Kim, Ju-Seung;Seo, Bu-Wan;Gu, Hal-Bon;Lee, Kyung-Sup
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.05b
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pp.331-334
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2000
The organic electroluminescent(EL) device has gathered much interest because of its large potential in materials and simple device fabrication. We fabricated EL devices which have a blended single emitting layer containg poly(Nvinylcarbazole)[PVK] and poly(3-dodecylthiophene)[P3DoDT]. The molar ratio between P3DoDT and PVK changed with 1:0, 2:1 and 1:1. To improve the external quantum efficiency of EL devices, we applied insulating layer, LiF layer between polymer emitting layer and AI electrode. All of the devices emit orange-red light and it's can be explained that the energy transfer occurs from PVK to P3DoDT. Within the molar ratio 1:0, 2:1 and 1:1, the energy transfer was not saturated, which results in the not appearance of PVK emission in the blue region. In the voltage-current and voltage-light power characteristics of devices applied LiF layer, current and light power drastically increased with increasing with applied voltage. In the consequence of the result, the light power of the device have a molar ratio 1:1 with LiF layer was about 10 times larger than that of the device without PVK at 6V.
유기 EL(Organic Light Emitting diode : OLED)은 자체발광 소자로서 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)에 비해 빠른 응답속도, 넓은 시야각 등의 뛰어난 화질 표현이 가능하다. 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 전류가 OLED의 휘도를 결정하므로, 고품질의 영상을 위해 미세한 TFT 전류 조절 능력이 매우 중요하다. 비정질 실리콘(a-Si) TFT는 그레인 구조를 갖는 다결정 실리콘(poly-Si) TFT에 비해 균일한 전기적 특성을 나타내지만, 장시간 구동에 따른 문턱전압의 열화가 발생한다. 본 논문에서는 상기의 문제점을 최소화하기 위하여 positive bias에 의한 열화를 negative bias로 어닐링하는 구동방법을 제안하였다. 본 회로는 2개의 게이트 선택 신호와 6개의 a-Si TFT로 이루어져 있다. 실험 결과를 통해 추출된 소자 parameter를 바탕으로 제안된 회로의 simulation을 수행 및 검증하였다. 본 회로는 a-Si TFT에서 발생하는 문턱전압 열화 등의 신뢰성 문제를 감소시킨다.
Park, So-Hyun;Kang, Do-Soon;Park, Dae-Won;Choe, Young-Son
Polymer(Korea)
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v.32
no.4
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pp.372-376
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2008
Vacuum deposited 4,4',4"-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenylamino)-triphenylamine (2-TNATA), used as a hole injection (HIL) material in OLEDs, is placed as a thin interlayer between indium tin oxide (ITO) electrode and a hole transporting layer (HTL) in the devices. C60-doped 2-TNATA:C60 (20 wt%) film was formed via co-evaporation process and molecular ordering and topology of 2-TNATA:C60 films were investigated using XRD and AFM. The J-V, L-V and current efficiency of multi-layered devices were characterized as well. Vacuum-deposited C60 film was molecularly oriented, but neither was 2-TNATA:C60 film due to the uniform dispersion of C60 molecules in the film. By using C60-doped 2-TNATA:C60 film as a HIL, the current density and luminance of a multi-layered ITO/2-TNATA:C60/NPD/$Alq_3$/LiF/Al device were significantly increased and the current efficiency of the device was increased from 4.7 to 6.7 cd/A in the present study.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.05a
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pp.27-31
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2001
We fabricated organic electroluminescent(EL) devices with mixed emitting layer of poly(N-vinylcarbazole)(PVK), 2,5-bis(5'-tert-butyl-2-benzoxazoly)thiophene(BBOT), N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4, 4'-diarnine(TPD) and poly(3-hexylthiophene)(P3HT). To improve the external quantum efficiency of EL devices, we added the functional layer to the devices such as LiF insulating layer, carrier confinement layer(BBOT) and hole injection layer(CuPc). In the ITO/emitting layer/Al device, the maximum quantum efficiency at 15V was $1.88{\times}10^{-5}%$. And then, it is increased by a factor of 27 to $5.2{\times}10^{-3}%$ in ITO/CuPc/emitting layer/BBOT/LiF/Al device at 15V.
Outcoupling efficiency of the OLED device is improved by incorporating both a microlens array and a diffractive grating pattern. The microlens array improves the light transmission at the interface of glass and air, and the diffractive grating outcouples the guided mode propagating at the waveguide, which consists of ITO and organic layers. By using the PDMS soft mold imprinting method, the microlens array is fabricated on the glass substrate. The diffractive grating pattern is directly fabricated on the ITO surface by using laser interferometry. A microlens array with a diameter of $10{\mu}m$ improves the light coupling efficiency by 22%. The diffractive grating made of TSMR photoresist enhances the luminance power efficiency by 41% at a current density of $20mA/cm^2$.
Kim, Yun-Myoung;Pyo, Sang-Woo;Kim, Jun-Ho;Shim, Jae-Hoon;Zyung, Tae-Hyung;Kim, Young-Kwan;Kim, Jung-Soo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.312-315
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2001
Recently organic electroluminescent devices have been intensively investigated for using in full-color flat-panel display. Since the quantum efficiency of electrophosphorescent device decrease rapidly as the luminance increase, it is desirable to operate the electrophosphorescent display with active matrix rather than passive matrix. Here we report the study of driving electrophosphorescent diode with all organic thin film transistor(OTFT). The structure of electrophosphorescent diode is ITO/TPD/BCP:Ir(ppy)$_3$/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al. In OTFT. polymer is used as an insulator and pentacene as an active layer. Detailed performance of the integrated device will be discussed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.312-315
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2001
Recently organic electroluminescent devices have been intensively investigated for using in full-color flat-panel display. Since the quantum efficiency of electrophosphorescent device decrease rapidly as the luminance increase, it is desirable to operate the electrophosphorescent display with active matrix rather than passive matrix. Here we report the study of driving electrophosphorescent diode with all organic thin film transistor(OTFT). The structure of electrophosphorescent diode is ITO/TPD/BCP:Ir(ppy)$_3$/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al. In OTFT, Polymer is used as an insulator and pentacene as an active layer. Detailed performance of the integrated device will be discussed.
A thermally cross-linkable polymer, poly[(2,5-dimethoxy-1,4-phenylenevinylene)-alt-(1,4-phenylenevinylene)] (Cross-PPV), was synthesized by the Heck coupling reaction. In order for the polymer to be cross-linkable, 20 mol% excess divinylbenzene was added. The chemical structure of Cross-PPV and thermally crosslinked Cross-PPV were confirmed by FT-IR spectroscopy. From the FT-IR, UV-Vis, and PL spectral data, thermally crosslinked Cross-PPV was insoluble in common organic solvents. The HOMO and LUMO energy level of thermally cross-linked Cross-PPV were estimated -5.11 and -2.56 eV, respectively, which were determined by the cyclic voltammetry and UV-Vis spectroscopy. From the energy level data, one can easily notice that thermally crosslinked Cross-PPV can be used for hole injection layer effectively. Bilayer structured device (ITO/crosslinked Cross-PPV/PM-PPV/Al) was fabricated using poly(1,4-phenylenevinylene-(4-dicyanomethylene-4H-pyran)-2,6-vinylene-1,4-phenylenevinylene-2,5-bis(dodecyloxy)-1,4-phenylenevinylene (PM-PPV) as the emitting layer, which have HOMO and LUMO energy levels of -5.44 eV and -3.48 eV, respectively. The bilayered device had much enhanced the maximum efficiency (0.024 cd/A) and luminescence ($45cd/m^2$) than those of a single layer device (ITO/PM-PPV/Al, 0.003 cd/A, $3cd/m^2$). The enhanced performance originated from that fact that cross-linked Cross-PPV facilitatse the hole injection to the emissive layer and the injected hole and electron from ITO and Al are recombined in emitting layer (PM-PPV) effectively.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.140-140
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2016
유기전계발광소자 (Organic Light Emitting Diode : OLED)는 보조광원이 필요 없고 천연색 표현이 가능하며, 낮은 소비 전력 및 저전압 구동 등의 장점으로 이상적인 디스플레이 구현이 가능하여 차세대 디스플레이로써 많은 이목을 끌고 있으나 제한된 수명과 안정성의 문제점을 안고 있다. 따라서 OLED의 열화 원인을 분석하고 수명을 연장하기 위한 체계적인 방법과 기술 개발이 중요하다. Impedance Spectroscopy는 이온, 반도체, 절연체 등의 벌크 또는 계면 영역의 전하 이동을 조사하는데 사용될 수 있어, OLED에서도 Impedance Spectroscopy를 이용하여 전하수송과 전자주입 메커니즘 등 폭넓은 전기적 정보를 얻을 수 있다. 본 연구에서는 Impedance Spectroscopy를 이용하여 경과시간에 따른 OLED의 임피던스 특성을 측정하여 열화 메커니즘을 분석하였다. 본 연구에서 OLED는 ITO / 2-TNATA (4,4,4-tris2-naphthylphenyl-aminotriphenylamine) / NPB (N,N'-bis-(1-naphyl)-N, N'-diphenyl-1,1'- biphenyl-4,4'-diamine) / Alq3 (tris(quinolin-8-olato) aluminum) / Liq / Al으로 구성된 녹색 형광 OLED를 제작하였다. OLED의 전계 발광 특성을 측정하기 위한 전원 인가장치로 Keithley 2400을 사용하여 전압과 전류를 인가하였고, 소자에서 발광된 휘도 및 발광 스펙트럼은 Photo Research사의 PR-650 Spectrascan을 사용하여 암실 환경에서 측정하였다. 임피던스 스펙트럼은 컴퓨터 제어 프로그래밍이 가능한 KEYSIGHT사의 E4990A를 사용하여 측정하였다. 임피던스 측정 전압은 0 V부터 2 V 간격으로 8 V까지, 주파수는 20 Hz에서 2 kHz의 범위로 설정하여 측정하였다. I-V-L과 임피던스 특성은 24 시간의 간격을 두고 실온에서 측정하였다. 그림은 경과시간에 따른 녹색 형광 OLED의 인가전압 2 V, 6 V의 Cole-Cole plot을 나타낸 것이다. 문턱전압 미만인 인가전압 2 V에서는 소자를 통하여 전류가 흐르지 않아 큰 반원 형태를 나타내었고, 시간이 경과함에 따라 소자 제작 직후엔 실수 임피던스의 최댓값이 $8982.6{\Omega}$에서 480 시간 경과 후엔 $9840{\Omega}$으로 약간 증가하였다. 문턱전압 이상인 인가전압 6 V에서는 소자 제작 직후 실수 임피던스의 최댓값이 $108.2{\Omega}$으로 작은 반원 형태를 나타내나 시간이 경과함에 따라 방사형으로 증가하는 것을 확인 할 수 있었고, 672 시간 경과 후엔 실수 임피던스의 최댓값이 $9126.9{\Omega}$으로 문턱 전압 미만 일 때와 유사한 결과를 나타내었다. 이러한 임피던스의 증가 현상은 시간이 경과함에 따라 OLED의 열화에 의한 것으로 판단된다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.373-373
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2013
높은 효율의 InGaN/GaN 전광소자는 현대 조명 산업에 필수적인 역할을 하고 있다. 그러나 전광소자의 효율을 높이는 데에는 여러가지 한계들이 있다. 예를 들면 높은 전류에서의 효율저하, GaN 의 전위결함에 의한 비발광 재결합의 발생 등이 있다. 이러한 한계를 극복하고자 InGaN/GaN 전광소자의 효율을 높이기 위해 사파이어 기판의 표면을 거칠게 바꾸는 방법, 무분극 전광소자, 표면 플라즈몬 등 여러가지 많은 방법들이 개발되고 있다. c-plane InGaN/GaN LED 기반의 표면 플라즈몬 실험은 많은 연구가 수행되고 있으나, m-plane InGaN/GaN LED 기반의 표면 플라즈몬은 아직 연구가 진행되지 않았다. 본 실험의 목적은 표면 플라즈몬 효과를 이용하여 semi-polar InGaN/GaN LED의 광효율을 개선하는 것이다. 유기금속화학 증착 장비로 m-plane sapphire위에 $6{\mu}m$ 의 GaN 버퍼층을 증착하고 표면의 평탄화를 위해 $2{\mu}m$의 n-GaN을 증착하였다. 그 위에 3개의 다중양자우물 층을 증착하였고, 10 nm의 도핑이 되지않은 GaN를 증착하였다. 표면 플라즈몬 현상을 일으키기 위해 Ag박막을 10, 15, 20 nm 증착하여 급속 열처리 방법으로 $300^{\circ}C$에서 20분 열처리 하였다. 형성된 나노입자를 측정하기 위해 주사전자현미경으로 표면을 분석하였다. 표면플라즈몬에 의한 InGaN/GaN 광 세기를 측정하고자 여기 파장이 385 nm인 photoluminescence (PL) 를 사용하였다. 또한 내부양자효과의 증가를 확인하기 위해 PL을 이용하여 온도를 10~300 K까지 20 K 간격으로 광세기를 측정하였다. 향상된 내부 양자효과가 표면 플라즈몬에 의한 것임을 증명하기 위해 time-resolved PL을 이용하여 운반자 수명시간을 구하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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