• Current Research on Agriculture and Life Sciences
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• v.21
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• pp.11-16
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• 2003

Lines bred for resistance to Phytophthora capsici by incorporation of resistance to P. capsici in PI201234 or CM334 into 'Subi' and 'Chilseong', land races in Youngyang, and 'Punggak', a land race in Cheongdo in Gyeungbuk province, and lines bred for fortification of one of them above with resistance to viral complex, and tolerant selections from another landrace collection from Punggak (KC268) were evaluated for resistance to P. capsici by inoculation at seedling stage. Almost all the breeding lines showed high level of resistance to P. capsid and selections from KC268 showed tolerance or moderate resistance to P. capsid. The selected plants were grown in a net cage in an outdoor nursery for seed production. Utilization of the lines in breeding was discussed.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.10 no.6
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• pp.201-208
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• 2010

The classical iterated hash function is vulnerable to a multi-collision attack. Gauravaram et al. proposed 3C and 3C+ hash functions, in which an accumulation chain is added to usual Merkle-Damgard changing. Their goal is to design composition schemes resistant to generic attacks of Joux's type, but Joscak and Tuma have shown that 3C and 3C+ schemes are not better than Merkle-Damgard scheme in term of security against multi-collision attacks under some mild assumptions. In this dissertation, in order to increase security of 3C hash function, we proposed secure double pipe hash function which was effectively using XOR and XNOR operations per blocks of message. We seek to improve on the work of Lucks in a way. Proposed secure double pipe hash function takes resistance to multi-block collision, fixed point and pre-image attacks.

• Proceedings of the Korea Institutes of Information Security and Cryptology Conference
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• 1991.11a
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• pp.185-193
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• 1991

PC 사용의 확산에 따라 PC 화일 보호의 요구가 대두되고 있으나, 기존의 사용자 단일 키에 의한 암호화 제어 기법은 키의 노출이 용이하고, 인가된 사용자에 의한 비밀화일의 불법 도용을 방지하기 어려운 취약점이 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 제안하고자 하는 이중키(시스템 종속적인 키와 사용자 키)에 의한 암호화 제어는 사용자 키를 이용하여 입력된 데이타를 암호화하고, 암호화된 데이타를 시스템에 종속적인 키를 이용하여 다시 암호화해서 화일에 저장한다 제안된 기법의 특징은 이중키를 사용함으로서 (i)키 공격에 대한 저항성 증가, (ii)키 노출의 위험성 감소, (iii)인가된 사용자의 불법적인 화일 도용을 방지하는 것이다. 이중키에 의한 암호화 제어 기법은 정보의 비밀성 보호가 크게 요구되는 조직이나 기관에 적용하는 것이 효과적이며, 이중키의 생성 및 관리, 인중 및 접근 제어를 포함한 계층적인 제어를 위한 추가적인 연구가 요구된다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.5
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• pp.399-407
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• 1998

본 연구에서는 LCD패키지용 이방성 전도 필름의 전기적, 기계적 특성 및 신뢰성에 미치는 접속 변수의 영향을 연구하였다. 이방성 전도 필름을 통한 전기적 전도 현상을 각각의 도전 입자와 기판 사이의 기계적 접촉에 의해 접촉 방향으로만 전류가 흐르게 되는 것이 주되는 전도 기구이다. 따라서 접속 압력에 따라 각각의 도전 입자의 변형으로 기판 사이의 접촉 면적이 변하는데 이방성 전도필름의 접촉 저항은 이런 접촉 변화에 의해 결정된다. 접속 압력에 따라 초기에 접촉 저항은 감소하다가 점차 접촉 저항기가 안정화되는 거동을 보였다. 그러나 높은 접속 압력에서는 오히려 저항치가 약간 증가함을 보였다. 이방성 전도 필름 접속의 접착력을 평가하기 위해 필 테스트(peel test)를 시행하였는데, 접속 압력과 접속 온도를 증가 시킬수록 이방성 전도 필름 접속의 접착력을 평가하기 위해 고온 시효 시험, 온도 사이클링 시험, 고온 고습 시험의 신뢰성 시험을 시행하였으며, 이중 고온 고습 시험이 ACF접속의 전기적, 기계적 특성에 가장 악영향을 주었다. 또 큰 압력으로 접속된 것보다 작은 압력으로 접속되었을 때, 그리고 도전입자로는 금속 코팅 된 폴리머 입자가 사용될 때 신뢰성이 상대적으로 좋은 것을 발견했다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.73-73
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• 2000

안티퓨즈 소자는 프로그램 가능한 절연층의 상하 각각에 금속층이나 다결정 실리콘 등의 전도 가능한 전극으로 구성된다. 프로그램은 상하 전극간에 임계전압을 가했을 때 일어나게 되며 이때 절연층이 파괴되므로 비가역적이어서 재사용은 불가능하게 된다. 안티퓨즈 소자는 이러한 프로그램 특성으로 인하여 메모리 소자를 이용한 스위치 보다 속도나 집적도 면에서 우수하다. FPGAsdp 사용되는 안티퓨즈 소자는 집적도의 향상과 적정 절열파괴전압 구현을 위해 절연막의 두께를 감소시키는 것이 바람직하다. 그러나 두께나 감소될 경우 바닥전극의 hillock에 큰 영향을 받게 되며, 그로 인해 절연막의 두께를 감소시키는 것는 한계가 있는 것으로 보고되어 있다. 본 논문에서는 낮은 구동 전압에서 동작하고 안정된 on/pff 상태를 갖는 Al/TiO2-SiO2/Mo 형태의 안티퓨즈 소자를 제안하였다. 만들어진 antifuse cell은 0.6cm2 크기로 약 300개의 샘플을 제작하여 측정하였다. 비저항이 6-9 $\Omega$-cm인 P형의 실리콘 웨이퍼에 RF 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering) 방법으로 하부전극인 Mo를 3000 증착하였다. SiO2는 안티퓨즈에서 완충막의 역할을 하며 구조적으로 antifuse cell을 완전히 감싸고 있는 형태로 제작되었다. 완충막 구조를 만들기 dln해 일반적인 포토리소그라피(Photo-lithography)작업을 거처 형성하였다. 형성된 hole의 크기는 5$mu extrm{m}$$\times$5$\mu\textrm{m}$ 이었다. 완충막이 형성된 기판위에 안티퓨즈 절연체인 SiO2를 PECVD 방식으로 100 증착하였다. 그 후 이중 절연막을 형성시키기 위해 LPCVD를 이용하여 TiO2를 150 증착시켰다. 상부 전극은 thermal evaporation 방식으로 Al을 250nm 증착하여Tejk. 하부전극으로 사용된 Mo 금속은 표면상태가 부드럽고 녹는점이 높은 매우 안정된 금속으로, 표면위에 제조된 SiO2의 특성을 매우 안정되게 유지시켰다. 제안된 안티푸즈는 이중절연막을 증착함으로서 전체적인 절연막의 두께를 증가시켜 바닥전극의 hillock의 영향을 적게 받아 안정성을 유지할 수 있도록 하였다. 또한, 두 절연막 사이의 계면 반응에 의해 SiO2 막을 약화시켜 절연막의 두께가 두꺼워졌음에도 기존의 SiO2 절연막의 절연 파괴 전압 및 누설 전류오 비교되는 특성을 가졌다. 이중막을 구성하고 있는 안티퓨즈의 ON-저항이 단일막과 비교해 비슷한 것을 볼 수 잇는데, 그 이유는 TiO2에 포함된 Ti가 필라멘트에 포함되어 있어 필라멘트의 저항을 감소시켰기 때문으로 사료된다. 결국 이중막을 구성시 ON-저항 증가에 의한 속도 저하 요인은 없다고 할 수 있다. 5V의 절연파괴 시간을 측정한느 TDDB 테스트 결과 1.1$\times$103 year로 기대수치인 수십 년보다 높아 제안된 안티퓨즈의 신뢰성을 확보 할 수 있었다. 제안된 안티퓨즈의 이중 절연막의 두께는 250 이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고, 약 65$\Omega$의 on 저항을 얻을수 있었다.

• Agrochemical news magazine
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• v.24 no.4 s.187
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• pp.20-23
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• 2003

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.1
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• pp.36-41
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• 2002

Abstract The stoichiometric and double-ordered perovskite $Sr_2FeMoO_6$ (SFMO) polycrystalline ceramics were fabricated by sintering at above $900^{\circ}C$ in $H_2$(5%)/Ar reductive ambient. SMO polycrystals showed good ferromagnetic properties andmagnetrotesistqnce ratios of about 15 % at 8K and 3 % at room temperature. Amorphous SFMO thin films were deposited on $LaA1O_3$ and $SrTiO_3$ single crystal substrates using rf sputtering method with the SFMO polycrystalline ceramic target. Double-ordered perovskite polycrystalline SFMO thin films were fabricated by solid state crystallization by annealing the deposited amorphous films at above $680^{\circ}C$ in $H_2$(5%)/Ar reductive ambient. SFMO thin films exhibited ferromagnetic behavior. Their magnetroresistance ratios, however, were only 0.3~0.5% at 8K and disappeared with increasing the measuring temperature. This was attributed to the absence of magnetic spin tunneling between grains due to the porous structure and non-stoichiometric composition of the deposited films.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.2
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• pp.168-172
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• 1999

We have studied the formation of Co/Ti bilayer silicide with low resistivity and good thermal stability on the heavily boron doped $\textrm{p}^{+}$-Si region. In this paper, Co/Ti bilayer silicides were fabricated by depositing Co($150\AA$)/Ti($50\AA$) films on the clean $\textrm{p}^{+}$-Si substrates in an E-beam evaporator and performing the two step RTA process (first annealing: 650$50^{\circ}C$/20sec, second annealing: $800^{\circ}C$/20sec) in a $N_2$ambient with the pressure of $\textrm{10}^{-1}$atm. Co/Ti bilayer silicides obtained from our experiments exhibited the low resistivity of about $18\mu\Omega$-cm and the uniform thickness of about $500\AA$ without change of sheet resistance and agglomeration under the long post0annealing time up to $1000^{\circ}C$.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.11a
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• pp.157-158
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• 2012

본 논문은 리튬 폴리머 배터리의 수명 감소에 대한 경향성 테스트를 토대로 이중 확장 칼만 필터(Dual EKF)를 이용하여 배터리의 SOC(State-of-Charge) 및 SOH(State-of-Charge) 방법을 제안하였다. 배터리에 수명에 따른 임피던스 변화를 테스트를 수행함으로써 등가회로 모델상에서 수명에 따른 변화가 가장 큰 내부 저항을 선택함으로써 배터리의 SOH 추정을 위해 선택하였다. 배터리 모델은 4.2V, 1440mAh의 리튬폴리머 전지에서 추출되었다. 배터리는 Bulk 커패시터, 두 개의 R-C회로, 직렬 저항을 사용하여 모델링하였다. Dual EKF를 모델에 적용하기 위해 캐패시터 전압은 개방 회로 전압(OCV)을 나타내는데 사용된다. Dual EKF는 충/방전 기기인 TOSCAT-5200에 의해 얻은 실험 데이터로 테스트하였다.

• Korean Journal Plant Pathology
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• v.10 no.4
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• pp.270-276
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• 1994

Mycelial growth resistant isolates of Botryosphaeria dothidea to benomyl showed 99~79% spore germination on the PSA media supplemented with 200~2,100 $\mu\textrm{g}$/ml of carbendazim and thiophanate-methyl to manifest the high cross-resistance in spore germination. Mycelial growth, 23~9 mm in colony diameter, also manifested the high cross-resistance of mycelial growth together with similarity of spore forming cross-resistance. Benomyl resistant isolates BR1, BR2 and BR3, grew 23~10 mm in colony diameter at 330~3,000 $\mu\textrm{g}$/ml of captafol, captan and oxine-copper showing the high double resistance of mycelial growth and spore formation with minor difference. However, within concentration range of the 3 fungicides tested, germinations of all the tested isolates were completely suppressed to show no double-resistance in the fungal spore germination.