Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.08a
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- Pages.176-176
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- 2012
Simple Passivation Technology by Thermal Oxidation of Aluminum for AlGaN/GaN HEMTs
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Kim, Jeong-Jin
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An, Ho-Gyun
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Bae, Seong-Beom
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Mun, Jae-Gyeong
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Park, Yeong-Rak
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Im, Jong-Won
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Min, Byeong-Gyu
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Yun, Hyeong-Seop
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- Yang, Jeon-Uk
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김정진
(한국전자통신연구원) ;
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안호균
(한국전자통신연구원) ;
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배성범
(한국전자통신연구원) ;
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문재경
(한국전자통신연구원) ;
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박영락
(한국전자통신연구원) ;
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임종원
(한국전자통신연구원) ;
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민병규
(한국전자통신연구원) ;
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윤형섭
(한국전자통신연구원) ;
- 양전욱 (전북대학교 반도체화학공학부)
- Published : 2012.08.20
Abstract
본 연구는 GaN 기반의 전자소자의 표면 패시베이션 방법으로 열산화 공정을 이용한 알루미늄산화막 패시베이션 공정에 대하여 연구하였다. 결정질의 알루미늄산화물은 경도가 크고 화학적으로 안정적이기 때문에 외부 오염에 대한 소자 표면을 효과적으로 보호할 수 있으며, 열적안정성이 뛰어나 공정중 또는 공정 후의 고온 환경에서의 열 손상이 적은 장점을 가진다. 결정질 알루미늄산화막(