• 한국석유지질학회지
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• 제1권1호
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• pp.29-35
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• 1993

탄성파 트레이스 자료로부터 지구내부의 속도구조를 추정해내는 과정을 속도역산이라고 한다. 그러나 탄성파 트레이스자료가 담고 있는 정보의 주파수 대역은 제한되어 있으므로, 이것으로부터 광대역의 반사계수 수열을 구해내는 것은 쉽지가 않다. 본 연구에서는 선형 프로그래밍 처리기법을 이용하여 탄성파 트레이스의 진폭과 속도분석 자료를 적절히 결합함으로써 각 자료와 동일한 주파수 성분을 갖는 가장 단순한 형태의 속도구조를 구하고, 이것을 의속도 단면도로 도시하였다. 먼저 가상으로 설정한 모델로부터 프로그램의 효용성을 검증해 보았고 이를 토대로 우리나라 황해 제 2광구의 반사법 탄성파 자료에 적용하였다. 그리고 의속도 단면도와 이 지역에 위치한 시추공의 해석결과를 연관시켜 분석함으로써 백악기 화산암과 백악기 변성화산암의 경계를 구분하고 암상을 결정할 수 있었다.

• 전기의세계
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• 제34권2호
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• pp.88-93
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• 1985

설계된 시스템으로 중요한 동맥과 정맥의 흐름속도를 들을 수 있었으며 스펙트럼 해석기(Spectrum Analyser)를 통과한 출력을 보였다. 게이트의 수를 증가시킨 다중 채널 펄스 도플러 시스템을 사용하므로 혈관 각 부분에서 흐름 단면도(flow profil)와 속도 신호를 (velocity signal)을 얻을 수 있는 가능성을 보였다.

• 한국에너지공학회:학술대회논문집
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• 한국에너지공학회 1994년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.84-89
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• 1994

주유동에 수직으로 분사된 제트 화염의 구조는 이해하기 위하여 화염 길이와 온도를 측정하고 reactive mie scattering 방법을 이용하여 단면 가시화를 실시하였다. 주유동 속도와 제트 분사 속도의 증가에 따라 화염 길이도 함께 증가함을 알 수 있고, 단면 가시화 결과 화염 내부에 존재하는 inner vortical structure는 일반적인 동축제트 화염과 같은 대칭 구조를 갖지 앉고 유동 조건에 따라 inner vortical motion 의 생성 위치가 변화함을 알 수 있다 이는 본 유동장의 특성 중의 하나인 bound vortex와 제트와 주유동이 접하는 상류 면에서 발생하는 rolling-up 의 강도에 좌우됨을 알 수 있다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권2호
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• pp.143-149
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• 1991

전계가 인가된 H$_{2}$와 CO기체중을 통과하는 전자의 탄성과 비탄성 충돌 단면적을 볼츠만방정식을 이용하여 추정하였는데 충돌 단면적은 운동량변환, 진동여기, 해리, 전자 여기 및 전리 충돌 단면적을 이동속도의 측정값 및 계산값을 비교하므로써 결정하였다. Gibson과 Phelps가 각각 계산한 H$_{2}$ 및 CO의 운동량변환 충돌단면적을 본 연구의 결과와 비교하였으며 이를 기초로하여 온도는 293.deg.K, 상대전계의 세기 E/N은 1*$10^{-17}$ [V$cm^{2}$].leq.E/N.leq.200*10 $^{17}$ [V$cm^{2}$]의 범위에서 전자에너지 분포함수를 산출하였으며 이렇게 산출된 에너지 분포함수 및 충돌단면적은 실험적으로 측정한 모든 수송계수의 값들을 만족하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권2호
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• pp.138-146
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• 1990

볼츠만 수송방정식에 관한 홀스타인의 식을 사용하여 온도는 273.deg.K, 상대전계의 세기가 1.leq.E/P..leq.30(V/cm Torr)인 때의 Na와 He 단일기체중을 통과하는 전자의 에너지분포함수와 수송계수를 계산하였다. 그리고 전자 이동속도의 결과치를 실험값과 비교하였으며 실험치와 계산치가 일치하도록 충돌단면적을 수정하여 계산에 적용하였다. 이러한 방법으로 Hesms 0.1[eV]-50[eV]까지 Na는 0.1[eV]-5[eV]까지의 에너지범위에서 결정된 운동량변환단면적의 값은 제한된 범위에서 Crompton 및 Nakamura의 값과 거의 일치하였다. 또한 이와 같이하여 계산된 Na와 He 단일기체의 충돌단면적을 이용하여 온도는 273.degK, 상대전계의 세기는 1.leq.E/P$_{o}$ .leq.30(V/cm Torr)의 범위에서 Na-He 혼합증기의 혼합비율을 He:Na는 99.5:0.5, 99:1, 9:1. 1:1로 변화시켜 특성에너지, 평균에너지, 전자이동속도, 전자에너지 분포함수를 게산하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.14-14
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• 2003

Silicon carbide (SiC)는 높은 power 영역과 높은 온도영역에서도 작동 가능한 우수한 반도체 물질이다. 또한 우수한 열적 화학적, 안정성을 가지고 있어 가흑한 조건에서의 소자로써도 사용 가능하다. 현재 SiC 적용분야로는 우수한 전기적, 기계적 성질을 이용한 미세소자(MEMS)와 GaN 와 거의 유사한 격자상수를 가지는 것을 이용한 GaN epitaxial 성장의 기판으로도 사용되어진다. 그러나 SiC 는 기존의 습식식각 용매에 대해 화학적 안정성을 가지고 있기 때문에 전자소자의 제작에 있어서 플라즈마를 이용한 건식식각의 중요성이 대두되어지고 있다. 소자제작에 있어 이러한 건식식각시 식각 단면의 제어, 이온에 의한 낮은 손상 정도, 매끄러운 식각 표면, 그리고 고속의 식각 속도둥이 요구되어진다. 본 실험에서는 식각 속도의 증가와 수직한 식각 단면둥을 획득하기 위하여 SF6 플라즈마에서 Source power, dc bias voltage, 그리고 외부에서 인가되는 자속의 세기를 변화시쳐가며 식각 속도, 식각 마스크와의 식각 션택비, 식각 단면둥과 같은 SiC 의 식각 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각 단면은 주사전자 현미경(SEM)을 통해 관찰하였다. 본 실험에서의 가장 높은 식각 속도는 분당 1850n 로써 이때의 공정조건은 1400W 의 inductive power, -600V 의 dc bias voltage, 20G 의 외부자속 세기이었다. 또한, 높은 inductive power 조건과 낮은 dc bias voltage 조건에서 Cu는 $SF_6$ 플라즈마 내에서 식각부산물의 증착으로 인해 SiC 와 무한대의 식각선택비를 보였다. 이러한 Cu 마스크를 사용한 SiC 의 식각에서는 식각 후 수직한 식각 단변을 관찰할 수 있었다. 것올 알 수 있다. 따라서, 기존의 pve 보다 세라믹 기판의 경우가 수분 흡수율이 높아 더 오랫동안 전류를 흐르게 하여 방식성이 개선된 것으로 판단된다.을 통해 경도가 증가한 시편의 경우 석출상의 크기가 5nm 이하로 매우 작고 대체로 기지와 연속적인 계면을 형성하나, 열처리가 진행될수록 석 출상의 크기가 커지고 임계크기 이상에 이르면 연속적인 계면은 거의 발견되지 않고, 대부 분 불연속적이고 확연한 계면을 형성함을 관찰 할 수 있었다. 알루미나(${\alpha}-Al_2O_3$) 기판 위에 증착한 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막은 마찬가지로 (200) 우선 방위를 나타내었으나, 그 입자의 크기가 수십 nm로 고속도강위에 증착한 피막에 비해 상당히 크게 형성되었다. 또한 열처리 후에 AIN의 석출이 진행됨에도 불구하고 경도 증가는 나타나지 않고, 열처리가 진행됨에 따라 경도가 감소하는 양상만을 나타내었다. 결국 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막이 열처리 전후에 보아는 기계적 특성의 변화 양상은 열역학적으로 안정한 Wurzite-AlN의 석출에 따른 것으로 AlN 석출상의 크기에 의존하며, 또한 이러한 영향은 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막에 존재하는 AI의 함량이 높고, 초기에 증착된 막의 업자 크기가 작을 수록 클 것으로 여겨진다. 그리고 환경의 의미의 차이에 따라 경관의 미학적 평가가 달라진 것으로 나타났다.corner$적 의도에 의한 경관구성의 일면을 확인할수 있지만 엄밀히 생각하여 보면 이러한 예의 경우도 최락의 총체적인 외형은 마찬가지로 $\ulcorner$순응$\lrcorner$의 범위를 벗어나지 않는다. 그렇기 때문에

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.262-266
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• 1998

하나로 핵연료의 피복관과 봉단마개 재료로 사용되는 Aluminum 1060의 전자빔 용접부의 비드 특성을 조사하기 위하여 bead-on-plate 용접을 하였다. 비드의 단면을 절단하여 가속전압, 빔 전류, 용접속도에 따른 비드의 폭과 용입 깊이의 변화를 측정하고 용접부에 발생한 용접결함을 관찰하였다. 실험결과 가속전압과 범 전류의 증가에 따라 용입 깊이는 직선 비례적으로 계속 증가하였지만 비드폭은 그 증가율이 감소하는 경향이었다. 용접속도의 증가에 따라서 비드 폭과 용입깊이는 감소하는 경향을 보였다. 또한 범 출력이 높은 용접부의 root부에 다수의 porosity 가 발생하는 것을 관찰 할 수 있었으며 핵연료 봉단 마개의 porosity와는 다른 것을 확인하였다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.288-296
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• 2013

본 연구의 목적은 수근관증후군 뇌졸중 환자에서 경직정도에 따른 정중신경 단면적, 신경전도속도 및 상지기능 차이를 알아보고자 하였다. 연구대상은 성인 뇌졸중 환자 42명에서 CTS군 21명과 Non-CTS군 21명으로 선정하였다. 측정방법으로는 정중신경 단면적, 신경전도속도, GST, FMAS, CTS-FSS로 측정하였다. 연구결과, CTS군과 Non-CTS군 간 각 등급에서 정상측(p<.001)과 마비측(p<.001)의 정중신경 단면적, 정중 운동신경과 감각신경 기시잠시는 통계학적으로 유의한 차이가 있었다. CTS군과 Non-CTS군 간 각 등급에서 GST(p<.05), FMAS(p<.05), CTS-FSS(p<.001)는 통계학적으로 유의한 차이가 있었다. 본 연구는 수근관에 대한 병리역학적 내용을 제시함으로서 뇌졸중 환자의 상지기능훈련 시 고려해야할 내용 중 하나임을 제시하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제19권3호
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• pp.7-18
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• 1991

목재(木材)의 액체침투성(液體浸透性)을 연구(硏究)하기 위하여 국내(國內)에 있는 침엽수재(針葉樹材)와 활엽수재(闊葉樹材)의 주요수종(主要樹種)을 대상으로 축방향(軸方向), 방사방향(放射方向), 접선방향(接線方向)의 침투(浸透)를 각각 조사(調査)하였다. 또한 방사(放射) 및 접선방향(接線方向)의 주요(主要) 침투경로(浸透經路)를 광학현미경(光學顯微鏡)으로 관찰(觀察)하였다. 실험결과(實驗結果)는 다음과 같다. 1. 종침투(縱浸透)는 침(針) 활엽수재(闊葉樹材)모두 1% $NH_4OH$ 처리(處理)시 침투성(浸透性)이 가장 컸으며 수종(樹種)에 따른 침투성(浸透性)의 차이(差異)는 침엽수재(針葉樹材)인 잣나무가 활엽수재(闊葉樹材)인 물푸레나무와 현사시나무 보다는 더 컸으며 관엽수재내(關葉樹材內)에서는 물푸레나무가 현사시나무보다 침투성(浸透性)이 더 큰 것으로 나타났다. 2. 횡침투(橫浸透)는 침엽수재(針葉樹材)에 있어서 침투면별(浸透面別) 침투량(浸透量)은 접선단면(接線斷面)이 방사단면(放射斷面)보다 훨씬 컸으며, 활엽수재(闊葉樹材)의 경우는 환공재(環孔材)에서는 접선단면(接線斷面)이 방사단면(放射斷面)보다 침투량(浸透量)이 컸으나, 산공재(散孔材)에서는 수종간(樹種間)의 변이(變異)가 컸다. 활엽수재(闊葉樹材)의 환공재(環孔材) 모두 방사조직(放射組織)이 횡침투(橫浸透)에 미치는 영향(影響)은 침엽수재(針葉樹材)만큼 크지 않았다. 침투(浸透)깊이도 침엽수재(針葉樹材)가 활엽수재(闊葉樹材)보다 컸으며, 활엽수재(闊葉樹材)는 수종간(樹種間)의 차이(差異)가 심했다. 3. 침투경로(浸透經路)를 보면 침엽수재(針葉樹材)는 방사유세포(放射柔細胞), 만재부(晩材部)의 소가도관(小假導管)이 주도적(主導的)인 역할을 하였으며, 활엽수재(闊葉葉材)도 역시 방사조직(放射組織)을 통해서 침투(浸透)가 이루어지지만 수종간(樹種間)에 방사조직(放射組織)의 침투양식(浸透樣式)과 침투속도(浸透速度)가 달랐다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.223-223
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• 1999

PZT(PbZr1-xTixO3) 박막은 고유전율과 같은 remanent polarization을 가져서 고집적 소자의 커패시터 유전율층 또는 비휘발성 메모리 소자의 제조에 이용되고 있으나, fatigue 와 aging 문제로 인하여 새로운 물질의 개발이 필요한데, 그 대표적으로 연구되고 있는 것이 PMN-PT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O-PbTiO3) 이다. 본 실험에서는 sol-gel 법에 의하여 제조된 PMN-PT막을 ICP(Inductively coupled plasma)에 의하여 식각하였고 mask층으로는 PR을 사용하였다. 식각 가스로는 Ar, Cl, BCl를 단독 또는 혼합하여 사용하였으며, 식각 특성을 보기 위하여 RF Power, Substrate bias, Operation pressure, Substrate temperature를 변화시켰다. 식각속도는 stylus profiler를 이용하여 측정하였고, 단면 profile은 scanning electron microscopy (SEM)를 이용하여 관찰하였다. 식각 메커니즘을 규명하고자 식각된 박막의 표면을 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)로 관찰하였고, optical emission spectroscopy (OES)로 플라즈마 특성을 규명하고자 하였다. 식각속도는 Ar 또는 Cl2 플라즈마에 BCl3 가스를 혼합하였을 경우 증가되었고, BCl3 가스를 단독으로 사용하여도 높은 식각속도를 나타내었으며, BCl3의 첨가량이 늘어날수록 PR의 식각속도는 감소하여 높은 선택비를 보였다. 90% BCl3/10%Cl2 플라즈마에서 2800$\AA$/min의 식각속도 그리고 1.37:1의 PR 선택비를 얻을 수 있었다. Power나 기판 bias 증가에 따라 식각속도는 증가하였으나 기판 온도변화에는 민감하지 않았다. BCl3 rich에서의 식각속도 증가와 선택비 증가는 B2O3의 형성에 의한 것으로 생각된다.