"H" 형태의 공진기로서 이루어진 초전도 안테나는 비슷한 크기를 가진 마이크로스트립 안테나에 비하여 소형화에 유리하다. "H"형 초전도 안테나 제작을 위해 rf 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO)/MgO 고온초전도 박막을 제조하였으며 표준 식각법을 이용하여 안테나를 형상화 하였다. 일반 금속과의 특성을 비교하기 위해서 동일한 차원의 금 안테나가 제작되었다. 개구 결합 방식을 이용하여 초전도 안테나 패치와 $50{\Omega}$ 급전선을 임피던스 결합을 시켰다. 다양한 종류의 실험 결과가 반사손실, 공진주파수, 특성임피던스 등을 중심으로 보고되었다. H형 초전도 안테나는 금 안테나에 비하여 정재파비에서 0.36 효율에서 24% 반사손실에서 14.6bB 이상 더 우수한 성능을 보여주었다.
The tribological properties and van der Waals attractive forces and the thermal stability of films are very important characteristics of highly hydrophobic fluorocarbon (FC) films for the long-term reliability of nano system. The effect of thermal annealing on films and van der Waals attractive forces and friction coefficient of films have been investigate d in this study. It was coated Al wafer which was treated O2 and Ar that ocatfluorocyclobutane ($C_4_{8}$) and Ar were supplied to the CVD chamber in the ratio of 2:3 for deposition of FC Films. Static contact angle and dynamic contact angle were used to characterize FC films. Thickness of films was measured by variable angle spectroscopy ellipsometer (VASE). Nanotribological data was got by atomic force microscopy (AFM) to measure roughness, lateral force microscopy (LFM) to measure friction force, and force vs. distance (FD) curve to evaluate adhesion force. FC films were cured in N2 and vacuum. The film showed the slight changes in its properties after 3 hr annealing. FTIR ATR studies showed the decrease of C-F peak intensity in the spectra as the annealing time increased. A significant decrease of film thickness has been observed. The friction force of Al surface was at least thirty times higher than ones with FC films. The adhesive force of bare Al was greater than 100 nN. After deposit FC films adhesive force was decreased to 40 nN. The adhesive force of films was decreased down to 10 nN after 24 hr annealing. During 24 hr annealing in $N_2$and vacuum at $100^{\circ}C$ film properties were not changed so much.
Pattern 웨이퍼 상의 오염입자 제거는 반도체 산업의 주된 과제 중 하나이다. Pattern의 선폭이 좁아짐에 따라 Pattern에 손상을 가하지 않고 오염입자를 제거 하는 것은 더욱 어려워지고 있다. 그뿐만 아니라 기존 습식세정 공정에서의 화학액에 의한 환경오염 및 박막의 손실도 문제가 되기 시작했다. 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 세정공정에서 화학액의 농도를 낮추고 Megasonic 등을 이용하여 세정력을 보완하는 방법들이 연구되고 있다. 하지만 습식세정의 경우 강한 화학작용으로 인한 표면 손상 및 물 반점의 문제는 여전히 이슈가 되고 있다. 이러한 단점을 극복하기 위하여 건식 세정법이 제시되고 있으며 이 중 레이저 충격파는 레이저를 집속시켜 발생된 충격파를 이용하여 입자를 제거하기 때문에 국부적인 세정이 가능하며 세정력 조절이 가능하여 손상이 세정을 할 수 있다. 그러나 Pattern의 구조에 의해 전되는 세정력의 차이가 발생하고 Trench 내부의 오염입자제거 문제점이 발생할 수 있다. 시편은 Si STI Pattern을 100 nm PSL Particle (Red Fluorescence, Duke Scientific, USA) 을 50ppm 농도로 희석시킨 IPA에 dipping 하여 오염시킨 후 N2 Gas를 이용하여 건조하여 준비하였다. 그리고 레이저 충격파 세정 시스템은 최대 에너지 1.8 J까지 가능한 레이저를 발생하는 1,064 nm Nd:YAG 레이저를 이용하여 실험하였다. 레이져 충격파 실험은 충격파와 시편사이의 거리, gap distance와 에너지를 변환하여 세정효율을 관찰하였다. 세정효율은 세정 전후의 입자 감소량을 현광현미경 (LV-150, Nikon, Japan)를 이용하여 측정하였다. 그 결과, Trench 내부의 오염입자의 경우 Trench 밖의 오염입자에 비해 세정효율이 떨어지는 것으로 나타났으나 시편과 레이저 초점과의 거리가 가까워짐에 따라 Trench 내부의 오염입자에 대한 세정 효율을 증가시킬 수 있었다.
본 논문에서는 유기발광다이오드의 보호막 적용을 위하여 TCP-CVD를 이용한 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 Power, 가스종류 및 유량, 소스와 기판거리 및 공정온도 등의 공정조건에 따른 증착된 산화막의 특성을 나타내는 증착률, 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 $SiH_4$ : $O_2$ = 30 : 60 [sccm], 70 [mm]의 source와 기판 거리, Bias를 인가하지 않은 조건에서 80 [$^{\circ}C$] 이하의 공정온도를 보였으며 투과율 90% 이상, 높은 증착률 및 굴절률 1.4~1.5인 안정된 $SiO_2$ 산화박막을 제조할 수 있었다.
Lee, Ho-Sik;Lee, Won-Jae;Park, Jong-Wook;Kim, Tae-Wan;Dou--Yol Kang
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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pp.111-114
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1999
Electroluminescence(EL) devices based on organic thin films have been attracted lots of interests in large-area light-emitting display. In this stuffy, an emissive layer was fabricated using Langmuir-Blodgett(LB) technique in organic light-emitting (OLEDs). This emissive organic material was synthesized and named PECCP[poly(3.6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)] which has a strong electron donor group and an electron acceptor group in main chain repeated unit. This material has good solubility in common organic solvents such as chloroform. THF, etc, and has a good stability in air. The Langmuir-Blodgett(LB) technique has the advantage of precise control of the thickness down to the molecular scale, In particular, by varying the film thickness it is possible to investigate the metal/polymer interface. Optimum conditions for the LB film deposition are usually determined by investigating a relationship between a surface pressure $\pi$ and an effective are A occupied by one molecule on the subphase. The LB films were deposited on an indium-tin-oxide(ITO) glass at a surface pressure of 10 mN/m and dipping speed of 12 mm/min after spreading PECCP solution on distilled water surphase at room temperature, Cell structure was ITO/PECCP LB film/Alq$_3$/Al. We considered PECCP as a hole -transport layer inserted between the emissive layer and ITO. We also used Alq$_3$ as an emissive layer and an electron transport layer. We measured current-voltage(I-V) characteristics, UV/visible absorption, PL spectrum and EL spectrum of the OLEDs.
IZO/Ag/IZO (IAI) anode films for flexible organic light emitting diodes (OLEDs) were grown on PC (polycarbonate) substrate using DC sputter (IZO) and thermal evaporator (Ag) systems as a function of Ag thickness. To investigate electrical and optical properties of IAI stacked films, 4-point probe and UV/Vis spectrometer were used, respectively. From a IAI stacked film with 12nm-thick Ag, sheet resistance of $6.9\;{\Omega}/{\square}$ and transmittance of above 82 % at a range of 500-550 nm wavelength were obtained. In addition, structural and surface properties of IAI stacked films were analyzed by XRD (X-ray diffraction) and SEM (scanning electron microscopy), respectively. Moreover, IAI stacked films showed dramatically improved mechanical properties when subjected to bending both as a function of number of cycles to a fixed radius. Finally, OLEDs fabricated on both flexible IAI stacked anode and conventional ITO/Glass were fabricated and, J-V-L characteristics of those OLEDs were compared by Keithley 2400.
We have investigated the dielectric and electrical characteristics of palrnitic acid(PA), stearic acid(SA) and arachidic acid(AA) Langmuir-Blodgett(LB) films because these fatty acid systems have a same hydrophilic group and a different hydrophobic one(alky1 chain lqngth). The dielectric characteristics such as the capacitance-frequency(C-F) characteristics and the dielectric dispersion and absorption characteristics of PA, SA and AA through-plane were measured. In the result, the relative dielectric constants of PA, SA and AA LB films were about 3.0-4.6, 2.7-4.1 and 2.4-3.8, respectively. The relative dielectric constants were decreased in proportion to the chain length of alkyl group. Also, the dielectric dispersion and absorption of each fatty acid LB films have arisen from the dipole polarization in the range of $10^4~10^5[Hz]. And, the conductivity of PA, SA and AA LB films obtained from I-V characteristics were about $9{\times}10^{-14}, 3{\times}10^{-l4} and 5{\times}10^{-15}[S/cm], respectively. These results have shown the insulating materials and could control the conductivity by changing the length of alkyl group. Also, we have confirmed that the barrier height of fatty acid systems were about 1.32-1.40[eV] and the dielectric constant were about 3.0-4.2. These values were almost the same ones obtained from dielectric characteristics.
The hybrid thin-film (HTF) passivation layer composed of the Ultra Violet (UV) curable acrylate layer and MS-31 (MgO:$SiO_2$=3:1wt%) layer was adopted in organic light emitting device (OLEO) to protect organic light emitting materials from penetrations of oxygen and water vapors. The results showed that the HTF layer possessed a very low WVTR value of lower than $0.007gm/m^{2+}day$ at $37.8^{\circ}C$ and 100% RH. This value was within the limited range of the sensitivity of WVTR measurements. And the lifetime of the HTF passivated device became almost three times longer than that of the bare device. The HTF on the OLEO was found to be very effective in protect what from the penetrations of oxygen and moisture.
In this paper, the inorganic multi-layer thin film encapsulation was newly adopted to protect the organic layer from moisture and oxygen. Using the electron beam, Sputter, inorganic multi-layer thin-film encapsulation was deposited onto the Ethylene Terephthalate(PET) and their interface properties between inorganic and organic layer were investigated. In this investigation, the SiON SiO2 and parylene layer showed the most suitable properties. Under these conditions, the WVTR for PET can be reduced from a level of $0.57\;g/m^2/day$ (bare subtrate) to 1*10-5 g/$m^2$/day after application of a SiON and SiO2 layer. These results indicates that the PET/SiO2/SiON/Parylene barrier coatings have high potential for flexible organic light-emitting diode(OLED) applications.
본 논문에서는 p-type 고분자 물질인 P3HT (Poly-3-hexylthiophene)를 잉크젯 프린팅 방식으로 활성화층을 적층함으로써 Organic thin film transistor를 제작하여 이에 대한 특성을 연구하였다. Piezoelectric 방식의 잉크젯 프린팅을 이용하여 P3HT single drop jetting 시 두께 $150{\sim}200{\AA}$, 직경 약 70 ~ 80 um정도의 drop profile을 얻을 수 있었다. P3HT의 solvent로서 Chlorobenzene을 사용하여 농도 약 0.5 wt.%의 Ink-jet용 ink를 제작하여 이를 Channel Width 37, 236 um 크기의 Au 전극 위에 jetting 하여 각각의 특성을 측정하였다. 상기 실험은 상온의 외부환경에서 실시되었으며 실험 결과 최대 ${\mu}=1{\times}10^{-2}\;cm^2/Vsec$, $I_{on}/I_{off}=10^3{\sim}10^4$ 정도로서 off current가 높은 편이나 이동도 측면에서는 다른 방법의 박막 증착 실험결과와 비교할 때 동등 수준의 결과를 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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