• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.5 no.4
• /
• pp.420-425
• /
• 1995

AlGaN/GaInN 이중이종접합구조(double heterostructure :DH)를 대기압 유기금속기상에 피텍셜(MOVPE)법으로 AIN 와충층을 이용하여 사파이어 기판위에 성장하고, 실온에서의 광여기법에 의한 청색영역의 단면모드 유도방출특성과 편광특성을 조사하였다. 여기광원의 광밀도가 증가함에 따라 청색 영역에서의 유도방출 피크는 낮은 에너지 쪽으로 이동하였고, 유도방출 피크파장은 여기광밀도가 200kW/$cm^{2}$일때 402nm 이었으며, 스펙트럼의 반치폭은 18meV 이었다. 또한 유도방출에 필요한 여기광밀도의 임계치는 130 kW/$cm^{2}$ 이었다. AlGaN/GaInN로부터 방출되는 유도방출 광은 임계치 이상에서 TE-mode로 편광 되었다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.5 no.4
• /
• pp.445-450
• /
• 1995

AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/$cm^{2}$에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의 온도에서 각각 89kW/$cm^{2}$와 44kW/$cm^{2}$이었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1994.11a
• /
• pp.98-98
• /
• 1994

최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• v.19 no.1
• /
• pp.23-35
• /
• 1994

A computer code DRL was developed to calculate the derived release limits at CANDU type nuclear power plants. The derived release limits resulting from DRL code is to set guidelines for the release of radionuclides in airborne and water-borne effuents during normal operations of a CANDU type nuclear power plant. The DRL code generally follows the methodology Prescribed in the CSA standard N288.1-M87 and uses the Parameter values recommended in the same standards. The DRL code was used to calculate a set of preliminary derived release limits for the Wolsong NPP.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.21 no.5
• /
• pp.163-166
• /
• 2011

We describe modified Fowler-Nordheim (FN) field emission equation for the free-standing nanomembrane cathode, which has mechanical degrees of freedom. The derived FN equation agrees well with the experimental data. The free-standing nanomambrane cathode demonstrates its unique ability to detect large biomolecure ions.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2003.07a
• /
• pp.240-241
• /
• 2003

경계면 근처에서의 에바네슨트파의 상호작용은 입사, 반사 및 굴절된 평면파의 삼중모드로 설명한다. 경계에서 굴절률이 낮은 영역에 위치한 DCM 색소분자에 의한 자발방출은 굴절률이 높은 영역에서 입사된 삼중모드와 굴절률이 낮은 영역에서 입사한 삼중모드와 상호작용을 하며, 광 측정기에서는 이 두 모드의 선형결합을 보게된다. 자발방출에 대한 실험결과는 이러한 이론을 뒷받침 해준다. (중략)

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1994.11a
• /
• pp.97-97
• /
• 1994

Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• v.17 no.4
• /
• pp.267-278
• /
• 1985

Some kinds of methods have been applied to regulate the exposure doses by the radioactive effluents from nuclear power plants. The essential one is primary dose equivalent limit recommended by the ICRP. When the primary limit cannot be applied directly for regulation, there have been dose equivalent index in case of external exposure, or maximum permissible concentration, annual limit on intake, derived air concentration and maximum permissible body burden in case of internal exposure. But the derived limit is required from the viewpoint of discharge, for those values are inadequate to control discharge rate directly. This study was carried out to derive the release limit for the Wolsung nuclear power plant by the concentration factor method. This method is based on the assumption of steady state transfer between environment compartments.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.48 no.2
• /
• pp.203-206
• /
• 2004

• Proceedings of the Korean Society of Fisheries Technology Conference
• /
• 2003.05a
• /
• pp.189-190
• /
• 2003

우리나라에 분포하는 모자반류는 모두 24종으로 알려져 있으며 (이와 강 19861 이 가운데 식용으로 이용되는 것은 모자반 (S. fulvellum)이 대표적이다. 모자반의 양식은 주로 서남해 지역에서 이루어지고 있으며 이들의 종묘생산은 자연에서 생식기탁의 성숙되는 4-5월경에 이루어지는데, 유배의 대량 방출을 위한 성숙 모조의 다량 확보가 어렵고 일시에 유배의 대량 방출을 유도하기 위한 성숙 유도 기법의 연구는 전무한 실정이다. (중략)