현재 이용되고 있는 위상 변위 마스크, 즉 Cr 계열의 마스크나 MoSiON 마스크는 DUV지역에서 낮은 굴절률을 갖는다. 그 겯과 마스크의 두께가 90 nm 이상이 되고, 웨이퍼에서 패턴 형성 시 에러율이 증가하게 된다. 본 연구에서는 DUV 지역에서 굴절률이 높을 것이라고 예상되는 Zr과 Hf의 oxide를 위상 변위 마스크 물질의 선정하고 각 물질의 전자 상태와 천이 상태를 분석하여 위상변위 마스크로써의 이용가능성을 연구하자 한다. 상온에서 Zr, Hf oxide의 안정한 구조는 cubic 구조와 monoclinic 구조이다. 현재 cubic 구조의 Zr, Hf oxide에 대한 전자 상태는 연구가 많이 되어 있는 반면 monoclinic 구조에서의 전자상태 연구는 미흡하다. 본 연구에서는 monoclinic 구조를 이용하여 Zr, Hf oxide의 클러스터 모델을 제작하였다. 제작된 클러스터 모델에 대하여 DV-X$\alpha$ 계산법을 적용, 기저상태의 전자상태를 계산하였다. 그리고 각 모델에서 Zr L-edge, Hf L-edge 그리고 O K-edge의 천이상태를 연구하여, 기저 상태의 전자상태와 천이상태를 연구하여 광학 성질과의 연관성을 연구하고자 하였다.
본 연구에서는 구조물의 변위 제약조건을 고려한 위상 최적설계를 체스판무늬 검색 알고리즘과 가상하중을 이용하여 수행하였다. 본 연구에서는 변위 제약조건의 민감도 계산을 위하여 가상 변위장을 도입하였으며, 밀도와 유효강성계수의 상관관계를 정의하기 위하여 가상재료를 도입하였다. 또한, 선형 유한요소를 이용한 위상 최적화 기법에서 일반적으로 나타나는 체스판무늬를 제거하기 위하여 밀도 재분배방법을 이용하였다. 그리고, 변위 제약조건을 고려한 경우와 그렇지 않은 경우의 수치예제를 비교 검토함으로써 본 연구의 타당성을 검증하였다.
소프트 스위칭 능동 클램프 회로와 위상 변위 제어회로를 이용하여 위상 변위 제어 클램프 모드 포워드 다중진공형 컨버터를 제안하였다. 제안된 컨버터는 일정한 스위칭 주파수에서 동작하므로 설계가 용이하고 주 스위치의 전압 스트레스를 입력 전압의 2-3배로 줄일 수 있다. 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 제안된 회로의 이론적인 동작 파형을 확인하였으며 타당성을 입증하기 위하여 1MHz, 5V, 50W 위상 변위 제어 클램프 모드 포워드 다중공진형 컨버터를 제작하여 실험한 결과 주스위치의 최대 전압 스트레스는 입력전압의 3배로 저감하였고, 부하 전류가 증가함에 따라 주스위치에 걸리는 전압 스트레스와 전류 스트레스가 감소하며, 최고 84.2%의 효율을 얻었다.
12 GHz 대역 미국의 위성 방송을 이동중인 차량내에서 수신하기 위한 능동 위상 배열 안테나 시스템용 5-비트 디지털 위상 변위기를 총 10개의 InGaAs HEMT를 가지고 설계, 제작하였다.. 11.25$^{\circ}$,22.5$^{\circ}$,45$^{\circ}$의 위상 비트들은 부하 선로형 방식으로, 90$^{\circ}$, 180$^{\circ}$의 위상 비트들은 링 하이브리드와 결합된 반사형 방식으로 각각 설계, 제작하였으며 각 위상 비트당 2개의 InGaAs HEMT를 사용하였다. 제작된 5-비트 위상 변위기는 12.2 GHz~12.7 대역에서 2개의 위상 응답에 대하여 17.5 ㏈ 이상의 반사 손실, 7.8 ㏈ 이하의 삽입 손실 및 초대 $\pm$6$^{\circ}$의 위상 오차가 측정되었다.
지진시 구조물에 작용하는 동적토압은 구조물 관성력과 동적토압의 위상관계에 따라 구조물의 변위에 대한 하중 또는 저항력으로 발휘될 수 있다. 본 연구에서는 위상관계를 고려한 동적토압 산정 절차를 제안하고, 이 절차에 따라 교량 우물통 기초에 대한 수치해석을 수행하여 구조물 관성력과 동적토압의 위상관계를 분석하였다. 그 결과, 지반강성이 작아서 지반의 변위진폭이 구조물의 변위 진폭보다 큰 경우에는 동적토압이 구조물의 변위를 증가시키는 하중으로 발휘되며, 지반강성이 커서 지반의 변위진폭이 구조물의 변위진폭보다 작은 경우에는 동적토압이 구조물의 변위를 감소시키는 저항력으로 발휘되는 것으로 나타났다.
본 논문에서는 X-대역 Radant lens 4-bit 위상 변위기 설계에 필요한 $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$, $45^{\circ}$ 위상 변위 레이어(layer) 중에서 $45^{\circ}$ 레이어의 등가회로에 관하여 기술한다. $45^{\circ}$ 위상 변위 레이어에 대한 CST사의 MWS (Microwave Studio)와 Agilent사의 ADS(Advanced Design System) 시뮬레이션을 비교 분석하여 등가회로를 추출하고, 등가회로를 통해 얻을 수 있는 이론치와 측정치를 비교한다. 또한, 추출된 등가회로를 활용하여, 4-bit Radant lens의 위상 bit 시뮬레이션 결과도 제시한다.
광대역에서 동작되는 간단한 180$^{\circ}$ MMIC 위상변위기를 제안하였다. 제안된 회로는 1개의 Lange 커플러와 2개의 PIN 다이오드만으로 구성되어 있다. 2-6 GHz 대역에서 측정된 위상변위기는 최대 위상오차가 13$^{\circ}$이며 3.2 dB의 최대 삽입손실과 6.3 dB의 최소 반사손실을 보였다.
서로 대칭되는 이중 조명을 이용한 홀로그래피 네파간섭계를 구성하여 횡변위와 종변위를 동시에 측정하였다. 물체파와 재생파의 간섭을 일으킨 후 위상이동법으로 변위위상도를 작성하였으며 최소제곱법맞춤으로 위상도의 잡음을 제거하였다. 이러한 방법으로 네파간섭계의 두 광로에 존재하는 위성의 차와 합에 대한 정보를 구하였으며, 파장 632.8 nm인 헬륨-네온 레이저 광선에 대하여 종변위와 횡변위는 각각 정밀도 .lambda./40 및 .lambda./100 이내로 측정되었다.
본 논문에서는 4개의 다이오드 감쇠기, 비대칭 커플드 라인 커플러, 대칭 커플드 라인 커플러 및 전력 합성기를 이용한 벡터 모듈레이터형 광대역 아날로그 위상변위기를 구현하였다. 가격, 회로의 크기 및 수동소자의 수에 그 장점이 있는 간단한 구조를 제안하였다. P-I-N 다이오드 감쇠기의 감쇠량에 따른 위상변화를 수식적으로 표현하여, 전체회로를 최적화하였다. 제작된 위상변위기는 1 GHz~3 GHz주파수 대역에서 360$^{\circ}$위상변화를 나타내며, $\pm$8.2$^{\circ}$의 최대 위상 오차 및 16$\pm$2.5 dB의 삽입 손실을 나타내었다.
본 논문에서는 최근 실리콘 기반의 소자를 이용하여 microwave 대역에서 millimeter wave 대역까지 동작하는 위상 배열 시스템 개발에 관한 연구를 리뷰하고자 한다. 우선 위상 배열 시스템의 중요한 부품인 위상 변위기를 CMOS 공정을 이용한 설계 방법에 대해 논의한다. 그리고 수동형 위상 변위기를 송수신 모듈에 적용하여 한 채널에서 16 채널까지 확장하여 실리콘 칩에 구현을 하였다. 35 GHz 대역에서 동작하는 4 채널 송수신 칩은 200 mW 이하의 저전력 성능을 보여주었다. 또한, 44 GHz 대역에서 16 channel로 확장하여 송신 출력과 선형성을 향상시킬 수 있었다. 능동형 위상 변위기는 Ku band 대역에서 동작하는 2-antenna 4-beam 수신기에 적용하였다. 한 칩에서 4개의 서로 다른 방향의 신호가 존재함으로 신호 간의 커플링을 최소화 하는 방법을 소개하고, 이를 측정을 통해 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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