• 대한전자공학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.814-819
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• 1986

In this work the electrical conduction and breakdown properties of thermal oxides grown on phosphorus-doped polysilicon have been investigated by using ramped I-V measurements. The oxide films, grown from phosphorus-doped polysilicon deposited at 560\ulcorner, have higher breakdown field(6.8MV/cm) and lower leakage current than those deposited at 625\ulcorner. Also the effective energy barrier height(\ulcorner)calculated from the Fowler-Nordheim curve of polyoxide was 0.76eV for 560\ulcorner deposited film and 0.64eV for 625\ulcorner deposited film.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 1999년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.456-459
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• 1999

This paper presents about EL(electroluminescent) driver with inverter. Inverter is composited two FET to increase safety output voltage. As result this study, the optimum operating condition of inverter is that the gate bias frequency of FET equal two resonant frequency of circuit. It shows to ideal sinusoidal output wave. Finally, EL sampler(15cm$\times$15cm) gain 2.6 [lux] with 1cm.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.181-184
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• 2002

본 논문에서는 600Hz 무선 LAN 시스템에 탑재를 위한 600㎓ 대역 전력증폭기 모듈을 개발 하였다. 600㎓ 대역 전력증폭기 모듈에 실장된 600㎓ 대역 전력증폭기 MMIC는 ETRI에서 설계 및 제작한 것으로 칩의 크기는 2.80 × 1.75㎟이며, on-wafer측정을 하여 얻은 결과는 동작 주파수 58~620Hz에서 소신호 이득은 12.4dB이고, 최대 소신호 이득은 59~60G보z에서 ISdB이며, 출력전력(Pldn)은 16.3~16.7dBm을 얻었다. 이와 같은 특성을 갖는 전력증폭기 MMIC를 사용하여 모듈을 제작하였으며, RF feed line을 위해 Rogers 사의 R03003 기판을 사용하였다. 모듈의 입출력은 동작 주파수 대역에 적합한 WRl5라는 waveguide 형태를 사용하였고, DC 바이어스 공급을 위해 3.5㎜ K-connector를 사용하였다 제작한 모듈의 크기는 40 × 30 × 15㎣이며, 최적의 성능을 얻고자 tuning bar를 상하로 이동하여 최적점을 찾았으며 나사로 고정하여 상태를 유지하도록 하였다. DC 바이어스 및 RF feed line과 칩의 연결은 본딩에 의한 인덕턴스를 최소화하기 위하여 3mil 두께의 리본 본딩을 하였다 전력증폭기 모듈을 측정한 결과, 동작주파수 600㎓ 대에서 소신호 이득은 6dB 이상, 입력 정합은 -lOdB 이하, 출력 정합은 -4dB 이하로 측정되었긴, 출력전력은 SdBm 이상으로 측정되었다. 동국대에서 제작한 600Hz 무선 LAN 시스템에 전력증폭기 모듈을 시스템 송신부에 탑재 시험한 결과, 동영상을 실시간으로 전송하는데 성공하였다.

• 한국게임학회 논문지
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• 제20권4호
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• pp.101-110
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• 2020

본 연구는 한국의 교육용 기능성 게임을 1995년부터 2020년까지 3개 시기로 구분하여 분석하고 그 특징을 도출하였다. 한국의 교육용 기능성 게임의 실패 원인을 사회적 환경, 제작 환경, 게임 디자인, 문화적 측면에서 나누어 분석하였고, 기술 수준과 학습 효과, 그리고 게임성과의 상관관계를 분석하였다. 기술 수준과 재미, 교육적 효과에 의한 상관관계 분석을 통해 기술의 난이도, 게임의 플랫폼은 학습 효과와 상관이 없으며, 학생들에게 익숙하고 접근하기 쉬운 캐주얼 게임 방식, 그리고 재미와 학습효과 간에 균형을 잘 맞추는 것이 상업적 성공에 중요한 요인이라는 것을 확인하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.104-113
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• 1994

We have fabricated n-p-n HBTs using 3-inchAlgaAs/GaAs hetero structure epi-wafers grown by MBE. DC and AC characteristics of HBT devices were measured and analyzed. For HBT epi-structure, Al composition of emitter was graded in the region between emitter cap and emitter. And base layer was designed with concentration of 1${\times}10^{19}/cm^{3}$ and thickness of 50nm, and Be was used as the p-type dopant. Principal processes for device fabrication consist of photolithography using i-line stepper, wet mesa etching, and lift-off of each ohmic metal. The PECVD SiN film was used as the inslator for the metal interconnection. HBT device with emitter size of 3${\times}10{\mu}m^{2}$ resulted in cut-off frequency of 35GHz, maximum oscillation frequency of 21GHz, and current gain of 60. The distribution of the ideality factor of collector and base current was very uniform, and the average values of off-set voltage and current was very uniform, and the average values of off-set voltage and current gain were 0.32V and 32 within a 3-inch wafer.

• 한국게임학회 논문지
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• 제20권2호
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• pp.45-60
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• 2020

최근 사이버 불링 현상은 계속 증가하고 있고 학교 폭력이나 사이버 범죄까지 야기하는 심각한 사회적 문제가 되고 있다. 우리는 컴퓨터 게임에 익숙한 청소년층에게 적합한 기능성 게임 방식의 교육 프로그램을 개발하였다. 시범 교육 결과, 교육적 효과가 높은 것으로 나타났다. 이 연구를 통해 다음과 같은 것을 확인하였다. 첫째, 사이버 불링 예방 교육에는 청소년들이 선호하는 기능성 게임이 적합한 교육 매체라는 것이다. 둘째, 교육내용의 적절성은 피교육자에 의해 실험 되고 검증되어야 한다. 이 연구는 사이버 불릴 예방 교육에 직접적인 도움을 줄 것이며, 게임 기반 교육 프로그램 개발에도 좋은 지침이 될 것이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.167-170
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• 2002

The design and fabrication of Q-band 3-stage monolithic microwave integrated circuit(MMIC) driver and power amplifiers for WLAN are presented using 0.2${\mu}{\textrm}{m}$ AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT). In each stage of the MMIC DA, a negative feedback is used for both broadband and good stability. The MMIC PA has employed a balanced configuration to overcome these difficulties and achieve high power with low VSWR over a wide frequency range. In the MMIC DA, the measurement results arc achieved as an input return loss under -4dB, an output return loss under -l0dB, a gain of 14dB, and a PldB of 17dB at C-band(36~ 44GHz). The chip size is 28mm$\times$1.3mm. The developed MMIC PA has the l0dB linear gain over 360Hz to 420Hz band and 22dBm PldB performance at 400Hz. The size of fabricated MMIC PA is 4mm x3mm. These results closely match with design results. This MMIC DA Sl PA will be used as the unit cells to develop millimeter-wave transmitters for use in wideband wireless LAN systems.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.365-370
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• 1998

We studied a electrical properties in GaAs/AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(PHEMT s) recessed by electron cyclotron resonance(ECR) plasma and wet etching. Using the $NH_4OH$ solution, a nonvolatile AlF$_3$layer formed on AlGaAs surface after selective gate recess is effectively eliminated. Also, we controlled threshold voltage($V_th$) using $H_3PO_4$ etchant. We have fabricated a device with 540 mS/mm maximum transconductance and -0.2 V threshold voltage by using $NH_4OH$ and $H_3PO_4$dip after ECR gate recessing. In a 2-finger GaAs PHEMT with a gate length of 0.2$\mu m$ and width of 100 $\mu m$, a current gain of 15 dB at 10 GHz and a maximum cutoff frequency of 58.9 GHz have been obtained from the measurement of current gain as a function of frequency at 12mA $I_{dss}$ and 2 V souce-drain voltage.

• 한국대기환경학회:학술대회논문집
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• 한국대기환경학회 2003년도 추계학술대회 논문집
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• pp.485-486
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• 2003

산업사회의 발전과 문화생활의 향상에 따라 에너지 사용은 계속 증가해 왔으며, 이에 따른 환경문제 또한 꾸준히 제기되고 있다 산업구조상 화석연료를 주 에너지원으로 사용하고 있는 우리나라의 경우 온실 가스중 $CO_2$가 87.7%를 차지한다. 또한 이 $CO_2$가 대기 중에서 10.0%가 초과되면 인체에 심각한 신진대사의 이상, 중앙신경계의 장애가 발생할 수 도 있다(환경부, 2000). 에너지 경제연구원은 "2010년까지 2000년 수준으로 $CO_2$ 배출량을 줄이면서 국내 총생산은 17.5% 감소할 전망"이라고 분석했다(에너지 관리공단, 2003). (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.176-176
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• 2012

본 연구는 GaN 기반의 전자소자의 표면 패시베이션 방법으로 열산화 공정을 이용한 알루미늄산화막 패시베이션 공정에 대하여 연구하였다. 결정질의 알루미늄산화물은 경도가 크고 화학적으로 안정적이기 때문에 외부 오염에 대한 소자 표면을 효과적으로 보호할 수 있으며, 열적안정성이 뛰어나 공정중 또는 공정 후의 고온 환경에서의 열 손상이 적은 장점을 가진다. 결정질 알루미늄산화막($Al_2O_3$)을 소자 표면에 형성하기 위해서 일반적으로 TMA (trimethlyaluminium)와 오존($O_3$)가스를 이용한 ALD 공정법이 사용되고 있으나 공정 비용이 비싸고 열산화막에 비해 전자 trapping이 많이 발생하여 전자이동도가 저하되는 단점이 있어, 본 연구에서는 열산화 공정을 이용하여 소자의 전기적 특성 저하를 발생시키지 않는 알루미늄산화막 패시베이션을 수행하였다. 실험에 사용된 기판은 AlGaN/GaN 이종접합 구조가 증착된 HEMT 제작용 기판을 사용하였으며 TLM 구조를 제작하여 소자의 채널 면저항 및 절연영역간 누설전류 특성을 확인하였다. TLM 구조가 제작된 샘플 위에 알루미늄을 100 ${\AA}$ 두께로 소자위에 증착하고 $O_2$ 분위기에서 약 $525{\sim}675^{\circ}C$ 온도로 3분간 열처리하여 알루미늄 산화막을 형성한 후 $950^{\circ}C$ 온도로 $N_2$ 분위기에서 30초간 안정화열처리 하여 안정한 알루미늄 산화막 패시베이션을 형성하였다. 알루미늄산화막 패시베이션 후 소자의 절연영역 사이의 누설전류는 패시베이션 전과 비슷한 크기를 나타냈고 패시베이션 후 채널의 면저항이 패시베이션 전에 비해 약 20% 감소한 것을 확인하였다. 또한 패시베이션된 소자와 패시베이션되지않은 소자에 대해 $900^{\circ}C$ 온도로 30초간 열처리한 결과 패시베이션 되지 않은 소자는 74%만큼 채널 면저항이 증가하였으며, 절연영역 누설전류가 다섯오더 크기로 증가한 반면 알루미늄산화막 패시베이션한 소자는 단지 13%의 채널 면저항의 증가를 나타내었고 절연영역 누설전류는 100배 감소한 값을 보여 알루미늄산화막 패시베이션이 소자의 열적 안정성을 향상시키는 것을 확인하였다.