• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2017.03a
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• pp.703-707
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• 2017

배아줄기세포 유래 심근세포는 심근경색 등으로 심장이 제 기능을 다 하지 못할 때 치료적 목적으로 주사하여 환자의 심기능을 정상화 시키는 데에 쓰인다. 배아줄기세포 유래 심근세포는 페이스메이커 활동을 보이면서 막전압 고정상태에서도 주기적인 일과성 내향전류를 보이는 특징을 갖고 있다. 본 연구는 기존에 발표된 배아줄기세포 유래 심근세포의 시뮬레이션 모델을 이용하여 어떻게 하여 페이스메이커 활동이 나타나는지 그 기전을 밝히고자 하였다. 세포내 모든 이온을 고정하였을 때 모델 세포는 여전히 페이스메이커 활동을 보였다. 근장그물내 칼슘 이온을 고정하였을 때도 모델 세포는 페이스메이커 활동을 보였다. 그러나 Na-Ca 교환 전류를 차단하였을 때는 모델 세포의 페이스메이커 활동이 사라졌는데, 여기서 L-type $Ca^{2+}$ 전류의 칼슘 의존성 비활성화 기전을 제거하자 페이스메이커 활동이 지속되었다. 또한 Na-Ca 교환전류와 L-type $Ca^{2+}$ 전류만으로는 페이스메이커 활동이 보이지 않았으나 L-type $Ca^{2+}$ 전류의 크기를 3배로 증가시키자 페이스메이커 활동이 다시 나타남을 확인하였다. 따라서, 배아줄기세포 유래 심근세포의 페이스메이커 활동은 Na-Ca 교환전류와 L-type $Ca^{2+}$ 전류의 역할이 매우 중요하며, Na-Ca 교환전류는 L-type $Ca^{2+}$ 전류가 비활성화되지 않도록 칼슘 이온의 농도를 조절하는 데에 큰 역할을 하는 것으로 결론을 내렸다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2017.03a
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• pp.698-702
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• 2017

배아줄기세포 유래 심근세포는 심근경색 등으로 심장이 제 기능을 다 하지 못할 때 치료적 목적으로 주사하여 환자의 심기능을 정상화 시키는 데에 쓰인다. 배아줄기세포 유래 심근세포는 페이스메이커 활동을 보이면서 막전압 고정상태에서도 주기적인 일과성 내향전류를 보이는 특징을 갖고 있다. 본 연구는 기존에 발표된 배아줄기세포 유래 심근세포의 시뮬레이션 모델을 이용하여 어떻게 하여 페이스메이커 활동이 나타나는지 그 기전을 밝히고자 하였다. 세포내 모든 이온을 고정하였을 때 모델 세포는 여전히 페이스메이커 활동을 보였다. 근장그물내 칼슘 이온을 고정하였을 때도 모델 세포는 페이스메이커 활동을 보였다. 그러나 Na-Ca 교환 전류를 차단하였을 때는 모델 세포의 페이스메이커 활동이 사라졌는데, 여기서 L-type $Ca^{2+}$ 전류의 칼슘 의존성 비활성화 기전을 제거하자 페이스메이커 활동이 지속되었다. 또한 Na-Ca 교환전류와 L-type $Ca^{2+}$ 전류만으로는 페이스메이커 활동이 보이지 않았으나 L-type $Ca^{2+}$ 전류의 크기를 3배로 증가시키자 페이스메이커 활동이 다시 나타남을 확인하였다. 따라서, 배아줄기세포 유래 심근세포의 페이스메이커 활동은 Na-Ca 교환전류와 L-type $Ca^{2+}$ 전류의 역할이 매우 중요하며, Na-Ca 교환전류는 L-type $Ca^{2+}$ 전류가 비활성화되지 않도록 칼슘 이온의 농도를 조절하는 데에 큰 역할을 하는 것으로 결론을 내렸다.

• 대한방사선방어학회:학술대회논문집
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• 2009.11a
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• pp.152-153
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• 2009

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.35T no.2
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• pp.6-12
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• 1998

Thin film SOI(Silicon-on-insulator) device offer unique advantages such as reduction in short channel effects, improvement of subthreshold slope, higher mobility, latch-up free nature, and so on. But these devices exhibit floating-body effet such as current kink which inhibits the proper device operation. In this paper, the SOI NMOSFET with a T-type gate structure is proposed to solve the above problem. To simulate the proposed device with TSUPREM-4, the part of gate oxide was considered to be 30nm thicker than the normal gate oxide. The I-V characteristics were simulated with 2D MEDICI. Since part of gate oxide has different oxide thickness, the gate electric field strength is not same throughout the gate and hence the impact ionization current is reduced. The current kink effect will be reduced as the impact ionization current drop. The reduction of current kink effect for the proposed device structure were shown using MEDICI by the simulation of impact ionization current, I-V characteristics, and hole current distribution.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.234-234
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• 2012

Saddle field ion source는 구조가 간단하고 영구자석을 사용하지 않아 소형화에 유리하고 구조가 간단한 DC 파워서플라이를 이용하기 때문에 장치 가격이 저렴하여 다양한 분야에서 응용되고 있으며 특히 이온빔 밀링 분야에 많이 사용된다. 초기 saddle field ion source 는 대칭형의 구형이었으나 지속적인 연구 개발로 와이어형, 원판형, 원통형 등 다양한 형태의 saddle field ion source가 개발되었다. 본 연구에서는 비교적 제작이 용이하고, 구조적으로 외부간섭에 대하여 덜 민감한 원통형 saddle field ion source를 제작하였다. 초기 saddle field ion source는 이온원 내부에 saddle field를 형성하기 위하여 대칭 구조를 가지 형태로 제작되었으나, 비대칭 구조에서도 saddle field가 형성될 수 있고 비대칭 구조를 채택할 경우 한쪽으로 더 많은 이온빔을 인출할 수 있기 때문에 실제 응용면에서는 비대칭 구조가 더 유리하다. 따라서 본 연구에서는 원통형 비대칭 saddle field ion source를 제작하였으며, 제작된 이온소스는 높이가 62 mm 지름이 55 mm의 소형 이온소스였다. 제작된 원통형 saddle field ion source는 진공도와 가속전압에 따라 방전 모드 변화하였다. Saddle field ion source는 전극과 extractor의 구조에 따라 조금씩 다르지만 대체로 5x10-5 Torr ~ 5x10-4 Torr 영역에서 안정적으로 작동하였다. 이온소스 내부의 압력이 높을 경우 수십 mA 의 방전 전류가 흐르는 고전류 방전 모드로 작동하였으며 압력이 낮을 경우에는 동일한 전압에서 수 mA 의 방전 전류만 흐르는 저전류 방전 모드로 작동하였다. 압력이 더 높아질 경우 아크 방전이 발생하여 이온소스의 작동이 불안정하여 연속적인 작동이 어려웠다. 고전류 방전 모드에서는 이온빔 전류가 Child-Langmuir 방정식에 따라 Vi3/2에 비례하여 증가하는 경향을 보여주었으며 저전류 방전 모드에서는 Vi에 선형적으로 증가하였다. 가속 전압이 동일한 경우 고전류 방전 모드가 저전류 방전 모드에 비하여 더 많은 이온빔 인출이 가능하지만, 고전류 방전 모드의 경우 이온의 방출 각도가 매우 넓은 반면 저전류 방전 모드에서는 이온빔의 퍼짐이 현저히 줄어듦을 관찰할 수 있었다. 원통형 saddle field ion source는 내부 구조가 간단하기 때문에 내부 전극의 구조 변화에 따라 방전 특성 및 이온빔 인출 특성이 심하게 변동하였다. Saddle field ion source에서는 Anode에 인가되는 방전 전압이 가속 전압과 같은 역할을 하는데 가속 전압은 2~10 kV 사이에서 인가가 가능하였다. 일반적으로 동일한 방전 모드에서 진공도가 높아질수록 방전 전류의 양과 인출되는 이온의 양이 증가하는 것이 관찰되었다. 제작된 이온소스는 최적 조건에서 5 mm 인출구를 통하여 0.7 mA의 이온빔 인출이 가능하였으며, 9 mm 인출구를 사용한 경우 1 mA까지 이온빔 인출이 가능하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.6
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• pp.78-84
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• 2009

This paper presents measurement results of transient impedance for small-sized ground electrodes in a discharge region of soil. For a realistic analysis of ionization characteristics near the ground electrode, three types of ground rod installed outdoors and high voltage impulse generator were used for injecting test current. From the analysis of response voltage and current flowing ground electrode to earth, it is verified that the ionization near the ground electrode contributes to reduction of ground impedance and limits the ground potential rise effectively in high resistivity soil. As a threshold electric field density for ionization is small in low resistivity soil, the shape of ground electrode rarely contributes to the transient impedance. And, from the experiment result with shape of ground electrode, the rod with needles is more effective to reduce the transient impedance than the plate electrode in the voltage range including with ionization regions of soil.

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2002.10a
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• pp.45-45
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• 2002

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2001.04a
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• pp.32-32
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• 2001

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2000.10a
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• pp.30-30
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• 2000

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1410-1412
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• 2002

TFT의 게이트 전극을 형성하기 전에 소오스/드레인 이온 주입과 ELA를 수행함으로써 이온 주입에 의해 발생하는 결정 결함을 줄이는 새로운 poly-Si TFT를 제안한다. 한번의 ELA 공정을 통해서 채널 실리콘 박막의 결정화와 소오스/드레인의 불순물 활성화를 동시에 이루어 접합부의 결함을 치유하였고, 이온 주입에 의해서 비정질화된 소오스/드레인 실리콘과 채널 비정질 실리콘의 용융조건 차이를 이용하여 소오스/드레인 접합부에 실리콘 그레인의 수평성장을 유도하였다. 제안된 소자는 기존의 소자(이동도 : 86 $cm^2/V{\cdot}S$, ON/OFF 전류비 $6.1{\times}10^6$)에 비해 우수한 특성(이동도 : 171 $cm^2/V{\cdot}S$, ON/OFF 전류비 $4.1{\times}10^7$)을 나타내었다. LDD나 off-set 구조 없이도 소오스/드레인 접합부의 결함이 완전히 제거되어 누설전류가 감소하였고 소오스/드레인 접합부 결함이 있던 자리에 1 ${\mu}m$ 이상의 수평성장 그레인이 위치함으로써 ON 전류도 증가하여 ON/OFF 전류비가 크게 개선되었다.