Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 3 Issue 2
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- Pages.74-80
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- 1994
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
ANALYSIS OF THE EFFECT OF HYDROXYL GROUPS IN SILICON DIRECT BONDING USING FT-IR
규소 기판 접합에 있어서 FT-IR을 이용한 수산화기의 영향에 관한 해석
- Park, Se-Kwang (Dept. of Electronics Eng., Kyungpook Nat'l Univ.) ;
- Kwon, Ki-Jin (Dept. of Electronics Eng., Kyungpook Nat'l Univ.)
- Published : 1994.06.30
Abstract
Silicon direct bonding technology is very attractive for both silicon-on-insulator devices and sensor fabrication because of its thermal stress free structure and stability. The process of SDB includes hydration of silicon wafer and heat treatment in a wet oxidation furnace. After hydration process, hydroxyl groups of silicon wafer were analyzed by using Fourier transformation-infrared spectroscopy. In case of hydrophilic treatment using a (
Silicon direct bonding 기술은 잔류 응력이 없고, 안정한 특성을 가진 센서의 제작과 silicon-on-insulator 소자의 제조에 널리 이용되고 있다. SDB의 공정 절차는 크게 실리콘 웨이퍼의 수산화 공정 과정과 wet oxidation fumace에서 고온의 열처리 공정 과정을 거치게 된다. 수산화 공정을 행한 후, Fourier transformation-infrared spectroscopy를 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면을 분석하여 보면, 실리콘 웨이퍼의 표면에서는 수산화기가 생성됨을 알 수 있다. 실험 결과,
Keywords