategy for all players. Furthermore we examined the trajectory of equilibrium power when the power control game will be played repeatedly.

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Codebook Design and Centralized Scheduling for Joint Transmission SDMA with Limited Feedback (제한된 피드백을 사용하는 결합 전송 공간 분할 다중 접속 기술을 위한 코드북 설계와 집중 스케줄링)

  • Mun, Cheol
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.23 no.10
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    • pp.1180-1187
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    • 2012
  • In this paper, joint transmission space division multiple access(JT-SDMA) scheme is proposed to mitigate inter-cell interference(ICI) in cooperative wireless communications system with limited feedback. We propose a systematic design method for a codebook consisting of a finite number of unitary matrices suitable for network multiple-input multiple-output( MIMO) channel characteristics. A centralized cluster scheduling scheme is proposed to both mitigate ICI and maximizes multiuser diversity gain with limited feedback. It is shown that the proposed JT-SDMA scheme outperforms a existing coordinated SDMA scheme even in wireless network environments where sufficient multiuser diversity order can not be provided through efficient ICI mitigation.

System Level Performance Evaluation of TICN Based on Mobile WiMAX (Mobile WiMAX 기반 TICN의 시스템 레벨 성능평가)

  • Yun, Ju-Hee;Kim, Jaekwon
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.15 no.8
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    • pp.5233-5241
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    • 2014
  • This study analyzed the system level performance of the Mobile WiMAX-based TICN, and the effects of the use of BS-OTM in terms of the throughput of individual users as well as the overall system, assuming that other stationary BSs are distributed randomly. When BS-OTM is used, the CINRs decrease due to the additional interference from the BS-OTM from the perspective of SSs that are served by the same BS as when OTM BS is not used. On the other hand, from the perspective of SSs that had low CINRs, the CINRs increase significantly due to the new service from BS-OTM. Considering both effects, the cell throughput can be increased using BS-OTM. The CINR distribution and throughput of the overall system, changing the carrier frequency, position and velocity of the BS-OTM were also evaluated.

Limited Feedback and Scheduling for Coordinated SDMA (협력 공간 분할 다중 접속 기술을 위한 제한된 피드백과 스케줄링)

  • Mun, Cheol;Jung, Chang-Kyoo
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.22 no.6
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    • pp.648-653
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    • 2011
  • In this paper, coordinated space division multiple access(SDMA) technology is proposed to mitigate inter-cell interference by using partial channel state information in cooperative wireless communications system with limited feedback. Each AT selects an optimal cluster transmission mode and sends it back to a cluster scheduler, and at the cluster scheduler, ATs are scheduled within a AT group with the identical cluster transmission mode, and the optimal transmission mode and the corresponding scheduled ATs are determined to maximize scheduling priority. Also, in order to enhance multiuser diversity gain, an extended transmission feedback method is proposed to feed back multiple preferred cluster transmission modes at each AT. It is shown that the proposed coordinated SDMA scheme outperforms existing non-coordinated SDMA schemes in terms of the average system throughput.

Investigation charge trapping properties of an amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor with high-k dielectrics using atomic layer deposition

  • Kim, Seung-Tae;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.264-264
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    • 2016
  • 최근에 charge trap flash (CTF) 기술은 절연막에 전하를 트랩과 디트랩 시킬 때 인접한 셀 간의 간섭현상을 최소화하여 오동작을 줄일 수 있으며 낸드 플래시 메모리 소자에 적용되고 있다. 낸드 플래시 메모리는 고집적화, 대용량화와 비휘발성 등의 장점으로 인해 핸드폰, USB, MP3와 컴퓨터 등에 이용되고 있다. 기존의 실리콘 기반의 플래시 메모리 소자는 좁은 밴드갭으로 인해 투명하지 않고 고온에서의 공정이 요구되는 문제점이 있다. 따라서, 이러한 문제점을 개선하기 위해 실리콘의 대체 물질로 산화물 반도체 기반의 플래시 메모리 소자들이 연구되고 있다. 산화물 반도체 기반의 플래시 메모리 소자는 넓은 밴드갭으로 인한 투명성을 가지고 있으며 저온에서 공정이 가능하여 투명하고 유연한 기판에 적용이 가능하다. 다양한 산화물 반도체 중에서 비정질 In-Ga-Zn-O (a-IGZO)는 비정질임에도 불구하고 우수한 전기적인 특성과 화학적 안정성을 갖기 때문에 많은 관심을 받고 있다. 플래시 메모리의 고집적화가 요구되면서 절연막에 high-k 물질을 atomic layer deposition (ALD) 방법으로 적용하고 있다. ALD 방법을 이용하면 우수한 계면 흡착력과 균일도를 가지는 박막을 정확한 두께로 형성할 수 있는 장점이 있다. 또한, high-k 물질을 절연막에 적용하면 높은 유전율로 인해 equivalent oxide thickness (EOT)를 줄일 수 있다. 특히, HfOx와 AlOx가 각각 trap layer와 blocking layer로 적용되면 program/erase 동작 속도를 증가시킬 수 있으며 넓은 밴드갭으로 인해 전하손실을 크게 줄일 수 있다. 따라서 본 연구에서는 ALD 방법으로 AlOx와 HfOx를 게이트 절연막으로 적용한 a-IGZO 기반의 thin-film transistor (TFT) 플래시 메모리 소자를 제작하여 메모리 특성을 평가하였다. 제작 방법으로는, p-Si 기판 위에 열성장을 통한 100 nm 두께의 SiO2를 형성한 뒤, 채널 형성을 위해 RF sputter를 이용하여 70 nm 두께의 a-IGZO를 증착하였다. 이후에 소스와 드레인 전극에는 150 nm 두께의 In-Sn-O (ITO)를 RF sputter를 이용하여 증착하였고, ALD 방법을 이용하여 tunnel layer에 AlOx 5 nm, trap layer에 HfOx 20 nm, blocking layer에 AlOx 30 nm를 증착하였다. 최종적으로, 상부 게이트 전극을 형성하기 위해 electron beam evaporator를 이용하여 platinum (Pt) 150 nm를 증착하였고, 계면 결함을 최소화하기 위해 퍼니스에서 질소 가스 분위기, $400^{\circ}C$, 30 분의 조건으로 열처리를 했다. 측정 결과, 103 번의 program/erase를 반복한 endurance와 104 초 동안의 retention 측정으로부터 큰 열화 없이 메모리 특성이 유지되는 것을 확인하였다. 결과적으로, high-k 물질과 산화물 반도체는 고성능과 고집적화가 요구되는 향후 플래시 메모리의 핵심적인 물질이 될 것으로 기대된다.

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