• Title/Summary/Keyword: 원자확산

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The Analysis of Electron Transport Coefficients in Kr and Xe Atom Gas (Kr과 Xe 원자기체의 전자수송계수의 해석)

  • Jeon, Byung-Hoon
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.22 no.8
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    • pp.104-108
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    • 2008
  • Accurate sets of electron collision cross sections and the electron transport coefficients for atoms and molecules are necessary for quantitative understanding of plasma phenomena Kr and Xe atom are used in many industrial applications, such as in PDP and fluorescent induction lamps(FILs). Therefore, we analysed and calculated the electron transport coefficients, the electron drift velocity W, the longitudinal and transverse diffusion coefficient $ND_L$ and $ND_T$, and the ionization coefficient $\alpha$/N in pure Kr and Xe gases over the wide E/N range from 0.001 to 500[Td] at 1[Torr] by two-tenn approximation of the Boltzmann equation.

Application of Fractal Geometry to Interfacial Electrochemistry - I. Diffusion Kinetics at Fractal Electrodes

  • Shin Heon-Cheol;Pyun Su-Il
    • Journal of the Korean Electrochemical Society
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    • v.4 no.1
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    • pp.21-25
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    • 2001
  • This article is concerned with the application of the fractal geometry to interfacial electrochemistry. Especially, we dealt with diffusion kinetics at the fractal electrodes. This article first explained the basic concepts of the Sacral geometry which has proven to be fruitful for modelling rough and irregular surfaces. Finally this article examined the electrochemical responses to various signals under diffusion-limited reactions during diffusion towards the fractal interfaces: The generalised forms, including the fractal dimension of the electrode surfaces, of Cottrell, Sand and Randles-Sevcik equations were theoretically derived and explained in chronoamperomety, chronopotentiometry and linear sweep/cyclic voltammetry, respectively.

Formation of Induced Anisotropy in Amorphous Sm-Fe Based Alloy Thin Films (비정질 Sm-Fe계 합금 박막의 유도자기이방성 형성)

  • 송상훈;이덕열;한석희;김희중;임상호
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.8 no.5
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    • pp.261-269
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    • 1998
  • Induced anisotropy with the energy of $6{\times}10^4\; J/m^3$ is obtained in amorphous Sm-Fe based thin films which are fabricated by rf magnetron sputtering under a magnetic field of 500~600 Oe. Compared with conventional thin films, the anisotropic thin films exhibit a similar "saturation" magnetostriction, but show a very large anisotropy in magnetorstiction which is of significant practical importance due to increased strain at a particular direction. It is shown from a systematic investigation over a wide composition range for binary Sm-Fe alloys that anisotropy is also induced, though small, during a normal sputtering procedure due to the stray field, and the largest anisotropy is observed in the composition range of 25~30 at.% Sm. Furthermore, induced anisotropy is also found to be formed by magnetic annealing, but the anisotropy energy is much smaller than that by magnetic sputtering. This may be because the volume diffusion by which atoms move during magnetic annealing to from induced anisotropy is much slower than the surface diffusion which is expected to be a dominant factor during magnetic sputtering.puttering.

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Growth and Interdiffusion Behavior of Copper MOCVD Films on Au/Si(100) Substrates (Au/Si(100)기판상에서 Cu-MOCVD 박막의 성장과 상호확산거동)

  • Kim, Jeong-Yeol;Lee, Yeong-Gi;Park, Dong-Gu;Jo, Beom-Rae
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.7 no.8
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    • pp.668-678
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    • 1997
  • Si(100)기판상에 여러 가지 두께의 Au박막을 선행 증착(pre-deposition)한 후, 각각의 Au박막상에서의 Cu-MOCVD박막의 초기 핵생성과 성장 기구를 고찰하였고, 또한 각 계면에서의 상호 확산 거동을 여러가지의 분석 장비를 이용하여 조사하였다. 30$\AA$두께의 Au 박막은 수소 가스 분위기중의 열처리에 의하여 평탄한 표면 상태에서 불연속의 응집된 도상(island)형태로 변화(Si 전체 표면중 약 20%)하였다. 반면에 1500$\AA$두께의 Au박막상에서 성장한 Cu-MOCVD박막은 두께 증가에 따른 미세구조의 차이, 즉 Cu박막중으로 Au원자의 확산여부는 Au박막에 유기되는 열응력(thermal stress)을 완화하는 과정에서 일어난 결과이다.

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IMPLEMENTATION OF A SECOND-ORDER INTERPOLATION SCHEME FOR THE CONVECTIVE TERMS OF A SEMI-IMPLICIT TWO-PHASE FLOW ANALYSIS SOLVER (물-기체 2상 유동 해석을 위한 Semi-Implicit 방법의 대류항에 대한 이차정확도 확장)

  • Cho, H.K.;Lee, H.D.;Park, I.K.;Jeong, J.J.
    • 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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    • 2009.04a
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    • pp.290-297
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    • 2009
  • A two-phase (gas and liquid) flow analysis solver, named CUPID, has been developed for a realistic simulation of transient two-phase flows in light water nuclear reactor components. In the CUPID solver, a two-fluid three-field model is adopted and the governing equations are solved on unstructured grids for flow analyses in complicated geometries. For the numerical solution scheme, the semi-implicit method of the RELAP5 code, which has been proved to be very stable and accurate for most practical applications of nuclear thermal hydraulics, was used with some modifications for an application to unstructured non-staggered grids. This paper is concerned with the effects of interpolation schemes on the simulation of two-phase flows. In order to stabilize a numerical solution and assure a high numerical accuracy, the second-order upwind scheme is implemented into the CUPID code in the present paper. Some numerical tests have been performed with the implemented scheme and the comparison results between the second-order and first-order upwind schemes are introduced in the present paper. The comparison results among the two interpolation schemes and either the exact solutions or the mesh convergence studies showed the reduced numerical diffusion with the second order scheme.

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Development of protection coating material on the surface of insulation tiles of space vehicle (우주선용 고온 절연체의 표면 코팅 재료 개발)

  • 김영채;문세기
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.5 no.4
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    • pp.370-377
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    • 1995
  • The recombination of oxygen and nitrogen atoms on the surfaces of two coating m materials of the Space Shuttle Orbiter (SSO), a reaction cured glass (RCG) and a spinel (C742), was investigated. The recombination probability, $\gamma$, i.e., the probability that atoms im p pinging on the surface will recombine, was measured in a diffusion reactor. Value of $\gamma$ for oxy g gen atom on C742 ($3 {\times} 10^{-2}$) was much higher than that on RCG ($4 {\times} 10^{-4}$) at the tempera t ture of SSO re-entry (ca. 1000K). The higher value of $\gamma$ on C742 indicates a higher number d density of active sites than RCG. It suggests the possibility of designing less active surfaces by i inducing the desorption at lower temperature.

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리튬이온전지용 탄소기반 음극재의 리튬저장능력 향상을 위한 나노구조체 설계에 관한 연구

  • Kim, Han-Bin;Lee, Myeong-Hun;Kim, Yeon-Won;Kim, Dae-Yeong;Gang, Jun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.137-137
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    • 2018
  • 이 연구에서는 리튬이온전지용 음극 활물질의 리튬이온 저장 용량을 최적화시키기 위한 새로운 방법이 제안되었다. 그 방법은 솔루션 플라즈마 프로세스를 사용하여 원자 단위의 리튬을 탄소 기반 물질의 내부에 도핑 시키고, 열처리를 통해 그 내부를 재설계하는 것이다. 리튬이온전지용 음극 활물질로 리튬금속 자체를 사용하려는 시도는 있었으나, 이는 충전 및 방전 사이클이 반복됨에 따라 리튬이 수지상으로 석출되어 내부를 단락시키거나, 리튬금속 자체의 폭발성에 의한 취급상의 제약이 있었다. 한편, 원자 단위로 탄소 내부에 도핑 된 리튬은 열처리 과정 동안 탄소 내부에서 확산함으로써 더 많은 리튬이 저장될 수 있는 공간을 만들었고, 사이클이 반복됨에 따라 서서히 충전 및 방전 반응에 참여함으로써 전지의 성능을 개선시켰다. 리튬이 도핑 된 탄소의 전기화학적 테스트 결과를 Fig. 1에 나타내었다. 실험 결과에서 보여진 초기 고용량 및 장기 사이클 특성은 탄소 내부에 도핑 된 리튬이 전지 성능의 향상에 중요한 역할을 한다는 것을 시사한다. 또한, 사이클이 반복됨에 따라 점차 증가하는 용량은 첫 사이클에서 형성된 solid electrolyte interphase의 비가역 용량을 보상할 수 있을 것으로 생각된다. 이상의 결과를 통해, 탄소 내부에 원자단위의 리튬을 도핑시키는 새로운 접근은 리튬이온전지의 성능 개선을 위한 효과적인 방법이 될 수 있을 것으로 보이며, 향후 리튬 이외의 다른 원소들, 즉 소듐과 같은 물질에 대하여 도핑을 시도한다면 새로운 분야에서 이와 같은 접근법이 유용하게 적용될 수 있을 것으로 사료된다.

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A Study an Optimal Design of the On-line Chemical Process System for the AMBIDEXTER Operating with the molten Th-U-Pu salt mixture Fuel (Th-U-Pu 혼합 용융염핵연료 AMBIDEXTER 원자로 시스템의 온라인 핵연료 용량 최적화 설계에 관한 연구)

  • 이영준;김진성;유영진;오세기
    • Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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    • 2002.11a
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    • pp.81-87
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    • 2002
  • 원자로계통 전체가 원자로 용기안에 일체형으로 내장되었으며 열ㆍ에너지 수송회로와 물질ㆍ방사선 수송회로가 각각 분리, 혼합된 복합 원자력에너지시스템인 250MW$_{th}$ 실증로급 AMBIDEXTER (Advanced Molten-salt Break-even Inherently-safe Dual-missioning Experimental and TEst Reactor)는 부의 핵연료 반응도로 인한 고유안전성과 핵확산 방지, 폐기물 감축, 핵연료 경제성 및 자원 이용의 효율성을 갖춘 원자로로서 현재 아주대학교에 서 개념 설계중이다.(중략)

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교번성장법을 이용해 성장한 InN/GaN 박막의 구조적, 광학적 특성 평가

  • Lee, Gwan-Jae;Jo, Byeong-Gu;Lee, Hyeon-Jung;Kim, Jin-Su;Lee, Jin-Hong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.472-472
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    • 2013
  • 본 논문은 InN와 GaN를 교대로 증착하는 교번성장법을 이용해 제작한 4주기 InN/GaN 박막의 구조적, 광학적, 특성을 X-ray diffraction, Atomic force microscopy, Transmission electron microscopy과 저온 Photoluminescence (PL) 장비를 사용하여 분석한 결과를 보고한다. Fig. 1은 4주기 InN/GaN박막의 XRD 스펙트럼으로 GaN(0002)와 InN(0002)의 회절 신호를 관찰할 수 있다. 그러나 두 피크뿐만 아니라 InN와 GaN 사이에 구분이 되지 않은 추가 신호를 확인할 수 있다. 추가신호는 InN와 GaN 계면에서 발생하는 상호확산 확률로서 해석할 수 있다. Fig. 2는 다양한 조건에서 성장한 InN/GaN 시료의 PL스펙트럼으로 방출 파장은 각각 1,380, 1,290, 1,280, 1,271, 1,246 nm로 측정되었다. 성장 조건 변화에 따른 발광특성 변화를 박막에서 III족 원자 특히, In 원자의 성장 거동에 따른 구속준위(Localized states) 변화로 논의할 예정이다.

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