• Title/Summary/Keyword: 유연기판

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Aluminum based ZnO/Al/ZnO flexible Transparent Electrodes Fabricated by Magnetron sputtering (스퍼터링 증착법을 이용한 ZnO/Al/ZnO 구조의 유연투명전극 연구)

  • Bang, GeumHyuck;Choi, Dooho
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.25 no.2
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    • pp.31-34
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    • 2018
  • In this study, the feasibility of ZnO/Al/ZnO flexible transparent electrodes for future flexible optoelectronic devices was investigated. All depositions were performed on PET substrates. The thicknesses of the top and bottom ZnO layers were 5-70 nm and 2.5-20 nm, respectively. The highest visible light transmittance was recorded when the thicknesses of the top and bottom ZnO layers 30 nm and 2.5 nm, respectively. 62% optical transmittance (at the wavelength of 400 nm) and sheet resistance of $19{\Omega}/{\Box}$ were measured. After repetitive bending test at a curvature radius of 5 mm, the transmittance and sheet resistance did not change.

Implementation of Logic Gates Using Organic Thin Film Transistor for Gate Driver of Flexible Organic Light-Emitting Diode Displays (유기 박막 트랜지스터를 이용한 유연한 디스플레이의 게이트 드라이버용 로직 게이트 구현)

  • Cho, Seung-Il;Mizukami, Makoto
    • The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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    • v.14 no.1
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    • pp.87-96
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    • 2019
  • Flexible organic light-emitting diode (OLED) displays with organic thin-film transistors (OTFTs) backplanes have been studied. A gate driver is required to drive the OLED display. The gate driver is integrated into the panel to reduce the manufacturing cost of the display panel and to simplify the module structure using fabrication methods based on low-temperature, low-cost, and large-area printing processes. In this paper, pseudo complementary metal oxide semiconductor (CMOS) logic gates are implemented using OTFTs for the gate driver integrated in the flexible OLED display. The pseudo CMOS inverter and NAND gates are designed and fabricated on a flexible plastic substrate using inkjet-printed OTFTs and the same process as the display. Moreover, the operation of the logic gates is confirmed by measurement. The measurement results show that the pseudo CMOS inverter can operate at input signal frequencies up to 1 kHz, indicating the possibility of the gate driver being integrated in the flexible OLED display.

Cu(In,Ga)Se2 기반 탠덤 태양전지 연구현황 및 전망

  • Sin, Dong-Hyeop;Jeong, In-Yeong;Kim, Gi-Hwan;Hwang, In-Chan;An, Se-Jin;Eo, Yeong-Ju;Jo, A-Ra;Jo, Jun-Sik;Park, Ju-Hyeong;An, Seung-Gyu;Song, Su-Min;Yu, Jin-Su;Lee, Sang-Min;Lee, A-Reum;Gwak, Ji-Hye;Yun, Jae-Ho
    • Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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    • v.7 no.1
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    • pp.17-26
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    • 2021
  • Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 태양전지 연구개발은 1970년대부터 지속적으로 발전하여 유리 및 플렉서블 기판에서 모두 20% 이상의 고효율을 달성하였으며, 상용화도 성공적으로 이루었다. 최근 태양전지의 초고효율화를 위한 방안으로 태양전지를 적층하는 다중접합 태양전지 특히 제조원가를 고려한 탠덤 구조에 대한 연구가 상당히 주목을 받고 있다. 이는 페로브스카이트 태양전지를 상부셀로 적용하였을 때, 29.5%의 초고효율이 보고되었기 때문이다. 이런 추세로 보면 태양전지의 탠덤 구조는 초고효율화 달성에 필연적으로 사용될 것으로 생각된다. 하지만 초고효율화와 더불어 BIPV, VIPV, 모바일소자 등 심미성, 경량성, 유연성을 갖춘 다기능성 태양전지에 대한 요구까지 충족시키기 위해서는 궁극적으로 유연한 하부셀이 사용되어야 한다. 이런 점들을 고려하였을 때, 초고효율 유연 탠덤 태양전지의 하부셀로 유연 CIGS 박막 태양전지가 적합한 선택이 될 것으로 판단된다. 따라서 본 글에서는 CIGS 박막 태양전지를 기반으로 하는 탠덤 태양전지의 연구개발 현황에 대해서 살펴보고 향후 유연 탠덤 태양전지의 전망에 대해서도 기술하고자 한다.

Fabrication of Pentacene-Based Organic Thin Film Transistor (펜타센을 활성층으로 사용하는 유기 TFT 제작)

  • 정민경;김도현;구본원;송정근
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2000.06b
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    • pp.44-47
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    • 2000
  • 본 연구는 α-Si:H TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)를 대체 할 펜타센을 활성층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 제작에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터는 유기발광소자와 함께 유연한 디스플레이에 응용된다. 펜타센 박막 트랜지스터의 제작은 채널 길이 25㎛, 70㎛, 소스, 드레인, 게이트 전극으로 Au을 lift off 공정으로 제작하였으며, 펜타센은 OMBD(Organic Molecular Beam Deposition)로 기판온도를 80℃로 유지하여 증착하였다. 제작된 소자로부터 트랜지스터 전류-전압 특성곡선을 측정하였고, 게이트에 의한 채널의 전도도가 조절됨을 확인하였다. 그리고, 전달특성곡선으로부터 문턱전압과 전계효과 이동도를 추출하였다.

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마이크로파 능동 필터 연구 동향

  • 이문규
    • The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.14 no.3
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    • pp.70-82
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    • 2003
  • 마이크로파 능동필터는 RF 시스템에서 주목받고 있는 SoC(System on Chip) 기술을 위한 필터의 집적화 기술로 매우 활발한 연구가 수행되어지고 있다. chip상에서의 마이크로파 대역에서의 능동필터는 기판의 손실로 인한 공진기의 Q값 저하를 능동소자를 이용하여 보상하여 협대역 필터의 구현을 가능하게 할 뿐만 아니라, 바랙터 다이오드나 PIN 다이오드을 회로에 적용하여 가변 필터의 구현도 가능하게 되어 시스템의 유연성이 높은 SDR (Soft-wave Defined Radio)등에도 적용될 수 있는 분야로 각광을 받을 것으로 판단된다. 본 고에서는 마이크로파 능동 필터에 대한 분류와 회로의 구조 연구 동향에 대해 살펴본다.

Medium frequency current sputtered face target aluminum zinc oxide transparent conductive film (대향타겟 스퍼터링법으로 증착한 AZO 투명전도성 필름)

  • Jang, Hye-Yeong;Choe, In-Gyu;Kim, Sang-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.11a
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    • pp.294-294
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    • 2015
  • 대향타겟식 스퍼터링법을 이용해 유연한 기판에 증착시켜 고주파 마그네트론 스퍼터링보다 덜 손상이 입히도록 증착 시켰으며, 플라즈마 주파수를 다양하게 하여 밴딩테스트 후 나빠지는 전기적, 광학적 특성을 개선하고, 그 원인을 분석하였다.

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Technical trend of Surface treatment for FPCB (FPCB표면처리와 최신기술개발동향)

  • Kim, Yu-Sang
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.291-292
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    • 2012
  • 플렉시블 (F-PCB, Flexible Printed Circuit Board)은 얇고 유연하며 모바일, 광학, 노트북, 프린터, LCD 등 IT산업전반에 걸쳐 사용되고 있다. 통신기기가 이동용으로 전환되면서 대용량, 고속의 정보 전달이 필요하다. 인접 회로간의 전자파 차폐, 구리성분의 편석방지와 고성능의 회로소재 확보가 요구된다. 본고에서는 최근의 플렉시블 인쇄회로기판의 주석도금의 위스커방지 품질향상을 중심으로 기술하였다.

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Synthesis and Film Properties of Cross-linked Polysulfone with Imide Side Chain (이미드 곁가지로 가교되는 폴리설폰의 합성 및 필름 특성)

  • Lee Eun-Sang;Hong Sung-Kwon;Kim Yong-Seok;Lee Jae-Heung;Kim In-Sun;Won Jong-Chan
    • Polymer(Korea)
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    • v.30 no.2
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    • pp.140-145
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    • 2006
  • The mort commonly available substrate material is glass in the display fibrication process. However, glass is not desirable due to its heaviness and fragility. Recently, plastics such polysulfone (PSF), polyethesulfone (PES), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET) and cyclic olefin polymers (COP) have been investigated to replace glass as a substrate material for display fibrication. Plastic substrates are advantageous in that they are lightweight, huh impart resistance, flexibility, and ability for roll to roll manufacturing process. But many plastics have poor chemical resistance in organic solvent. The chemica resistance is also lequired because they are exposed to solvents for various chemical treatments din the manufacturing process. So, we have an interest in the chemical modification of PSF to improve chemical resistance. We introduced crosslinkable imide moieties using chloromethylation method for the modification of PSF which could be overcome above shortcomings for display substrate based on plastic film. We prepared the cross-linked polysulfone films which were represented chemical resistance in HeOH, THF, DMSO and NMP. The thermal properties were measured by TGA, DSC and TMA. As the results, we have confirmed to enhance of the thermal property. They had low coefficient of thermal expansion (CTE) which decreased to 15% and had increased $T_g\;from\;180^{\circ}C\;to\;252^{\circ}C$. Cross-linked polysulfone films with imide side-chain had good optical properties and chemical resistance so that they could be used as flexible display substrate.

Electrical Behavior of the Circuit Screen-printed on Polyimide Substrate with Infrared Radiation Sintering Energy Source (열소결로 제작된 유연기판 인쇄회로의 전기적 거동)

  • Kim, Sang-Woo;Gam, Dong-Gun;Jung, Seung-Boo
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.24 no.3
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    • pp.71-76
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    • 2017
  • The electrical behavior and flexibility of the screen printed Ag circuits were investigated with infrared radiation sintering times and sintering temperatures. Electrical resistivity and radio frequency characteristics were evaluated by using the 4 point probe measurement and the network analyzer by using cascade's probe system, respectively. Electrical resistivity and radio frequency characteristics means that the direct current resistance and signal transmission properties of the printed Ag circuit. Flexibility of the screen printed Ag circuit was evaluated by measuring of electrical behavior during IPC sliding test. Failure mode of the Ag printed circuits was observed by using field emission scanning electron microscope and optical microscope. Electrical resistivity of the Ag circuits screen printed on Pl substrate was rapidly decreased with increasing sintering temperature and durations. The lowest electrical resistivity of Ag printed circuit was up to $3.8{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ at $250^{\circ}C$ for 45 min. The crack length arisen within the printed Ag circuit after $10{\times}10^4$ sliding numbers was 10 times longer than that of after $2.5{\times}10^4$ sliding numbers. Measured insertion loss and calculated insertion loss were in good agreements each other. Insertion loss of the printed Ag circuit was increased with increasing the number of sliding cycle.