• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권6호
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• pp.1050-1055
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• 2001

본 논문에서는 무선 OFDM(orthogonal frequency division multiplex) 시스템을 위한 2-D PSAM(two-dimensional pilot symbol assisted modulation)의 성능을 분석하였다. 단일 캐리어 PSAM의 분석을 OFDM의 2차원 시간-주파수 격자에 적용 시켰다. 페이딩 추정을 위한 보간 방법에는 오차의 평균전력을 최소화하는 보간 필터를 사용하였으며 이차원 시간-주파수 격자에서 파일럿 심볼 패턴이 성능에 미치는 영향을 분석하였다. 마지막으로 CP(cyclic prefix)와 도플러 주파수 에 따라 주파수 선택적 레일리 페이딩 채널 모델에서 OFDM시스템을 위한 2-D PSA-16QAM 성능을 분석하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.336-340
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• 2001

본 논문에서는 무선 OFDM(orthogonal frequency division multiplex) 시스템을 위한 2-D PSAM(two-dimensional pilot symbol assisted modulation)의 성능을 분석하였다. 단일 캐리어 PSAM의 분석을 OFDM의 2차원 시간-주파수 격자에 적용 시켰다. 페이딩 추정을 위한 보간 방법에는 오차의 평균전력을 최소화하는 보간 필터를 사용하였으며 이차원 시간-주파수 격자에서 파일럿 심볼 패턴이 성능에 미치는 영향을 분석하였다. 마지막으로 CP(cyclic prefix)와 도플러 주파수 에 따라 주파수 선택적 레일리 페이딩 채널 모델에서 OFDM시스템을 위한 2-D PSA-16QAM 성능을 분석하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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• pp.861-864
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• 2006

본 연구에서는 분석학적 모델을 이용하여 나노구조 이중게이트 MOSFET의 전도현상을 고찰하고자 한다. 분석학적모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 전류전도에 영향을 미치는 전도메카니즘은 열방사전류와 터널링전류를 사용하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값에 대하여 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터인 게이트길이, 게이트 산화막 두께, 채널두께에 따라 전도중심의 변화와 전도중심이 서브문턱 스윙에 미치는 영향을 고찰하였다. 또한 채널도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 이중 게이트 MOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.541-546
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• 2008

본 연구에서는 분석학적 모델을 이용하여 나노구조 이중게이트 MOSFET의 전도현상을 고찰하고자 한다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 전류전도에 영향을 미치는 전도메카니즘은 열방사전류와 터널링전류를 사용하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값에 대하여 이차원 시뮬레이션 값과 비교하였다. 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터인 게이트길이, 게이트 산화막 두께, 채널두께에 따라 전도중심의 변화와 전도중심이 서브문턱스윙에 미치는 영향을 고찰하였다. 또한 채널 도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 이중게이트 MOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제39권4호
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• pp.335-341
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• 2015

본 연구에서는 채널 벽면에 돌출물이 일정 간격으로 부착되어 있는 마이크로채널을 통과하는 2차원 스톡스 유동을 이론적으로 고찰한다. 상하 벽면에 부착된 돌출물들은 모두 반원 형상이고 서로 동일한 위상에 위치한다. 채널 내 유동의 주기성과 대칭성을 고려한 고유함수 전개법과 오차의 최소제곱법을 사용하여 유동장을 해석하여 유동함수 및 압력분포를 구하였다. 돌출물의 반경과 간격의 몇 가지 값들에 대하여 유동장 내의 유선 및 압력분포도를 보이고, 경계벽면에서의 전단응력 분포 등을 도시하였다. 또한, 돌출물의 반경과 돌출물 사이의 간격 변화에 따른 마이크로채널 내 평균 압력강하율의 변화를 계산하여 그림으로 나타내었다. 특히 상하 돌출물 사이의 틈새가 매우 작은 경우, 그 계산결과는 윤활이론의 결과와 아주 잘 일치함을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권10호
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• pp.2403-2408
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• 2013

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에 대한 차단전류를 분석하기 위하여 도핑분포함수에 따라 상단과 하단게이트에 의한 전류분포를 분석할 것이다. 분석을 위하여 실험치에 유사한 결과를 얻을 수 있도록 채널도핑농도의 분포함수로써 가우시안함수를 사용하여 유도한 포아송방정식의 이차원 해석학적 전위모델을 이용하여 차단전류를 분석하였다. 특히 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막 두께 및 채널도핑농도 등을 파라미터로 하여 가우스함수의 이온주입범위 및 분포편차의 변화에 대한 차단전류의 변화를 분석하였다. 분석결과 차단전류는 소자파라미터에 의한 상하단 전류의 변화에 따라 커다란 변화를 보이고 있었으며 특히 채널도핑함수인 가우시안 함수의 형태에 따라서도 큰 변화를 보이고 있다는 것을 관찰할 수 있었다.

• 동력기계공학회지
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• 제13권4호
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• pp.24-30
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• 2009

본 연구에서는 기존에 널리 사용되어져 온 Wavier-Stokes 방정식을 풀이하는 전통적인 CFD 해석에서 벗어나 최근에 그 응용 분야를 넓혀가고 있는 LBM의 해석코드를 개발하고, 이를 이용하여 이차원 채널속에 놓여진 쇄기형 물체 주위의 유동특성을 조사하였다. D2Q9 격자계 및 Bhatnagar-Gross-Krook (LBGK) 모델을 채택하였으며, 수치해석 결과는 기존의 실험결과의 잘 일치하였다. 쇄기형 물체에서 와의 형성 및 방출 Reynolds 수 범위는 $32{\leq}Re{\leq}620$ 이며, 원형실린더에서 알려진 Karman 와열을 형성하는 주기적인 와방출은 대칭적인 와가 형성된 후 $Re{\geq}85$부터 시작되며 Reynolds 수의 증가에 따라 와 방출 주파수는 증가되었다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제23권6호
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• pp.753-760
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• 1999

Experiments were conducted to investigate the effect of the initial turbulent intensity on the flow and heat transfer characteristics for a two-dimensional impinging jet. A square rod was installed at the nozzle exit to increase initial turbulent intensity. A hot wire probe and thermochromic liquid crystal technique were used to measure the turbulent intensity and the surface temperature. All measurements were made over a range of nozzle-to-plate distance from 1 to 10 at Re=20,000. When the rod is not installed, the maximum stagnation point Nusselt number is occurred at H/B=9. A higher initial turbulent intensity enhanced the heat transfer on the surface. A correlation between stagnation point Nusselt number and turbulent intensity are presented.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2010년도 제35회 추계학술대회논문집
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• pp.758-759
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• 2010

본 논문에서는 포물선 형상의 팽창부로 설계된 이차원 노즐(M=3)에 톱니 형태의 대칭 및 비대칭 파동 채널을 교대로 설치하여 원형 음속 노즐에서 발생하는 추력과의 추력편차를 측정함으로써, 두 파동 벽면 내에서 일어나는 조파저항의 공진현상을 실험적으로 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.151-151
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• 2008

갈륨-질화물(GaN) 기반의 고속전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT)는 마이크로파 또는 밀리미터파 등과 같은 고주파 대역의 통신시스템에 널리 사용되는 전자소자로 각광받고 있다. GaN HEMT는 AlGaN/GaN 또는 AlGaN/InGaN/GaN 등과 같은 이종접합구조(heterostructure)로부터 발생하는 이차원 전자가스(two-dimensional electron gas, 2DEG) 채널을 이용하여 캐리어 구속효과(carrier confinement) 및 이동도의 향상이 가능하다. 또한 높은 2DEG 채널의 면밀도(sheet concentration) 와 전자의 포화 속도(saturation velocity)를 바탕으로 고출력 동작이 가능하여 차세대 이동통신용 전력 증폭기로 주목받고 있다. 그러나 이론적으로 우수한 특성과 달리, 실제 소자에서는 epi 성장시의 결함이나 전위, 표면 상태에 따른 2DEG 감소 등의 영향으로 이론보다 높은 누설 전류와 낮은 항복 전압 특성을 가진다. 특히, 기존의 GaN HEMT 구조에서는 Drain-Side Gate Edge에서의 전계 집중이 항복 전압 특성에 미치는 영향이 크다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 Trapezoidal Gate구조를 이용하여 Drain 방향의 Gate Edge가 완만히 변하는 구조를 제안하였다. 이를 위해 $ATLAS^{TM}$ 전산모사 프로그램을 이용하여 Trapezoidal Gate 구조를 구현하여 형태에 따른 전류-전압 특성 및 소자의 스위칭 특성 및 Gate 아래 채널층에 형성되는 Electric Field의 분산을 조사하고, 이를 바탕으로 고속 동작 및 높은 항복 전압을 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 최적화된 구조를 제안하였다. 새로운 구조의 Gate를 적용한 AlGaN/GaN HEMT는 Gate edge에서의 전계를 분산시켜 피크 값이 감소되는 것을 확인하였다.