• 제목/요약/키워드: 유도결합형 플라즈마

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자장강화된 유도결합형 플라즈마를 이용한 산화막 식각에 대한 연구 (A study on the oxide etching using multi-dipole type magnetically enhanced inductively coupled plasmas)

  • 안경준;김현수;우형철;유지범;염근영
    • 한국진공학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.403-409
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    • 1998
  • 본 연구에서는 자장강화된 유도결합형 플라즈마를 사용하여 이 플라즈마의 특성을 조사하고 또한 산화막 식각에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 자장 강화를 위해 4쌍의 영구자석이 사용되었고, 산화막 식각을 위해 $C_2F_6, CHF_3, C_4F_8$ 가스 및 이들 혼합가스가 사 용되었으며 첨가가스로 $H_2$를 사용하였다. 자장강화된 유도결합형 플라즈마 특성 분석을 위 해 Langmuir probe와 optical emission spectrometer를 이용하여 산화막 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 stylus profilometer를 이용하여 측정하였다. 이온 밀도에 있어서 자장 유무에 따른 큰 변화는 관찰되지 않았으나 이온전류밀도의 균일도는 자장을 가 한 경우 웨이퍼가 놓이는 기판 부분에서 상당히 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 자장이 가 해진 경우, 자장을 가하지 않은 경우에 비해 플라즈마 전위가 감소된 반면 전자온도 및 라 디칼 밀도는 크게 증가되는 것을 알 수 있었으며 산화막 식각시에도 높은 식각 속도와 식각 균일도를 보였다. 산화막 식각을 위해 수소가스를 사용한 가스조합중에서 C4F8/H2가스조합 이 가장 우수한 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 나타내었으며 공정변수를 최적화 함으로써 순수 C4F8에서 4이상의 선택비와 함께 8000$\AA$/min의 가장 높은 식각속도 를 얻을 수 있었으며, 50%C4F8/50%H2에서 4000$\AA$/min의 산화막 식각 속도와 함께 15이상 의 식각 선택비를 얻을 수 있었다.

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원통형 량뮤어 프로브에서의 플라즈마 전위와 부유 전위의 플라즈마 밀도 의존성 연구 (Experimental investigation on the dependence of the difference between plasma potential and floating potential on plasma density in cylindrical Langmuir probes)

  • 정진욱;이원기
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1967-1968
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    • 2004
  • 최근 F. F. Chen 에 의하면 [F.F. Chen and D. Arnush, Phys. Plasmas, 8, 5051(2001)], 원통형 량뮤어 탐침의 경우 플라즈마 전위와 부유 전위의 차(${\triangle}V_{pf}$) 가 상수가 아니며 플라즈마 밀도에 따라 달라지고 밀도가 아주 높은 경우 즉 쉬스가 탐침의 반경보다 아주 얇은 경우에는 ${\triangle}V_{pf}$ 는 평면 탐침과 같이 상수가 된다는 것을 이론적으로 보였다. 이에 본 연구에서는 아르곤 유도 결합 플라즈마에서 원통형 량뮤어 탐침을 사용하여 F. F. Chen의 이론적인 결과를 실험으로 검증하였으며 F.F. Chen 의 이론적인 결과와 잘 일치하였다.

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Ar 가스압력과 RF 전력변화 (13.56MHz)에 따른 유도결합형 플라즈마 E-H 모드 변환의 광학적 특성 (Optical Properties of Inductively Coupled Plasma with Ar Gas Pressure and RF Power (13.56MHz))

  • 허인성;조주웅;이영환;김광수;최용성;박대희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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    • pp.1123-1126
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    • 2003
  • In this paper, the emission properties of electrodeless fluorescent lamp were discussed using the inductively coupled plasma. To transmit the electromagnetic energy into the chamber, a RF power of 13.56MHz was applied to the antenna and considering the Ar gas pressure and the RF electric power change, the emission spectrum, Ar- I line, luminance were investigated. At this time the input parameter for ICP RF plama, Ar gas pressure and RF power were applied in the range of $10{\sim}60m$ Torr, $10{\sim}300W$ respectively.

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유도결합형 플라즈마에서 압력에 따른 Ar Gas의 전기적 특성분석 (Analysis of Electrical Properties of Ar Gas According to Input Pressure for Inductively Coupled Plasma)

  • 조주웅;이영환;허인성;김광수;최용성;박대희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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    • pp.1176-1179
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    • 2003
  • Low-Pressure inductively coupled RF discharge sources have important industrial applications mainly because they can provide a high-density electrodeless plasma source with low ion energy and low power loss. In an inductive discharge, the RF power is coupled to the plasma by an electromagnetic interaction with the current flowing in a coil. In this paper, the experiments have been focussed on the electric characteristic and carried out using a single Langmuir probe. The internal electric characteristics of inductively coupled Ar RF discharge at 13.56 [MHz] have been measured over a wide range of power at gas pressure ranging from $1{\sim}70$ [mTorr].

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