• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.3 no.1
• /
• pp.117-121
• /
• 1994

SrTiO3(100) 단결정을 3keV 아르곤이온으로 에칭하면 표면원소의 산화 상태가 환원되고 표면의 거칠기가 증가하는 것이 XPS와 SEM으로 측정되었다. 그러나 3keV의 산소이온으로 에칭하면 표면원소 의 화학적 상태도 변하지 않고 표면도 평탄한 상태로 계속 유지된다. 산소 이온에 의하여 에칭된 SrTiO3 기판상에 off-axis rf 스퍼트링 방법으로 성장된 YBa2Cu3Ox 박막이 아르곤 이온에 의하여 에칭 된 SrTiO3 기판상에 성장된 YBa2Cu3Ox 박막보다 높은 Tc,zero and Jc를 보여주었다. 이논문은 YBCO초전 도 박막의 성장과 전자공학적 활용을 위한 리토그라피 공정에서 이온밀링 공정의 조건은 매우 주의하여 선택되어야 함을 보여준다.

• Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
• /
• v.14 no.6
• /
• pp.1107-1113
• /
• 2011

In this paper, ion beam technology was investigated through the published papers. Ion beam technology is mainly used by the focused ion beams. There are two different types of application methods. One method is to remove the material from the substrate, the other one is to deposit the materials on the surface of the substrate or specimen. Based on the literature review there are 1.5 times more published research papers related to the deposition than those of the removal.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2012.10a
• /
• pp.159-160
• /
• 2012

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.111-112
• /
• 2008

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2011.06a
• /
• pp.785-786
• /
• 2011

• 전자공학회논문지 IE
• /
• v.47 no.2
• /
• pp.8-12
• /
• 2010

TEM is a powerful tool for semiconductor material analyses in structure or biological sample in micro structure. TEM observation need to make to coincide specimens for special purpose. in this paper, we have experimented for minimum surface damage on bulk wafer and patterned specimen by various conditions such as accelerating energy, depth of ion beam, ion milling types, and etc. in various specimen preparation methods by FIB (Focus Ion Beam). The optimal qualified specimens are contain low mounts of surface damage(about 5 nm) on patterned specimen.

• Prospectives of Industrial Chemistry
• /
• v.23 no.5
• /
• pp.12-20
• /
• 2020

최근 층상구조를 가진 전이금속 칼코겐 화합물이 새로운 고성능 리튬이온전지 음극소재로서 주목받고 있다. 층상구조 물질들의 고성능 전극 소재 활용에 있어 박리를 이용한 정확한 층의 개수 조절은 전기화학 반응성을 증가시키고, 전극 필름 내에서의 균일한 거동을 위해서 매우 중요하다. 볼 밀링 공정은 이차전지 전극 소재 제조에 있어서 주로 물질의 분쇄나 고상 화학반응을 유도하여 합금 형태의 전극 소재 개발에 보편적으로 사용되는 공정이나, 층상구조를 가진 전이금속 칼코겐 화합물에 적용하면 층상구조 물질에 고체윤활작용을 일으켜 박리가 촉진된다. 이러한 성질을 이용하여 다양한 종류의 전이금속 칼코겐 화합물(예: MoS₂, MoSe₂, NbSe₂)에 적절한 카본 매트릭스 물질과 복합화를 통해 새로운 전극 소재를 합성하고, 이를 통해 고성능 리튬이온전지 음극 소재를 제조하는 연구 동향에 대해 보고하고자 한다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2005.06a
• /
• pp.546-549
• /
• 2005

Micro EDM milling using deionized water as dielectric fluid was investigated. After machining micro grooves using deionized water with different voltage. capacitance. and resistivity of deionized water, machining characteristics were investigated. The wear of a tool electrode and the machining time can be reduced by using deionized water instead of kerosene. Micro hemispheres were machined in deionized water and kerosene and their machining characteristics were compared.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.109-110
• /
• 2008

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
• /
• v.28 no.2
• /
• pp.245-250
• /
• 2011

A high-resolution shadow mask, a nanostencil, is widely used for high resolution lithography. This high-resolution shadowmask is often fabricated by a combination of MEMS processes and focused ion beam (FIB) milling. In this study, FIB milling on 500-nm-thin SiN membrane was tested and characterized. 500 nm thick and $2{\times}2$ mm large membranes were made on a silicon wafer by micro-fabrication processes of LPCVD, photolithography, ICP etching and bulk silicon etching. A subsequent FIB milling enabled local membrane thinning and aperture making into the thinned silicon nitride membrane. Due to the high resolution of the FIB milling process, nanoscale apertures down to 60 nm could be made into the membrane. The nanostencil could be used for nanoscale patterning by local deposition through the apertures.