• 제목/요약/키워드: 육방정계구조

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유기금속화학증착법에 의한 $YMnO_3$박막 제조 및 전기적 특성 (Preparation and Electrical Properties of $YMnO_3$Thin Film by MOCVD Method)

  • 김응수;노승현;김유택;강승구;심광보
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권5호
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    • pp.474-478
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    • 2001
  • 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 반응기체 $O_2$의 양 및 Y와 Mn의 운반기체 비(Y/Mn)를 변화시켜가며 Si(100) 기판 위에서 MFSFET(metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor) 구조의 YMnO$_3$박막을 증착하였다. 반응기체 $O_2$의 양이 150sccm일 때 Y/Mn=2와 3인 경우 단일상의 육방정계 YMnO$_3$박막이 형성되었다. YMnO$_3$박막의 전기적 특성은 사방정계 YMnO$_3$박막에서는 나타나지 않았으나, 육방정계 YMnO$_3$박막의 경우 결정립 크기에 영향을 받아 단일상의 육방정계 YMnO$_3$박막 중 결정립 크기가 150nm~200nm(Y/Mn=2)인 경우에는 잔류분극이 100nC/$ extrm{cm}^2$인 P-E 이력곡선의 특성을 나타내었다.

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다중강전자 상태를 가진 육방정계물질의 전자구조 계산 (The Electronic Structure Calculations for Hexagonal Multiferroic Materials)

  • 박기택
    • 한국자기학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.152-155
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    • 2007
  • 다중강전자 상태의 $YMnO_3,\;ScMnO_3$의 전자구조와 자기구조를 국소스핀밀도근사(LSDA)를 이용하여 계산하였다. 강자성 상태이며 강유전 상태의 전자구조는 육방정계 구조로 인하여 Mn 3d 에너지띠가 분리되어 띠틈을 나타내었다. 이러한 에너지 띠틈과 작은 Y, Sc 이온의 반경으로 인하여 $YMnO_3,\;ScMnO_3$는 반강자성 강유전적 성질을 가지는 다중강전자 구조를 가지고 있음을 보았다. 또한 총에너지 계산을 통하여 반강자성, 강유전 상태가 가장 안정됨이 실험과 일치하였다.

수열합성법에 의해 합성된 수산화아파타이트 결정의 입자 형상에 관한 EDTA의 영향 (Effects of EDTA on morphology of hydroxyapatite prepared by hydrothermal method)

  • 최봉석;김동현;김태완;박홍채;윤석영
    • 한국결정성장학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.75-81
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    • 2011
  • 육방정계 구조를 가지는 수산화아파타이트 결정은 킬레이트 착화합물을 형성 할 수 있는 EDTA(ethylene diamine tetraacetic acid)를 이용하여 수열조건에서 합성 하였다. 제조된 분말은 X-선 회절 패턴 및 주사전자현미경에 의해 특성 평가 하였다. 제조된 수산화아파타이트 분말은 육방정계 구조의 c축에 따라 결정이 성장하였고, 결정의 형상은 수열온도, pH, EDTA/Ca 및 출발물질의 Ca/P 몰 비와 같은 반응 파라메타에 의해 제어 되었다.

표면성장 방법에 의한 고강력, 고탄성률 섬유 고분자 재료의 개발 (development of high Strength and High Modulus Polymeric Materials by Using Surface Growth Technique)

  • 심현주
    • 유변학
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    • 제5권2호
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    • pp.149-160
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    • 1993
  • 표면성장법을 이용한 고강력, 고탄성률 섬유의 제조시, 결정화 온도에 따른 섬유 미 세구조와 물리적 성질의 상관 관계를 미세구조적, 열역학적 관점에서 규명하고자 초고분자 량 폴리에틸렌으로 섬유를 제조하고 결정화 온도에 따른 구조와 인장 성질의 변화를 용융 거동을 중심으로 관찰하였다, 일정길이하에서의 섬유의 용융인 제한 용융에서는 고분자 사 슬배좌의 구속으로 인해 사방정계-육방정계 전이가 일어났다 제한 용융 거동으로부터 라멜 라 구조와 펼쳐진 사슬 결정 부분을 분리할 수 있었으며 결정화 온도가 증가할수록 펼쳐진 사슬 결정의 양이 증가하였다. 결정화 온도가 증가할수록 쉬시-케밥구조에서 펼쳐진 사슬 구조로의 변화가 일어났으며 결정내의 결점도 줄어들었다. 결정화 온도가 증가할수록 구조 의 변화로 인해 인장 성질이 향상되었다. 인장 성질은 펼쳐진 사슬 결정의 양에 큰 영향을 받았다. 인장 강도는 펼쳐진 사릉의 양과 사슬내의 결점들에 의해 큰 영향을 받았으며 인장 탄성계수와 절단 신도는 인장 강도보다 펼쳐진 사슬의 양에 더 크게 영향 받았다.

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기판온도 변화에 따른 Se 박막의 구조적 특성 (A Structural characteristic of a Se thin film along substrate temperature change)

  • 백수웅;양현훈;한창준;김한울;나길주;이석호;정해덕;박계춘
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.92.2-92.2
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    • 2010
  • Selenium 물질은 지구상에 많은 양이 존재하고, 가격이 저렴하다. 그 성질은 분광감도가 시감도에 잘 일치하고, 광학적 특성이 뛰어나서 태양전지로 연구도 활발히 진행 중이다. 본 연구에서는 Se박막을 열저항증착방법을 이용하여 증착시, 기판온도를 변화를 시켜 그 구조적특성의 변화를 관찰하였다. $50^{\circ}C$에서 변화를 시작하여 $70^{\circ}C$, $100^{\circ}C$의 변화에서 각각 단사정계, 육방정계 결정구조가 나타났다. XRD 분석결과 $100^{\circ}C$에서 증착한 sample의 회절강도가 $70^{\circ}C$에서 증착한 sample보다 작은회절강도를 나타내었다. 추후 열처리공정등을 통하여 보완하면, CISe 박막 화합물 태양전지 연구에 큰 효과를 나타낼 수 있을 것으로 예상된다.

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열처리온도에 따른 CdS박막 특성 (Characteristics of CdS thin film depending on annealing temperature)

  • 김성구;박계춘;유용택
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제7권1호
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    • pp.49-56
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    • 1994
  • Polycrystalline CdS thin films were deposited by using EBE method and its crystal structure, surface morphology, electrical and optical properties as a function of annealing temperature were investigated. It was found that optimum growth conditions were substrate temperature annealing temperature 300[.deg. C]. The films were hexagonal structure preferred(002) plane and maximum grain size was 421[.angs.]. As the results, resistivity and optical transmittance of CdS thin films were $8.3{\times}{10^3}$[.ohm.cm] and 89[%] respectively.

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2차원 나노소재의 국방분야 적용방안 (Application of 2D materials to the defense area)

  • 배정호
    • 한국국방기술학회 논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.1-6
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    • 2024
  • 2차원 평면에 결정구조를 갖는 2차원 소재는 2004년 처음 발견된 그래핀(Graphene)을 시작으로 2011년 발견된 맥신(MXene)에 이르기까지 나노기술 분야의 차세대 소재로 주목받고 있다. 2차원 소재 중 광범위하게 연구되고 있는 그래핀, 맥신, 육방정계 질화붕소, 전이금속 칼코게나이드의 특성을 소개하고 각 2차원 소재를 국방 분야에 적용할 수 있는 기술을 소개하여 차세대 무기체계 및 전력지원체계에 적용할 수 있는 방안을 제시하고자 한다.

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분무열분해법으로 제조된 SrAl2O4:Ho3+ 녹색 형광체의 발광특성 (Luminescence Characterization of SrAl2O4:Ho3+ Green Phosphor Prepared by Spray Pyrolysis)

  • 정경열;김우현
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제53권5호
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    • pp.620-626
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    • 2015
  • $Ho^{3+}$가 도핑된 $SrAl_2O_4$ 상향전환 형광체 분말을 분무열분해법으로 제조하고 활성제의 농도, 후 열처리 온도 변화에 따른 결정학적 구조와 발광 특성을 조사하였다. 또한 유기 첨가제 사용에 따른 형광체의 결정구조, 표면적 및 휘도 변화를 조사하였다. $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$$Ho^{3+}$$^5F_4/^5S_2{\rightarrow}^5I_8$ 전이에 기인한 강한 녹색 발광을 보였다. 가장 높은 발광 강도를 보이는 $Ho^{3+}$ 농도는 0.1%였고, 그 이상의 농도에서는 활성 이온간 쌍극자-쌍극자 상호 작용에 의에 농도소강이 일어나 발광 휘도는 급격히 감소하였다. 여기 광원의 전력 세기에 따른 발광 휘도 변화 관찰로부터 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$의 녹색 발광은 2광자가 관여된 바닥상태흡수-여기상태흡수 과정을 통해 효율적으로 일어남이 확인되었다. 합성된 분말의 주상은 단사정계이고 일부 육방정계 상이 존재하였다. 후 열처리 온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1350^{\circ}C$로 증가시킴에 따라 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$는 육방정계 상이 줄어 들면서 단상정계의 결정성이 향상되었다. 그러나 $1350^{\circ}C$에서도 일부 육방정계 상은 존재하였다. 구연산(CA)과 에틸렌 글리콜(EG)을 첨가해준 분무 용액으로부터 제조한 경우, 육방정계 상이 없는 순수한 단사정계 상으로 향상된 결정성을 가지는 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$가 제조되었다. 또한 유기 첨가제와 함께 N,N-Dimethylformamide(DMF)를 분무용액에 넣어 줌으로써 형광체의 표면적을 크게 감소시킬 수 있었다. 그 결과 CA/EG/DMF를 넣고 제조한 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$ 형광체는 유기 첨가물 없이 제조한 형광체에 비해 발광 휘도가 약 168% 향상되었다. 이러한 휘도 증대는 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$ 형광체의 결정상이 순수해졌고, 결정성 증대와 표면 결함을 최소화시킨 결과라고 결론지었다.

FloucinoloneAcetonide의 결정 및 분자구조 (The Crystal and Molecular Structure of Fluocinolone Acetorlide $(C_{24}H_{30}F_2O_8)$)

  • 정종순;조성일;정용제
    • 한국결정학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.31-36
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    • 1992
  • 플루오로시노론 아세토나이드, C24H30F2O6, 삼사 정계, 공간군 R3(육방정계 단위세포), a=b=17. 896 A., c: 18365 ,3,, V=5094.3 A',2:9 A(MoK a) =0.7107 k, D-: 1.31 g/cm", D.: 1.328 g/cm", T=298 K,1101 개의 독립된 회절반점에 대한 최종신뢰도값 R=0.050. 분자구조는 관련된 코티코 스테로이드 화합물의 구조와 일치한다. 3회 회전 대칭 관계에 있는 세개의 분자가 수소결합에 의해 서로 연결되어, c-축에수직한 층을 형성한다.

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ZnO 박막을 이용한 광재료 개발 현황

  • 서효원;정연식;최원국
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제17권5호
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    • pp.13-20
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    • 2004
  • 1996년 GaN와 near band edge emission(NBE) 및 yellow deep-defect level emission의 발광 기구가 ZnO의 greene mission과 매우 유사하다는 점이 발견된 이 후[1,2], II-VIZnO반도체에 대한 광학적 성질에 많은 관심이 집중되기 시작하였다. 1960년대 C. Klingshirin[3]에 의해 bulk ZnO의 exciton luminescence가 관측된 이래로, 1980년대 후반부터 적층 박막 성장 법들이 급속도로 발전을 하여 오고 1988 S. Bethke등이 CVD로 성장한 ZnO의 NBE emission에 관심을 갖기 시작하였고[4], 1996년 2K에서 GaN, ZnO사이의 유사한 발광기구가 알려졌고[5], 도호쿠 및 일본 공업대에서 ZnO의 적층 성장 및 상온에서 defect에 기인한 emission이 없는 깨끗한 PL 의 관측, 상온 lasing, 육방정계 결정 구조에서 비롯된 6-fold symmetry PL 등이 보고되기 시작하였다. [6-8] 2000년에 들어서면서 MgO와 CdO와의 solid solution에 의한 밴드갭을 2.6-4.2 eV 까지 조절하는 가능성이 보고되었고 이를 이용한 ZnO/MgZnO MQW 구조에 대한 연구도 병행되었다.(중략)

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