RTP(Rapid Thermal Processing)은 IC제조 공정과 관련된 열처리 과정에 사용되는 단일 웨이퍼프로세스 기술이다. 반도체 웨이퍼를 고속 열처리할 때 웨이퍼별로 작은 반응실에서 가열, 가공, 냉각된다. 현재 사용되는 반도체 열처리장비는 고온로(furnace)에의해 대부분 이루어지지만, 시간이 많이 걸려서 주문형반도체 생산과 같은 다양한 종류의 웨이퍼를 소량 생산하는데는 부적절하다. 이에 매우 적은 시간이 소요되는 RTP장비가 많이 연구되고 있다. 그러나 RTP는 예기치 못한 몇 가지의 문제점을 일으킨다. 그중 하나는 웨이퍼 표면에 분포된 온도의 불 균일성이다. 이러한 불 균일성은 웨이퍼의 표면에 심각한 왜곡(distortion)을 일으켜 좋지 못한 결과를 가져오게 한다. 이번 논문의 목적은 RTP시스템을 수학적으로 모델링하고, 이를 이용하여 멀티 램프 시스템의 입력값을 조절하여 이미 배치된 램프에 대한 최적의 온도 균일도에 알맞은 각 램프입력을 구하여 램프 입력 프로파일을 만들고 또한 이를 이용하여 외란에 대한 PID 제어기 설계를 목표로 한다.
As the semiconductor industrials change 200㎜-sized semiconductor wafer production process to 300㎜-sized one, it requires to develop the software for monitoring and simulating the robot which transfers a 300㎜-sized semiconductor wafer. Because such a software don't run at standalone but communicate MCS(Material Control System) and Its subsystem a robot, its architecture is very complex. Therefore, in order to develop such a software systematically, we must utilize an object-oriented development methodology. UML. This paper presents an UML process application developing the software for monitoring and simulating the robot which transfers a semiconductor wafer on the production process.
Power semiconductor devices had been producted with bipolar only processes, but Bipolar-CMOS-DMOS(BCD) processes have been adapted recently to fabricate these devices since most foundry companies have provided BCD processes instead of Bipolar only processes. In this study, Regulator and OP Amp are used as most popular design IPs and BCD processes for the designing are converted from bipolar only processes. Power Switching Sensor(PSS) ICs are designed specifically and fabricated on a silicon chip. The operation results of the packaged chip show the good matching with test results of the simulation.
The Transactions of the Korea Information Processing Society
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v.5
no.7
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pp.1813-1828
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1998
본 논문에서는 기능별로 태스크를 설계하고 프로세스간 통신을 위하여 공유 메모리를 사용하여 wet station 모니터링 시스템을 구현한다. 롯트라는 반도체 웨이퍼 단위를 처리하기 위하여 레시피 명령을 설계하고 이 레시피에 의한 롯트의 배치 처리 과정을 모니터링하는 방법에 대하여 논한다. 설계된 태스크 및 레시피, 공유 메모리를 구현하여 실제 장비에 적용한 결과 각 태스크들이 레시피 명령에 따라 공유 메모리를 매개로 하여 배치 작업을 진행하였고 그 과정을 그래픽 화면을 통해 시각적으로 모니터링 할 수 있었다.
미쓰비시전기는 제3세대 16비트 D램을 비롯한 0.4$\mu$m이하의 디자인룰을 갖는 ULSI를 대상으로, 직경 200mm웨이퍼 프로세스기술을 포함한 제조기술을 개발하여, 일본 국내, 대만, 독일에 양산공장을 전개하였다. 생산성이 우수한 디바이스/프로세스기술을 기반으로 저비용의 청정실 건설, 급수 등을 포함한 동력설비, 공장 자동화(FA), 컴퓨터제어식 제조공정(CIM), 북이단지구에있는 미쓰비시전기의 반도ㅔ개발거점과 각 공장간을 맺는 정보네트워크, 나아가 제조장치에 대한 철저한 저발진화와 결함관리를 위해 동사의 기술을 결집하여 생산성이 매우 높은 반도체양산공장을 글로벌하게 전개하였다. 우선 태본공장 최첨단 반도체라인(KD동)을 아주 짧은 기간에 가동시키는 소위 ''수직기동''을 실현하였다. 다음에 태본공장 KD동을 ''마더(Mother)공장''으로 하여 그대로 기술이전하는 ''Copy Exactly''라는 방법으로 이들 기술을 세계적으로 전개한 결과 대만에 있는 합병회사인 PS(Powerchip Semiconductor corporation)와 독일에 있는 생산회사 MSE(Mitsubishi Semiconducter Europe, GmbH)에서도 최첨단 반도체공장의 수직기동에 성공하였다. 이 공장은 0.25$\mu$m이후의 제품에도 대응가능하며 태본공장 KD동은 64M비트 D램으로 제품을 전환해가고 있다. 그렇게 하여 이들 공장과 개발거점을 네트워크호하여 다국적 기업에 걸맞는 세계적인 ULSI의 양산체제를 구축하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.47-47
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1999
2.45 GHz 마이크로웨이브를 이용하는 electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition(ECR-PECVD)방법으로 다이아몬드성 탄소박막(diamond-like carbon, DLC)을 증착하였다. DLC 박막의 산업 응용을 위해서는 높은 경도와 밀착력이 필요하다. 그래서 본 실험에서는 DLC 박막의 산업 응용을 위하여 ECR-PECVD 방법으로 증착된 DLC 박막의 분석결과로부터 DLC 박막의 물성과 증착조건의 관계를 조사하였다. 기판으로는 실리콘 웨이퍼와 실험용 SUS 판을 사용하였다. 아르곤 가스를 주입하여 ECR 마이크로 웨이브 플라즈마와 negative DC bias로 기판을 플라즈마 세척한 후, 수소와 메탄가스를 반응기체로 하여 DLC 박막을 증착하였다. 박막 증착시에 13.56MHz RF 전원 공급장치로 기판에 전원을 공급하였다. DLC 박막 증착의 변수는 반응기체의 호합율, 마이크로웨이브 파워, 프로세스 압력 및 RF 전원공급장치에서 유도되는 negative self DC bias 등이다. 이때 사용된 반응기체의 혼합율(메탄/수소)은 10~50%이고, 수소 가스 흐름율은 100sccm, 메탄은 10~50sccm이다. 마이크로웨이브의 크기는 360~900W, negative self DC bias는 -500~-10 V였다. 그리고 본 실험에서는 높은 증착율을 고려하여 프로세스 압력을 10~30mTorr까지 조절하였다. ER-PECVD 방법으로 증착된 DLC 박막은 SEM으로 단면, $\alpha$-Step으로 두께, Raman 분광계로 탄소 결합구조, FTIR 분광계로 탄소와 수소 결합구조, Micro-Hardness로 경도 그리고 Scratch Tester로 밀착력 등을 분석하였다.
Simulations have been used to evaluate the efficiency of logistics or manufacturing systems and predict the outcomes of the systems. New simulation models are needed to evaluate new alternative plants and layouts during the resource design process. Although it is easy to handle minor changes in parameters by modifying a simulation model, it takes considerable time and effort for simulation modelers to alter the layout, which involves changes in many simulation sub-models. Therefore, this study proposes a method to transfer information in AutoCAD layout to the simulation model automatically. This study also defines a standard document as an Excel Form, and suggests a method to transfer information on the basic layouts, processes, resources, and workers to a simulation model automatically. A simulation tool, called Tecnomatix Plant Simulation 9.0, was used for this study. The proposed approach in this study was applied to a semiconductor wafer factory for a case study.
With the Fourth Industrial Revolution based on new technology, the semiconductor manufacturing industry researches various analysis methods such as detecting process abnormalities and predicting yield based on equipment sensor data generated in the manufacturing process. The semiconductor manufacturing process consists of hundreds of processes and thousands of measurement processes associated with them, each of which has properties that cannot be defined by chemical or physical equations. In the individual measurement process, the actual measurement ratio does not exceed 0.1% to 5% of the target product, and it cannot be kept constant for each measurement point. For this reason, efforts are being made to determine whether to manage by using equipment sensor data that can indirectly determine the normal state of each step of the process. In this study, the Functional Data Analysis (FDA) was proposed to define a process abnormality detection process based on equipment sensor data and compensate for the disadvantages of the currently applied statistics-based diagnosis method. Anomaly detection accuracy was compared using machine learning on actual field case data, and its effectiveness was verified.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.266-266
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2010
실리콘 나노잉크를 이용한 프린팅 공정을 적용하여 결정질 실리콘 박막을 제조하였으며, 다양한 공정조건에 따른 박막의 특성을 연구하였다. 기존의 실리콘 박막형 제조 기술은 고가의 진공프로세스이므로, 비진공 프린팅 공정의 대체를 통하여 박막 태양전지의 제조원가를 획기적으로 절감할 수 있다. 실리콘 나노입자는 저온 플라즈마를 사용하여 합성하였으며, 스핀코팅 (spin coating), 드롭핑 (dropping), 딥핑 (dipping) 등의 프린팅 공정을 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 박막을 형성하였다. 사용된 실리콘 나노입자는 10 ~ 50 nm 의 크기와 단결정 구조를 갖는다. 이러한 실리콘 나노입자는 Propylene Glycol 용매에 분산시켜 하부기판에 프린팅 하였다. 이렇게 증착된 나노입자들은 $600{\sim}1000^{\circ}C$의 온도와 다양한 분위기에서 열처리되어 고밀도화 되었다. 제조된 실리콘 박막의 물성 분석은 SEM, EDX, 그리고 X-ray 회절 측정을 통하여 수행되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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