• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.3 no.1
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• pp.1-4
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• 2000

The Bis(8-oxyquinolino) zinc lII (Znq2) were synthesized successfully from zinc chloride $(ZnCl_2)$ as a initial material . The organic electroluminescece devices (ELDs) were fabricated with N-N'-diphenyl-N-N'-bis (3-meth-ylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) which act as a hole transporting layer and the Znq2 act as an EL emitting layer and electron transporting layer. In order to maximize luminance of ELD, TPD/Znq2/Al were deposited onto cleaned indium tin oxide (ITO) by changing thickness of EL emitting layer. The photoluminescence (PL) results show that Znq2 compound emits yellow green from 540nm. electrochemical behavior with V-J and V-L curve of carrier injection was investigated from 6 V. respectively. The maximum luminance were defected about $838 cd/m^2$. From these results, ai synthesized Znq2 material maybe one of the useful material of organic EL display material.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.418-419
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• 2013

현재, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 박막은 가시영역에서 전기적 특성 및 광학적 특성이 우수하기 때문에 평면 디스플레이(flat displays), 박막 트랜지스터(thin film transistors), 태양전지(solar cells) 등을 포함한 광소자에 투명전도성산화물(transparent conducting oxide, TCO) 전극으로 가장 일반적으로 사용되고 있다. 하지만, 이 물질은 밴드갭이 3.4 eV로 다소 작아 다양한 분야의 의료기기, 환경 보호에 응용 가능한 자외선 영역에서 상당히 많은 양의 광흡수가 발생하는 치명적인 문제점을 가지고 있다. 또한, 인듐(Indium)의 급속한 소비는 인듐의 매장량의 한계로 인해 가격을 상승시키는 주요한 원인으로 작용하고 있다. 한편, InGaN 기반의 자외선 발광다이오드 분야에서는 팔라듐(Pd) 기반의 반투명 전극과 은(Ag) 기반의 반사전극을 주로 사용하고 있지만, 낮은 투과도와 낮은 굴절률을 때문에 여전히 자외선 발광다이오드의 광추출 효율(extraction efficiency)에 문제점을 가지고 있다. 따라서 자외선 발광다이오드의 외부양자 효율(external quantum efficiency, EQE)을 높이기 위해 높은 투과도와 GaN와 유사한 굴절률을 가지는 p-형 오믹 전극을 개발해야 한다. 본 연구에서는 초박막의 ITO (16 nm)/Ag (7 nm)/ITO (16 nm) 다층 구조를 갖는 투명전도성 전극을 제작한 후, 열처리 온도에 따른 전기, 광학적 특성에 향상에 대해서 조사하였다. 사용된 산화물/금속/산화물 전극의 구조는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED), 태양전지 등에 많이 사용되는 안정적인 투명 전극을 자외선 LED 소자에 처음 적용하여, ITO의 전체 사용량은 줄이고, ITO 사이에 금속을 삽임함으로써 금속에 의한 전기적 특성 향상과 플라즈몬 효과에 의한 투과도를 높일 수 있는 장점을 가지고 있다. 실험 결과로는, $400^{\circ}C$에서 열처리한 ITO/Ag/ITO 다층 구조는 365 nm에서 84%의 광학적 특성과 9.644 omh/sq의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과로부터 좀 더 최적화를 수행하면, ITO/Ag/ITO 다층 구조는 자외선 발광다이오드의 투명전도성 전극으로 사용될 수 있을 것이라 기대된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.391.1-391.1
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• 2014

광물질로 인광물질을 사용한 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)는 재결합에 의해 형성된 여기자를 발광에 모두 이용할 수 있기 때문에 내부 양자효율이 100%로 알려져 있다. 하지만 유기층에서 발생된 빛이 소비자에게 전달되기까지의 경로에서 발생되는 wave guiding effect로 인해, 발생된 빛의 20%만이 전달된다. 특히 bottom emission type의 OLED에서 glass와 air사이의 굴절률이 달라 발생되는 전반사에 의해 손실되는 빛의 양은 35%에 달한다. 따라서 본 연구에서는 glass와 air사이의 전반사를 줄이고 광추출을 위해 습식 방법으로 hemisphere type의 ZnS를 제작하였다. 제작된 ZnS는 직경 200nm까지 성장하였으며, 이렇게 제작된 ZnS nano lens가 적용된 OLED device에서 휘도가 20% 이상 향상되는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.04b
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• pp.22-23
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• 2008

본 연구에서는 전면 유기 발광소자(TE-OLED)를 제작하여 전기 광학적 특성을 연구하였다. 전면 발광 OLED의 투명 전극으로 사용된 Al과 Ag의 박막 두께에 따른 투과율과 면저항값은 다음과 같이 나타났다. 파장 520nm의 기준으로 Al 금속 박막의 두께가 10nm 이하여야 50% 투과율을 보였고, 반면 Ag는 25nm 이하로 나타났다. 면저항값은 박막두께 20nm 기준으로 Al은 약 $40\Omega/\square$, Ag는 $10\Omega/\square$이하로 나타났다. 전면발광 방식의 시야각에 따른 빛의 세기는 cos $60^{\circ}$ 일 때 0.1로, TE-OLED는 시야각이 증가하였을 때 현저히 감소되는 것을 볼 수 있다. TE-OLED의 시야각의 증가에 따른 EL-peak 또한 약 520nm의 파장대에서 약 500nm으로 변화하였다. 전면 발광 방식의 반폭치(FWHM)는 배면 발광 방식 보다 약 32nm정도 좁게 나타났다.

• Transactions of the KSME C: Technology and Education
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• v.1 no.2
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• pp.187-192
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• 2013

Nozzle printing technology has been usually used for adhesive patterning to encapsulate electronic devices. Film formation of functional materials by nozzle printing is a great challenge. The characteristics of nozzle printing of organic ink were investigated systematically in this paper. TAPC as an organic emitting material was used as an ink for nozzle printing experiment to form the patterns in this study. Printed pattern width was increased as the ink flow rate and the printed substrate temperature were increased. The patterns showed a coffee-ring shape.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.23 no.1
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• pp.11-15
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• 2016

The organic light emitting diodes (OLEDs) have been studied as large flexible displays, light source and hard wares of internet of things. However, OLEDs show some drawbacks in terms of external environments due to the low work function of the metals and the reactive organic materials. In particular, the operation functions of the OLEDs tend to deteriorate rapidly by exposing the oxygen and moisture. So as to prevent it, domestic and overseas studies underway in various method such as ALD, PVD, CVD. But it has complex process and high cost. Therefore In order to protect devices from the external environments, it is important to develop the passivation thin films of low-cost and simple process which can prevent the devices from the penetration of the oxygen and moistures. In this study, to improve the reliability, passivation thin films were coated onto the green OLEDs by spin coating method and investigated the changes of the optical properties of the prepared devices at various doping concentrations of sodium alginate (SA). The passivation solutions were synthesized by using polyvinyl alcohol (PVA) host material with a dopant of SA which were added with the amounts of 10, 20 and 40 wt% into the PVA. As a result, the best barrier properties of the OLEDs were obtained for the samples with 40 wt% SA. Finally, the passivation films can be optimized by using the mixture solution of PVA and SA materials.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.04b
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• pp.96-99
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• 2000

We fabricated electroluminescent(EL) devices which have a blended single emitting layer containing poly(N-vinylcarbazole)[PVK] and poly(3-dodecylthiophene)[P3DoDT]. The molar ratio between P3DoDT and PVK changed with 1:0, 2:1 and 1:1. To improve the external quantum efficiency of EL devices, we applied insulating layer, LiF layer, between polymer emitting layer and Al electrode. All of the devices emit orange-red light and its can be explained that the energy transfer occurs from PVK to P3DoDT. In the voltage-current and voltage-light power characteristics of devices applied LiF layer, current and light power drastically increased with increasing applied voltage. In the consequence of the result, the external quantum efficiency of the devices that have a molar ratio 1:1 with LiF layer was 35 times larger than that of the device without LiF layer at 6V.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.05a
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• pp.582-588
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• 1999

정보화 사회의 발전과 함께 멀티미디어에 대한 관심이 집중되고 있으며, 점유 공간이 작고 가벼우며 대면적이 가능한 정보 표시 디스플레이에 대한 기술은 고부가가치 산업으로 인식되어 지고 있다. 이러한 정보 표시 디스플레이들 중, 전기 발광 소자 (Electroluminescence Display : ELD), 액정 표시 디스플레이 (Liquid Crystal Display LCD), 플라즈마 디스플레이 (Plasma Display Panel) 등의 대한 연구가 세계적으로 매우 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 란탄 계열의 금속 착 화합물인 Tb(ACAC)$_3$(Phen)과 Tb(ACAC)$_3$(Phen-Cl)를 이용해 다비이스를 제작한후 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. 또한 luminous efficiency와 cyclic voltametric 방법을 이용해 에너지 밴드로 두 발광 물질인 Tb(ACAC)$_3$(Phen)과 Tb(ACAC)$_3$(Phen-Cl)을 비교.분석하였다. 본 연구의 디바이스 구조를 보면 anode/hole transporting layer (HTL)/emitting material layer (EML)/electron transporting layer (ETL)/cathode와 같고 ETL를 aluminum-tris- (8-hydroxyquinoline) (Alq$_3$)와 bis(10-hydroxybenzo(h)quinolinato)beryllium (Bebq$_2$)를 사용하였으며 HTL 로 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD)를 사용하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1567-1569
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• 2004

유기발광 소자의 전공 수송층 재료로 많이 쓰이고 있는 N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4-4'-diamine(TPD)는 OLED소자가 연속적으로 작동하게 되면 TPD박막이 결정화되는데, 이러한 결정화는 디스플래이 소자에 dark spot(흑점)의 문제점을 가져왔다. 이러한 원인을 제거하기 위해서 ITO위에 PolyThiophene을 완충층으로 제작함으로써, OLED 소자의 효율에 미치는 영향은 크다고 할수 있다. 자체 제작한 플라즈마 중합장치의 중합조건과 중합체 PolyThiophene의 분자구조를 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.73-73
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• 2010

본 연구에서는 성장된 p-형의 단일벽 탄소 나노튜브 (SWCNT)와 폴리머 코팅으로 n-형 특성을 보이는 SWCNT의 접합으로 pn-접합 소자 어레이를 만들고 특성을 분석한 결과에 대해 발표하고자 한다. Y-cut quartz 기판에 0.1 nm 두께의 철 촉매 패턴을 만들고 화학기상증착법으로 잘 정렬된 SWCNT를 성장시킨 후, 열 박리 테이프 (thermal tape)을 이용하여 정렬된 나노선을 실리콘 옥사이드 기판에 전이한다. 전기적(electrical breakdown)으로 금속성의 나노선을 제거하고 p-형의 나노선 배열을 얻을 수 있다. 이 나노선에 국소적으로 폴리머 (polyethyleneimine: PEI) 코팅을 하여 n-형 특성을 갖는 나노선 패턴을 만들 수 있다. 이를 이용하여 만든 소자는 p-형과 n-형이 하나의 나노선 안에 부분적으로 존재하므로 연결부위의 접촉에 관한 문제가 전혀 없으며 소자를 만들기도 유용하다. 이렇게 준비된 p-형 나노선과 n-형 나노선의 접합에서 정류특성을 관찰하였다. 이러한 passive matrix 소자는 터치패드나 유기발광다이오드와 같은 다양한 소자에 응용 가능하다.