Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2018.06a
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pp.123-123
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2018
최근 웨어러블 디바이스에 연구가 집중되면서 투명하고 유연한 마이크로 히터의 필요성이 증가되고 있다. 그럼에도 불구하고, 기존의 사용되는 마이크로 히터들은 딱딱하고 불투명하다. 게다가, 기존의 금속성의 마이크로 히터들의 경우 저항이 너무 작아 웨어러블 디바이스에 사용되는 에너지 하베스터로 구동되기에 효율이 떨어지는 경향이 있다. 이 논문에서 우리는 CVD 방식으로 성장된 그래핀으로 열 발생 라인을 패시베이션 레이어로 h-BN을 이용하여 투명하고 유연한 마이크로 히터를 제작하였다. 제작한 마이크로 히터는 균일한 온도 분포와 200도까지의 온도 상승에 걸리는 시간이 4초 정도로 굉장히 좋은 성능을 보유하고 있다. 또한 소비 전력은 39mW 이하로 효율적이다. 또한 기존의 메탈릭 히터에 비해 저항이 굉장히 높기 때문에 웨어러블 에너지 하베스터로 작동하기 적합하다. 또한 미래의 휴대용/웨어러블 개인 전자기기와 무선 헬스케어 제품, 휴대용 환경 센서에도 적용될 것으로 기대한다.
트렌치 애노드 컨택을 설계하여 순방향 전압강하를 감소시키는 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제안하였다. 애노드 내부에 트렌치를 설계하여 제안된 소자의 표면 애노드 컨택은 메탈 일 함수(metal work function)가 높은 Pt와 형성되며, 트렌치 애노드 컨택은 메탈 일 함수가 낮은 Au와 형성된다. 제안된 소자의 전기적 특성을 검증하기 위하여 2차원 수치 해석 시뮬레이션을 수행하였고, AlGaN/GaN 혜테로 접합 구조 위에 제작 및 측정하였다. 제안된 소자는 복잡한 공정 추가 없이 제작되며 $100A/cm^2$에서의 순방향 전압 강하는 0.73V로 기존 소자의 1.25V보다 우수한 특성을 보였다. 제안된 소자의 온 저항은 $1.58m{\Omega}cm^2$로 기존 소자의 온 저항 $8.20m{\Omega}cm^2$ 보다 낮은 장점을 가진다.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.5
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pp.2375-2380
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2013
In this paper, we have implemented the unified fuel heater and performance evaluation system for diesel cars. In order to strengthen an engine starting of diesel car, we need to assembly the fuel filter and heater. Especially, this assembly fuel heater is very important in winter, it is necessary for heating to operate the diesel engine. The heater for unifying the sensor and heater body can advance the performance of car and reduce the production cost. Finally, the performance test chamber is needed to evaluate the performance of heater.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.138-138
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2008
Ti capping layer를 이용하여 NiGe의 열적 안정성을 향상시키는 연구를 수행하였다. N-type Ge(100) 기판에 30nm 두께의 Ni과 30nm 두께의 Ti capping layer를 E-beam evaporator를 이용하여 증착하고 $300^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$ 까지 30초간 $N_2$ 분위기에서 급속 열처리하여 Ni-Germanide를 형성하였다. XRD의 결과로부터 Ti capping layer 유무에 상관없이, 전 온도 범위에 걸쳐 NiGe 상이 형성된 것을 관찰할 수 있었다. 급속 열처리 온도에 따른 면저항 값을 측정한 경우, $300^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$까지의 열처리 온도 범위에서는 모든 시편들이 비슷한 면저항 값을 보인 반면, 열처리 온도가 $700^{\circ}C$ 이상에서는 Ti capping layer가 있는 시편이 Ti capping layer가 없는 시편보다 낮은 면저항 값을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 이는 고온 열처리 시 Ti capping layer에 있는 Ti가 기판 방향으로 확산하여 NiGe grain boundary에 segregation 되고 그로 인하여 NiGe의 grain boundary 움직임을 억제하여 agglomeration 현상을 효과적으로 방지하였기 때문에 나타난 현상으로 사료된다.
In this paper, we propose SC-SJ(Shielding Connected-Super Junction) UMOSFET structure in which p-pillars of conventional 4H-SiC Super Junction UMOSFET structures are placed under the shielding region of UMOSFET. In the case of the proposed SC-SJ UMOSFET, the p-pillar and the shielding region are coexisted so that no breakdown by the electric field occurs in the oxide film, which enables the doping concentration of the pillar to be increased. As a result, the on-resistance is lowered to improve the static characteristics of the device. Through the Sentaurus TCAD simulation, the static characteristics of proposed structure and conventional structure were compared and analyzed. The SC-SJ UMOSFET achieves a 50% reduction in on-resistance compared to the conventional structure without any change in the breakdown voltage.
In this study, the electrical characteristics of Symmetric and Asymmetric High Voltage MOSFET(HV-MOSFET) under high temperature were investigated. And, the specific on-resistance, threshold voltage, transconductance, drain current of the HV-MOSFETs were measured over a temperatures range of 300K ${\leq}$ T ${\leq}$400K. From the result of measured data, specific on-resistance increases slightly with increasing temperature. Especially, at high temperature(at 400K) specific on-resistance was increased about 30% than that in room temperature. And, in high temperature condition (at 400K), drain current was decreased about 30%, Also, transconductance(gm) was decreases with increasing temperature.
Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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v.20
no.5
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pp.35-43
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2016
In order to understand rotation behavior of high strength steel endplate connections under fire, this study is compared with existing studies conducted using FEA program. Eurocode 3 presents the three failure modes according to the prediction of bending resistance moment. The parameters of analysis model are temperature, thickness and steel materials of endplate. The rotation stiffness, and bending resistance moment are analyzed according to the parameters. The change of rotation stiffness and bending resistance moment are analyzed about the parameters, regression equations are suggested the change of high strength steel endplate connections. Consequently, the regression equations were proposed as the linear and quadratic equation. The moment ratio of high strength steel under fire was more reduced than the carbon steel, and was small effect about the thickness. When the high strength steel under fire was compared with at ambient temperature, the slope of initial rotation stiffness reduced, the increment ratio of moment was slow, and the change of plastic rotation stiffness wasn't effect by the thickness increase.
There are various methods to evaluate tree vigor. Cambial electrical resistance represents tree vigor using the method of electrophysiological diagnosis. This study investigated the vigor of several tree species using Shigometer, and compared the differences among the species. The factors, such as foliation, trunk orientation and bark temperature, which affect electrical resistance were also investigated. The needle penetration into cambium was controlled to keep the depth consistent in order to minimize measurement error. Each of three trees were selected from Zelkova serrata, Ginkgo biloba, Metasequoia glyptostroboides, Pinus koraiensis, and Liriodendron tulipifera. The electrical resistances were measured at 60 and 120 cm height of the stem in 4 directions from March until May 2011. The soil conditions in surrounding areas and tree stress responses were also measured. The results were analyzed for the relationship between electrical resistance and the affecting factors. The electrical resistance showed a relatively higher level before foliation until mid-March. The values started to decline from April and recorded a minimal level on May 11. The changes of soil moisture, soil electric conductivity, and tree stress responses during the measurement period showed a similar trend to that of electrical resistance. The Pinus koraiensis, an evergreen conifer, showed few changes on the electrical resistance values during the measurement period. Zelkova serrata, Ginkgo biloba, and Metasequoia glyptostroboides showed the highest bark temperatures and lowest electrical resistances at their south-facing stem. Shigometer can provide measures simple to assess tree vigor in the fields, and to the management of trees.
인공위성의 성능을 최대화 하고 긴 운용 수명을 확보하기 위해 부품들의 온도를 특정 범위로 유지 시키는 것은 매우 중요며 이를 위한 온도 모니터링 시스템은 필수적이다. 온도 모니터링 방법은 온도에 따라 저항이 변하는 Thermistor를 이용하는 방법과 출력 전류가 변하는 반도체 센서(AD590)를 이용하는 방법으로 나눌 수 있다. Thermistor의 경우 매우 정밀하게 온도를 모니터링 할 수 있지만 넓은 측정 범위에 대해서는 비선형성 가진다는 단점을 가진다. 이에 반해 반도체 센서의 경우 오차가 크지만 넓은 측정 범위에 대해서도 선형성을 가진다는 장점을 가진다. 본 논문에서는 특정 구간에 대해서 정밀한 온도 모니터링이 필요한 곳에 적용되는 Thermistor를 이용한 온도 모니터링 시스템의 측정 Mechanism에 대해서 고찰한다. 측정 Mechanism의 고찰은 온도에 따른 이산화 된 출력을 내주기 위해 사용되는 Thermistor, Current Source, A/D Converter 등의 하드웨어 적인 부분뿐만 아니라 출력된 값을 이용해 물리적인 온도로 변환시키는데 사용되는 Gain Offset, Calibration Curve 등의 소프트웨어 적인 부분도 포함한다. 또한 하드웨어와 소프트웨어적인 설계 변수를 조절함으로서 온도 모니터링 시스템의 측정범위를 개선하는 방안에 대해 고찰한다. 이렇게 본 논문에서 고찰한 Thermistor를 이용한 저궤도 위성용 온도 모니터링 시스템의 측정범위 개선 방안은 추후 인공위성에 적용되는 온도 모니터링 시스템의 설계에 Design Guide Line을 제시할 것이라고 판단한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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