Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Application of Ink-jet Printing Technology for Fabrication of Polymer Organic TFT using P3HT(poly-3-hexylthiophene)

P3HT(poly-3-hexylthiophene)를 이용한 고분자 유기 TFT 제작을 위한 Ink-jet printing 기술 응용

  • Kim, Jun-Young (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Song, Dae-Ho (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Lee, Yong-Kyun (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Park, Tae-Jin (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Kwon, Soon-Kab (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Kang, Mun-Hyo (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Lee, Sun-Hee (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Han, Seung-Hoon (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Cho, Sang-Mi (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Kim, Jun-Hee (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) ;
  • Jang, Jin (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University)
  • 김준영 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 송대호 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 이용균 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 박태진 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 권순갑 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 강문효 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 이선희 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 한승훈 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 조상미 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 김준희 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터) ;
  • 장진 (경희대학교 차세대 디스플레이 연구센터)
  • Published : 2005.05.13
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Abstract

본 논문에서는 p-type 고분자 물질인 P3HT (Poly-3-hexylthiophene)를 잉크젯 프린팅 방식으로 활성화층을 적층함으로써 Organic thin film transistor를 제작하여 이에 대한 특성을 연구하였다. Piezoelectric 방식의 잉크젯 프린팅을 이용하여 P3HT single drop jetting 시 두께 $150{\sim}200{\AA}$, 직경 약 70 ~ 80 um정도의 drop profile을 얻을 수 있었다. P3HT의 solvent로서 Chlorobenzene을 사용하여 농도 약 0.5 wt.%의 Ink-jet용 ink를 제작하여 이를 Channel Width 37, 236 um 크기의 Au 전극 위에 jetting 하여 각각의 특성을 측정하였다. 상기 실험은 상온의 외부환경에서 실시되었으며 실험 결과 최대 ${\mu}=1{\times}10^{-2}\;cm^2/Vsec$, $I_{on}/I_{off}=10^3{\sim}10^4$ 정도로서 off current가 높은 편이나 이동도 측면에서는 다른 방법의 박막 증착 실험결과와 비교할 때 동등 수준의 결과를 얻을 수 있었다.

Keywords