• 대한약리학회지
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• 제28권2호
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• pp.171-179
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• 1992

교감신경절 전달에 무스카린성 수용체 아형과 니코틴성 수용체가 기능적으로 어떻게 작용하는지를 알아 보기 위하여 척수가토에서 척수를 통한 교감신경절전섬유의 자극에 의한 승압반응과 신경절 $M_1$수용체 및 니코틴성 수용체 흥분제인 McN-A-343과 DMPP의 승압반응에 대한 $M_1$수용체 길항제인 pirenzepine, $M_2$수용체 길항제인 AF-DX116 및 니코틴성 수용체 길항제인 mecamylamine의 영향을 조사하였다. 먼저 $M_1$ 및 $M_2$수용체의 작용을 선택적으로 차단하는 pirenzepine과 AF-DX116의 용량을 구하기 위해 chlorisondamine-처리가토에서의 $M_1$수용체를 통한 작용인 McN-A-343의 혈압상승작용과 $M_2$수용체를 통한 작용인 bethanechol (BCh)에 의한 심박수감소작용을 50% 억제하는 양$(LD_{50})$을 각각 구한 결과 pirenzepine의 혈압상승작용에 대한 $ID_{50}$가 $30\;{\mu}g/kg$였으며 AF-DX116의 심박수감소작용에 대한 $ID_{50}$가 $27\;{\mu}g/kg$였다. 제 8흉추부위에 삽입한 전극을 통한 교감신경절전섬유 전기자극에 의해 혈압상승작용 $(24{\pm}1.8\;mmHg)$을 나타냈으며 이 혈압상승작용은 pirenzepine 3, 10, 30 및 $100\;{\mu}g/kg$에 의해 $20{\sim}25%$정도 용량에 관계없이 비슷한 정도로 억제되었으나 AF-DX116 $100\;{\mu}g/kg$에 의해서는 영향받지 않았다. Mecamylamine은 용량의존적으로 이 승압작용을 억제하였으며 mecamylamine의 이 억제작용은 pirenzepine $30\;{\mu}g/kg$에 의해서는 유의하게 강화되었으나 AF-DX116 $100\;{\mu}g/kg$에 의해서는 영향받지 않았다. 척수이단가토에서 McN-A-343 $(100\;{\mu}g/kg)$ 및 DMPP $(100\;{\mu}g/kg)$는 혈압상승작용을 나타냈으며 pirenzepine과 AF-DX116은 McN-A-343의 승압작용은 용량의존적으로 억제하였으나 DMPP의 승압작용에는 영향을 미치지 못하였고 mecamylamine은 양약물의 승압작용을 모두 용량 의존적으로 억제하였다. 이상의 실험성적은 척수가토에서 절전교감신경절 자극에 의한 혈압상승에는 $M_1$수용체의 흥분이 일부 관여하나 $M_2$수용체의 흥분은 관여하지 않으며 교감신경절전달에서 $M_1$수용체의 흥분이 니코틴성 전달을 부분적으로 용이하게 하나 $M_2$수용체는 작용하지 않음을 시사하고 있다.

• The Korean Journal of Physiology
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• 제24권1호
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• pp.39-49
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• 1990

bombesin의 생물학적 활성중 하나는 위장관의 평활근을 수축시키는 작용이다. 그러므로, 본 실험에서는 bombesin이 위장관의 운동성과 관계가 깊은 평활근의 전기적 활동에 미치는 영향과 신경기전을 밝히고자 하였다. 고양이 60마리로부터 urethane마취하에 위를 적출한 다음 대만 쪽에서 체부와 유문부가 포함된 평활근 절편을 얻었으며 또한 체부에서 윤상근 절편을 얻었다. 평활근 절편을 Krebs-Ringer 용액으로 채워진 기록용기에 넣고 Ag-AgCl전극을 사용하여 체부와 유문부에서 서파를 기록하는 한편 윤상근 절편의 자발적 수축을 기록하였다. 기록용기 속의 용액에는 5% $Co_{2}$를 내포한 $O_{2}$를 계속 공급하였으며, 용액의 온도는 $36^{\circ}C$가 유지되도록 하였다. 기록용기 속에서 1시간 동안 안정시킨 다음 서파빈도와 수축빈도가 일정하여지면 bombesin과 그 유도체, substance P와 그 유도체 그리고 몇가지 종류의 신경차단제를 각각 투여하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1) bombesin은 $10^{-9}\;M$에서부터 $3\;{\times}\;10^{-8}\;M$ 사이의 농도에서 서파빈도와 수축빈도를 농도-의존적으로 증가시켰다. 2) bombesin 유도체인 $D-leu^{13}-{\psi}\;(CH_{2}NH)-D-leu^{14}-bombesin$은 서파빈도를 증가시키는 bombesin의 작용을 억제하였다. 3) 서파빈도를 증가시키는 bombesin의 작용에 대하여 tetrodotoxin과 hexamethonium은 억제적으로 작용하였으나 atropine, phentolamine 그리고 propranolol은 이렇다할 영향을 비치지 않았다. 4) 서파빈도를 증가시키는 bombesin의 작용에 대하여 substance P 유도체인 $D-pro^{2}-D-trp^{7,9}-substance\;P$는 억제적으로 작용하였다. 5) sunstance P 자체는 서파빈도에는 영향을 미치지 않았다. 이상의 결과로 보아 (1) bombesin은 적출한 고양이 위 평활근의 서파빈도와 체부 윤상근의 수축빈도를 증가시키며, (2) bombesin은 신경-근 연접에서 acetylcholine이나 noradrenalin을 신경전달물질로 사용하지 않는 내원성 신경을 거쳐 서파빈도를 증가시키는 것으로 생각된다. (3) 그러나, bombesin이 서파의 발생빈도를 증가시키는 과정에 substance P를 신경전달물질로 사용하는 신경이 개재하는 것 같지는 않았다.

• 한국임상수의학회지
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• 제26권6호
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• pp.539-546
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• 2009

잡종견 15마리를 이용하여 ketamine, propofol 및 isoflurane 마취견에서 실험적 출혈이 뇌 파에 미치는 영향을 평가하였다. 실험견은 마취제의 종류에 따라 군당 5마리씩, 3개 실험군으로 분류하였다 (1군: ketamine 5 mg/kg, IV, 2 군: propofol $156\;{\mu}g$/kg/min, IV, 3군: 2.0% end-tidal concentration of isoflurane). 모든 군에 전마취제로 Medetomidine ($40\;{\mu}g$/kg, IM)을 투여하였다. 뇌파기록전극은 Cz 위치에서 피하에 장착하였다. 뇌파, 심박수, 수축기/이완기 동맥혈압, $pO_2$, $pCO_2$ 및 혈액 pH를 마취 전, 마취 후, 매 출혈 후에 각각 측정하였다. 대퇴동맥에 삽관한 카테타를 통해 총 혈액량의 10%인 7 ml/kg을 10분동안 출혈시켰으며, 총 3회 실시하였다. 출혈기동안 수축기 및 이완기 동맥혈압은 모든 군에서 지속적으로 감소하였다. $pCO_2$ 농도와 심박수는 모든 군에서 증가하였다. $pO_2$ 농도는 다른 군과 비교하여 1군에서 가장 유의적으로 증가하였다. 혈액 pH의 유의적인 변화는 없었다. 뇌파 분석결과 1군과 3군에서는 유의적인 변화는 없었다. 2군의 band 3, 4 및 7은 2번째 및 3번째 출혈 후에 유의성있게 변화하였다. 이와 같은 변화는 propofol 점적 유지마취에서 총 혈액량의 20% 이상 출혈과 관계되는 것으로 사료된다. 따라서, Propofol 마취견이 총 혈액량의 20% 이상 출혈할 경우 propofol 점적 투여율의 조절이 고려되어야 한다.

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회
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• pp.45-47
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• 2002

반도체 소자의 고집적화 및 고속화가 요구됨에 따라 MOSFET 구조의 게이트 절연막으로 사용되고 있는 SiO₂ 박막의 두께를 감소시키려는 노력이 이루어지고 있다. 0.1㎛ 이하의 소자를 위해서는 15Å 이하의 두께를 갖는 SiO₂가 요구된다. 하지만 두께감소는 절연체의 두께와 지수적인 관계가 있는 누설전류를 증가시킨다[1-3]. 따라서 같은 게이트 개패시턴스를 유지하면서 누설전류를 감소시키기 위해서는 높은 유전상수를 갖는 두꺼운 박막이 요구되는 것이다. 그러므로 약 25정도의 높은 유전상수를 갖고 5.2～7.8 eV 정도의 비교적 높은 bandgap을 갖으며, 실리콘과 열역학적으로 안정한 물질로 알려진 HfO2[4-5]가 최근 큰 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 HfO₂ 박막을 실제 소자에 적용하기 위하여 전극 및 열처리에 따른 HfO₂ 박막의 미세구조 및 전기적 특성에 관한 연구를 수행하였다. 이를 위해, HfO₂ 박막을 reactive DC magnetron sputtering 방법으로 증착하고, XRD, TEM, XPS를 사용하여 ZrO₂ 박막의 미세구조를 관찰하였으며, MOS 캐패시터 구조의 C-V 및 I-V 특성을 측정하여 HfO₂ 박막의 전기적 특성을 관찰하였다. HfO₂ 타겟을 스퍼터링하면 Ar 스퍼터링에 의해 에너지를 가진 산소가 기판에 스퍼터링되어 Si 기판과 반응하기 때문에 HfO₂ 박막 형성과 더불어 Si 기판이 산화된다[6]. 그래서 HfO₂같은 금속 산화물 타겟 대신에 순수 금속인 Hf 타겟을 사용하고 반응성 기체로 O₂를 유입시켜 타겟이나 시편위에서 high-k 산화물을 만들면 SiO/sub X/ 계면층을 제어할 수 있다. 이때 저유전율을 갖는 계면층은 증착과 열처리 과정에서 형성되고 특히 500℃ 이상에서 high-k/Si를 열처리하면 계면 SiO₂층은 증가하는 데, 이것은 산소가 HfO₂의 high-k 박막층을 뚫고 확산하여 Si 기판을 급속히 산화시키기 때문이다. 본 방법은 증착에 앞서 Si 표면을 희석된 HF를 이용해 자연 산화막과 오염원을 제거한 후 Hf 금속층과 HfO₂ 박막을 직류 스퍼터링으로 증착하였다. 우선 Hf 긍속층이 Ar 가스 만의 분위기에서 증착되고 난 후 공기중에 노출되지 않고 연속으로 Ar/O₂ 가스 혼합 분위기에서 반응 스퍼터링 방법으로 HfO₂를 형성하였다. 일반적으로 Si 기판의 표면 위에 자연적으로 생기는 비정질 자연 산화막의 두께는 10～15Å이다. 그러나 Hf을 증착한 후 단면 TEM으로 HfO₂/Si 계면을 관찰하면 자연 산화막이 Hf 환원으로 제거되기 때문에 비정질 SiO₂ 층은 관찰되지 않았다. 본 실험에서는 HfO2의 두께를 고정하고 Hf층의 두께를 변수로 한 게이트 stack의 물리적 특성을 살펴보았다. 선증착되는 Hf 금속층을 0, 10, 25Å의 두께 (TEM 기준으로 한 실제 물리적 두께) 로 증착시키고 미세구조를 관찰하였다. Fig. 1(a)에서 볼 수 있듯이 Hf 금속층의 두께가 0Å일때 13Å의 HfO₂를 반응성 스퍼터링 방법으로 증착하면 HfO₂와 Si 기판 사이에는 25Å의 계면층이 생기며, 이것은 Ar/O₂의 혼합 분위기에서의 스퍼터링으로 인한 Si-rich 산화막 또는 SiO₂ 박막일 것이다. Hf 금속층의 두께를 증가시키면 계면층의 성장은 억제되는데 25Å의 Hf 금속을 증착시키면 HfO₂ 계면층은 10Å미만으로 관찰된다. 그러므로 Hf 금속층이 충분히 얇으면 플라즈마내 산소 라디칼, 이온, 그리고 분자가 HfO₂ 층을 뚫고 Si 기판으로 확산되어 SiO₂의 계면층을 성장시키고 Hf 금속층이 두꺼우면 SiO/sub X/ 계면층을 환원시키면서 Si 기판으로의 산소의 확산은 막기 때문에 계면층의 성장은 억제된다. 따라서 HfO₂/Hf(Variable)/Si 계에서 HfO₂ 박막이 Si 기판위에 직접 증착되면, 순수 HfO₂ 박막의 두께보다 높은 CET값을 보이고 Hf 금속층의 두께를 증가시키면 CET는 급격하게 감소한다. 그러므로 HfO₂/Hf 박막의 유효 유전율은 단순 반응성 스퍼터링에 의해 형성된 HfO₂ 박막의 유전율보다 크다. Fig. 2에서 볼 수 있듯이 Hf 금속층이 너무 얇으면 계면층의 두께가 두꺼워 지고 Hf 금속층이 두꺼우면 HfO₂층의 물리적 두께가 두꺼워지므로 CET나 EOT 곡선은 U자 형태를 그린다. Fig. 3에서 Hf 10초 (THf=25Å) 에서 정전 용량이 최대가 되고 CET가 20Å 이상일 때는 high-k 두께를 제어해야 하지만 20Å 미만의 두께를 유지하려면 계면층의 두께를 제어해야 한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권4호
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• pp.11-18
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• 2021

(1-x)BaWO₄-xBaV₂O₆(x=0.54~0.85) 조성의 새로운 초저온 동시 소성 세라믹(ULTCC)용 마이크로파 유전체 복합 재료를 BaWO₄와 BaV₂O₆의 혼합물을 소성하여 제조되었다. 수축 시험은 세라믹 복합재가 BaV₂O₆의 영향으로 500℃의 낮은 온도에서 치밀화가 시작되며, 650℃에서 상대밀도 98%로 소결될 수 있음을 보였다. X-선 회절 분석은 복합체는 BaWO₄와 BaV₂O₆이 공존하고 소결체에서 2차상이 검출되지 않음을 보였다. 이는 두 상이 서로 우수한 화학적 안정성이 있음을 의미하였다. 거의 0에 가까운 공진 주파수 온도계수(𝛕_f)는 복합체에 존재하는 두 상의 𝛕_f 값이 각각 양(+) 및 음(-)의 값임에 따라 두 상의 상대적 함량을 조절하여 얻을 수 있었다. BaV₂O₆의 함량이 x=0.53에서 0.85로 증가함에 따라 복합 재료의 𝛕_f 값은 7.54에서 14.49 ppm/℃로 증가하였고 ε_r은 10.08에서 11.17로 증가했으며 Q×f값은 47,661에서 37,131 GHz로 감소하였다. 최고의 마이크로파 유전 특성은 BaV₂O₆의 함량이 x=0.6 일 때, ε_r=10.4, Q×f=44,090 GHz 및 𝛕_f=-2.38 ppm/℃값을 얻을 수 있었다. 화학적 호환성 실험은 개발된 복합 재료가 동시 소성 과정에서 알루미늄 전극과 반응성이 없음을 보여주었다.