• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.548-548
• /
• 2013

태양전지 제작에서 도핑 공정은 실리콘 웨이퍼에 불순물 원자를 주입시켜 p-n 접합을 형성시키는 과정이다. 도핑 공정은 주로 3족 혹은 5족 원소를 사용한다. 기존의 도핑 공정 장치는 소성로 및 레이저 장비를 사용하여 생산단가가 높고, 웨이퍼의 전면 도핑이 힘들다는 단점이 있다. 하지만 플라즈마 제트를 사용한 도핑장치는 저가의 장비를 개발할 수 있고, 전면 도핑이 쉽다는 장점을 가진다. 또한 도핑 농도 및 깊이 조절, 높은 농도의 도핑이 가능하다는 기존 장비의 장점을 유지한다. 플라즈마 제트를 솔라셀 웨이퍼 위에 도포된 dopant material layer에 조사하면 주로 플라즈마와 dopant간의 열적인 반응에 의하여 doping이 된다. 도핑을 위한 플라즈마 제트는 전류량의 조절 및 조사하는 양에 따라서 도핑 온도를 쉽게 조절 가능하다. 본 연구에서는 챔버 내 Ar 가스를 채운 후 플라즈마를 생성시켜 방전 특성을 조사한다. 챔버 내 가스의 압력, 전극과의 거리, 전극의 형태 등 장치의 조건을 변화시켜 특성을 확인하고, 안정적인 플라즈마의 물성을 유지하기 위한 조건을 찾는다. 또한 일반 대기압에서 가스 유량변화, 전극과의 거리, 전극의 형태 등 조건에 따른 방전 특성 및 플라즈마 방출 특성을 조사한다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.20 no.1
• /
• pp.7-13
• /
• 2013

3D stacked IC is one of the promising candidates which can keep Moore's law valid for next decades. IC can be stacked through various bonding technologies and they were reviewed in this report, for example, wafer direct bonding and atomic diffusion bonding, etc. As an effort to reduce the high temperature and pressure which were required for high bonding strength in conventional Cu-Cu thermo-compression bonding, surface activated bonding, solid liquid inter-diffusion and direct bonding interface technologies are actively being developed.

• The KIPS Transactions:PartD
• /
• v.11D no.2
• /
• pp.461-470
• /
• 2004

As the semiconductor industrials change 200㎜-sized semiconductor wafer production process to 300㎜-sized one, it requires to develop the software for monitoring and simulating the robot which transfers a 300㎜-sized semiconductor wafer. Because such a software don't run at standalone but communicate MCS(Material Control System) and Its subsystem a robot, its architecture is very complex. Therefore, in order to develop such a software systematically, we must utilize an object-oriented development methodology. UML. This paper presents an UML process application developing the software for monitoring and simulating the robot which transfers a semiconductor wafer on the production process.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
• /
• 2012.06a
• /
• pp.74-76
• /
• 2012

반도체 공정은 웨이퍼를 제작할 때 오류가 발생할 경우 웨이퍼 전체를 사용하지 못하는 손실이 발생한다. 이로 인해 반도체 공정제어 소프트웨어는 높은 품질을 요구하고 있다. 반도체 공정제어 소프트웨어를 위한 테스트의 중요성도 높아졌다. 하지만 반도체 공정제어 공정제어 소프트웨어 테스트는 대상이 되는 프로그램에 따라 테스트 스크립트의 변화가 많다. 이로 인해 테스트 스크립트 작성의 비용이 높으며, 이미 작성된 스크립트의 재사용이 어렵다. 이러한 문제를 해결하기 위해 이 논문에서는 반도체 공정제어 소프트웨어를 위한 테스트 스크립트 생성과정과 생성된 스크립트의 재사용성을 높이기 위한 색인방법을 제안한다. 제안한 스크립트 생성과정은 반도체 공정제어에서 사용하는 일반적인 테스트 과정을 기반으로 스크립트 생성의 복잡도를 줄일 수 있다. 소프트웨어에 존재하는 함수의 수정으로 인한 스크립트 재사용성 불가 문제를 해결하기 위해 함수에 대한 정보를 색인하여 기존 스크립트의 재사용성을 높인다.

• Journal of Power System Engineering
• /
• v.5 no.1
• /
• pp.73-79
• /
• 2001

정전기력을 이용하는 마이크로가속도계 센서는 단결성 실리콘 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼의 기판에 절전재료 적층과 등방성 및 이방성 부식공정으로 제작한다. 마이크로가속도 센서 개발에는 3차원 미소구조체의 제작공정에서 가열 및 냉각공정의 온도구배로 야기되는 포핑업과 같은 열변형 해석이 최적 형상설계에 중요한 요건이다. 본 연구에서는 양자역학적 현상인 턴널링전류 원리로 승용차 에어백의 검침부 역할을 하는 마이크로가속도 센서의 제조공정에서 소착현상을 방지하는 부가 비임과 턴널갭의 FIB 절단가공과 백금 적층공정의 열적 거동을 해석한다. 마이크로머시닝 공정에서 온도의존성을 고려하여 연성해석하고 유한요소법의 상용코드인 MARC K6.1로 분석한 결과를 단결정 실리콘 웨이퍼로 가공하는 마이크로가속도 센서의 최적공정 및 형상설계를 위한 기초자료로 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
• /
• 2001.04a
• /
• pp.345-348
• /
• 2001

반도체에 이용되는 실리콘웨이퍼 생산에 있어 평탄도는 가장 중요한 요소 중 하나이다. 실리콘웨이퍼의 평탄도는 POLISHING이라는 공정과정을 통하여 측정하고 제어하고 있는데 현재 측정장비에서 보여주는 웨이퍼의 모양을 사람에 의해 제어하고 있어 경험이 필요하고 일일이 사람이 체크해야하는 번거로움이 있다. 따라서 평탄도가 시스템에 의해 자동적으로 측정되고 제어할 필요가 있다. 본 연구는 웨이퍼의 3차원 형상을 측정하여 보여주는 장비에서 이미지와 함께 나타나는 몇 개의 정량적인 항목을 이용하여 웨이퍼의 단면도를 추정하는 알고리즘을 제안함으로 평탄도가 자동으로 측정될 수 있도록 하였다. 이 알고리즘은 Spline보간법을 이용하였고 웨이퍼의 특정단면 뿐만 아니라 임의의 단면도도 추정할 수 있으며 수치실험을 통해 Lagrange보간법과 비교하여 그 효율성을 입증하였다.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.3 no.2
• /
• pp.74-80
• /
• 1994

Silicon direct bonding technology is very attractive for both silicon-on-insulator devices and sensor fabrication because of its thermal stress free structure and stability. The process of SDB includes hydration of silicon wafer and heat treatment in a wet oxidation furnace. After hydration process, hydroxyl groups of silicon wafer were analyzed by using Fourier transformation-infrared spectroscopy. In case of hydrophilic treatment using a ($H_{2}O_{2}\;:\;H_{2}SO_{4}$) solution, hydroxyl groups are observed in a broad band around the 3474 $cm^{-1}$ region. However, hydroxyl groups do not appear in case of diluted HF solution. The bonded wafer was etched by using tetramethylammonium hydroxide etchant. The surface of the self etch-stopped silicon dioxide is completely flat, so that it can be used as sensor applications such as pressure, flow and acceleration, etc..

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.16 no.4
• /
• pp.1-4
• /
• 2009

This work shows how the adoption of a dual-dicing process for silicon wafer separation affects the thermal-cycling reliability (i.e. $-65^{\circ}C$ to $150^{\circ}C$) of the semiconductor devices utilizing lead-on-chip (LOC) die attach technique. In-situ examinations show that conventional single-dicing process directly attacks the edge region of diced devices but dual-dicing process effectively protects the edge region of diced devices from dicing-induced mechanical damage. Probably, this is because the preferential and sacrificial fracture of notched regions induced on the active surface of wafers saves the edge regions. It was also investigated through thermal-cycling tests that the number of thermal-cycling induced failures is much lower at the dual-dicing process than the single-dicing process.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.16 no.9
• /
• pp.5748-5755
• /
• 2015

Scribing is cutting process to determine production amount and characteristic of LED chip. So it is an important process for fabrication of LED chip. Mechanical process and conventional scribing process with laser source has several problems such as thermal deformation, decreasing of material strength and limitation of cutting region. To solve these problems, internal laser scribing process that generates void in wafer and derives self-crack has been researched. However, studies of sapphire wafer cutting by internal laser scribing process for fabrication of LED chip are still insufficient. In this paper, cutting parameters were determined to apply internal laser scribing process for sapphire wafer for fabrication of LED chip. Then, foundation of cutting condition was established to set up internal laser scribing system through investigation of cutting characteristics by several experiments.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.08a
• /
• pp.82.2-82.2
• /
• 2013

반도체 및 디스플레이 소자를 생산 하기 위하여 다양하고 많은 공정 기술이 사용 되며 그 중에서 플라즈마를 이용하는 제조공정이 차지 하는 부분은 상당한 부분을 차지 하고 있습니다. 전체 반도체 공정 중 48%가 진공공정이며, 진공공정 중 68% 이상이 플라즈마를 이용하고 있으며, 식각과 증착 장비 뿐만 아니라 세정과 이온증착 에 이르기 까지 다양하며 앞으로도 더욱 범위가 늘어 날 것으로 보입니다. 이러한 플라즈마를 이용한 제조 공정들은 제품의 생산성을 향상 하기 위하여 오염제어 기술을 비롯한 공정관리기술 그리고 고기능 센서기술을 이용한 공정 모니터링 및 제어 기술에 이르기 까지 다양한 기술들을 필요로 합니다. 플라즈마를 이용한 제조 장비는 RF파워모듈, 진공제어모듈, 공정가스제어모듈, 웨이퍼 및 글래스의 반송장치, 그리고 온도제어 모듈과 같이 다양한 장치의 집합체라 할 수 있습니다. 플라즈마의 생성과 이를 제어 하기 위한 기술은 제조장비의 국산화를 위한 부단한 노력의 결실로 많은 부분 기술이 축적되어 왔고 성과를 거두고 있습니다. 그러나 고기능 모니터링 센서 기술 개발은 그 동안 활발 하게 이루어져 오고 있지 않았으며 대부분 외산 기술에 의존해 왔습니다. 세계 반도체 시장은 현재 300 mm 웨이퍼 가공에서, 추후 450 mm 시장으로 패러다임이 변화될 예정이며, 미세화 공정이 더욱 진행 됨에 따라 반도체 제조사들의 관심사가 "성능 중심의 반도체 제조기술"로부터 "오류 최소를 통한 생산성 향상"에 더욱 주목 하고 있습니다. 공정미세화 및 웨이퍼 대구경화로 인해 실시간 복합 센서를 이용한 데이터 처리 알고리즘 및 자동화 소프트웨어의 기능이 탑재된 장비를 요구하고 있습니다. 주식회사 레인보우 코퍼레이션은 플라즈마 Chemistry상태를 정성 분석 가능한 OES (Optical Emission Spectroscopy)를 이용한 EPD System을 상용화 하여 고객사에 공급 중이며, 플라즈마의 광 신호를 실시간으로 고속 계측함과 동시에 최적화된 알고리즘을 이용하여 플라즈마의 이상 상태를 감지하며 이를 통하여 제조 공정 및 장비의 개선을 가능하게 하여 고객 제품의 생산성을 향상 하도록 하는 기술을 개발 하고 있습니다. 본 심포지엄에서는 주식회사 레인보우 코퍼레이션이 개발 중인 "실시간 고속 플라즈마 광 모니터링 기술" 의 개념을 소개하고, 제품의 응용 범위와 응용 방법에 대하여 설명을 하고자 합니다.