위상변이간섭법(phase-shifting interferometry)의 측정정도는 광원의 불안정성, CCD센서의 비선형성, 열팽창, 기계적 진동과 위상변이기(phase shifter)의 위치결정정도 등에 의해 영향을 받는다. 위상변이 간섭법에서 형상을 측정하기 이해 사용되는 이론적인 기준위상(theoretical reference phase)은 위상변이기의 이동오차와 광경로차에 변화를 주는 열팽창, 기계적 진동 등에 의해서 실제의 기준위상(actual reference phase)과 다르게 되고 이것은 측정에 심각한 오차를 야기시킨다. 이러한 종류의 위상측정오차를 제거하기 이해 본 연구에서는 최소자승법과 반복연산법을 사용하여 간섭무늬의 광강도로부터 직접 기준위상을 구하고, 이를 이용하여 위상을 산출하는 방법이 제안되었다.
3차원 위상변이 마스크의 단차 효과를 분석하기 위해 투명 경계조건, 주기적인 경계조건, 및 연속조건을 가진 경계요소법을 광 리소그래피 공정 시뮬레이션에 새로이 적용하였으며, 해석적인 해와 참고문헌의 결과와 비교함으로써 구현된 모듈의 정확성을 검증하였다. 또한, 기존의 rigorous coupled wave analysis에 의한 방법에 비해 수렴성과 계산 시간 측면에서 경계요소법을 이용하는 것이 더 효율적임을 확인하였다. 끝으로 비교적 간단한 위상변이 마스크와 다층-위상변이 마스크에 대한 최적 설계 과정을 기술하였다.
본 연구에서는 실시간 홀로그래피 간섭계(real time holographic interfero- metry ststem)를 구성하고 위상변이법과 디지탈 영상처리를 이용하여 물체 변형을 실 시간으로 자동 측정이 가능하도록 하였다. 한편 광학계 구성과 대상물체의 상태에 따른 오차 요인을 해석하기 위해서 외팔보를 대상물체로 하여 측정된 변형값과 이론값 을 비교하였다. 응용예로써는 터빈 블레이드(turbine blade)에 굽힘력이 가해질때 나타나는 미소변형을 측정하였다.
본 논문에서는 4변이 고정된 정사각형 알루미늄 평판의 진동 진폭을 측정하기 위하여, 기존의 위상 이동 ESP떼 스트로보스코프식 조사를 적용한 스트로보스코픽 ESPI 기법을 이용하였다. 일반적으로 시간평균 ESPI를 이용하면 진동하고 있는 대상체의 정성적인 진동 패턴을 측정할 수 있다. 그러나 시간평균 ESPI로는 진동하고 있는 대상체의 두께방향으로의 진폭량을 측정하기는 어렵다. 또한 일반적인 위상이동법을 적용시킬 경우, 대상체가 진동을 하게 됨으로써 정확한 진동 진폭을 측정하기 어렵다.(중략)
회절격자의 인접한 반주기 길이 사이에 음의 상관관계가 있는 회절격자 반주기의 랜덤 변이가 QWS-DFB 레이저의 특성에 미치는 영향을 유효 굴절률 전달 매트릭스 방법을 이용하여 해석하였다. 상관계수가 0에서 -1로 가까이 감에 따라 랜덤 변이에 의한 회절격자 주기의 오차가 감소하면서 단일모드 안정성과 파장 정확도의 저하가 덜 심각해진다. 이는 랜덤 변이의 크기가 같다면 상관관계가 없는 전자빔 lithography 법으로 회절격자를 만들기보다는 optical lithography 법으로 만드는 것이 회절격자 주기 랜덤 변이의 영향을 줄이는 데에 유리함을 의미한다. 그리고 전자빔 lithography를 이용하여 DFB 레이저를 만들 때에 랜덤 변이의 영향을 줄이려면 분해능을 높이거나, 인접 반주기 길이의 랜덤 변이에 음의 상관관계를 주어야 한다.
현대의 컴팩트 반도체 소자들은 정확한 품질검사를 위해 비파괴, 고분해능의 검사 장비가 요구되고 있다. 검사 장비 중 고분해능 적외선 대물렌즈와 적외선 센서로 구성된 초정밀 열영상 현미경은 반도체 내부의 결함에서 발생되는 국소적 열원의 위치와 깊이 정보를 얻는데 유용하게 활용되고 있다. 본 연구에서는 위 상잠금기법이 적용된 적외선열영상 현미경을 이용하여 다층구조로 된 반도체 소자 내부 열원의 위치와 깊이 정보에 대해 분석하였다. 시편은 내부에 3개의 열원을 포함한 TSV(through silicon via technology) 기반 4단 적층구조로서 측정 표면으로부터 열원의 깊이는 $240{\mu}m$이다. 본 실험에서는 위상잠금기법을 통해 시편 내부열원의 위치와 깊이를 정확히 찾을 수 있는 초점면 위치, 노출시간 그리고 위상잠금주파수 등 최적의 조건을 찾고 그 조건에서 적외선 대물렌즈와 시편의 거리 변화에 따른 위상 변이와 깊이 정보에 대한 영향을 알아보았다. 이와 같은 반도체 내부결함에 의한 열원의 위치와 깊이 분석에 대한 연구는 품질검사용 열영상 분석장비 개발에 큰 도움을 줄 것으로 예상한다.
최신(4GDRAM)의 MASK design에서는 전자기파의 산란에 의한 효과를 고려해 주는 것이 매우 중요하다. 이를 위하여 시간 영역에서의 요한 차분법을 도입하여 직접 마스크 함수를 계산하였다. 새롭게 도입한 마스크 함수를 사용함으로써 마스크와 렌즈의 효과뿐만 아니라, submicron 노광용 위상 변이 마스크의 식각된 옆벽에서의 산란효과를 정확하게 설명할 수 있었다. 산란효과를 줄이기 위해 변형된 마스크의 형태에 따른 특성을 살펴보았고, dual etch back에 의한 마스크 변형이 가장 좋은 공정 여유도를 제공함을 확인하였다.
두꺼운 Photoresist(PR)로 원기둥 모양을 만들고 이를 용융함으로써 미세렌즈 행렬을 제작하였다. 이 방법으로 직경 $25\mu\textrm{m}$, $50\mu\textrm{m}$, $100\mu\textrm{m}$의 렌즈를 만들고 전자주사현미경과 탐침형 표면측정기를 통해 그 모양을 확인하였다. 그리고 렌즈의 광학적 성능을 측정하기 위해 위상변이 간섭법을 사용하여 평행광의 렌즈 통과 후 파면을 구하였다. 여기서 기준 구면과의 파면오차를 구하여 렌즈 초점거리나 초점광도분포 등을 얻었다. 그 결과 직경 $100\mu\textrm{m}$, 초점거리 $164\mu\textrm{m}$의 미세렌즈는 초점의 spot 직경이 $25\mu\textrm{m}$보다 작은 것으로 측정되었다.
Maxwell 방정식을 효율적으로 풀기 위해 웨이브렛 행렬 변환(wavelet matrix transformation)과 경계요소법(Boundary Element Method)을 결합하는 방법을 제안하였으며, 2차원 위상변이 마스크(phase- shifting mask) 문제에 적용하였다. 계산 결과를 해석적인 해 및 참고문헌의 결과와 비교함으로써 구현된 모듈의 정확도를 검증하였으며, 제안된 방법이 경계요소법만을 적용한 경우에 비해 연산 시간과 메모리 사용 측면에서 효율적임을 확인하였다.
Particle Image Velocimetry(PIV) 및 Dual-mode Phase Doppler Anemometry(DPDA) 기법을 적용하여 소형 액체로켓엔진에 사용되는 인젝터의 분무특성 규명을 위한 연구를 수행하였다. PIV 측정법으로 순간평면 이미지를 획득하여 분무 거동을 정성적으로 예측하고, 분사각 관련 인젝터 성능평가 기법을 수렵하였다. 또, DPDA 측정법을 통해 액적의 속도와 크기 등의 분무거리에 따른 변이를 정량화하고, 인젝터의 미립화 성능을 관찰하였다. 본 연구의 궁극적인 목적은 분무특성에 대한 명확한 이해를 통해 개발하고자 하는 새로운 인젝터의 설계변수 도출 및 분무성능 평가기준을 마련하기 위함이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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