• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.678-678
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• 2013

은 나노선은 투명 금속전극으로 저온 공정이 가능하고, 플랙서블 기판에 사용 가능하여 다양한 분야의 응용 소재 연구가 진행 중에 있다. 본 연구에서는 전면 전극으로 은 나노선을 스프레이 코팅하고, 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO)을 sputter로 증착하였다. 광 경로를 길게 하기 위해 AZO 기판을 수열합성법을 통해 산화아연 나노선을 성장하였다. 은 나노선 전극 기판과 산화아연 나노선이 성장된 기판의 광 투과도를 분석하기 위해 UV-visible을 이용하였으며, FE-SEM, AFM을 이용하여 각 기판의 형상을 분석하였다. 은 나노선은 500 nm 파장영역에서 투과도 86.93%, 면저항 16 ${\Omega}/{\square}$보였다. ITO 기판보다 400~600 nm 영역에서 헤이즈가 증가되는 것을 확인 할 수 있었다. 산화아연 나노선이 성장된 기판을 이용하여 P3HT:PCBM 블랜딩된 유기 태양전지를 제작하여 전기적 특성 및 효율을 평가하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제5권4호
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• pp.400-405
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• 1992

활성화 반응성 증착법으로 비저항 1.7*$10^{-3}$-8.0*$10^{-3}$ohm.cm, 전하운반자 농도 3.4*$10^{19}$-2.8*$10^{20}$$cm^{-3}$, 이동도 12-23$cm^{2}$/V.s, 금지대역 폭 3.35eV인 In/sib 2/ $O_{3}$박막을 KBr과 실리카 기판에 성장시켰다. 광투과율은 가시광선 영역에서 80% 이상을 나타냈으며 적외선 영역에서도 양호한 특성을 나타냈다. 박막성장시는 비정질 상태였으나 150.deg.C 이상에서 열처리했을 때 결정화현상이 관찰되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.640-640
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• 2013

본 연구에서는 유리 기판과 Si 기판에 Ag-doped ZnO 나노로드를 수열합성법을 이용하여 성장하였다. ZnO는 UV 영역에서 exciton 발광을 하며, 가시광선에서도 발광을 하는 것으로 알려져 있다. 그리고 Ag 금속은 입자형태로 ZnO 박막에 도포되었을 때 UV영역의 발광 세기를 강화시킨다는 사실이 알려져 있다. 이러한 내용을 바탕으로 ZnO 나노로드 합성 용액에 Ag powder의 양을 변화시켜 첨가하고, 유리와 Si기판을 넣고 80도에서 30분간 성장하였다. XRD, XPS를 통해 구조적 특성 변화를 보았고 SEM을 통해 나노로드의 형태를 확인하였다. 또한 PL, 투과도 측정을 통해 Ag 도핑에 따른 광학적 특성 변화를 확인하였다. SEM 측정으로 샘플의 단면을 확인한 결과 Ag 도핑 농도에 따른 차이가 거의 없음을 알았다. ZnO 나노로드가 성장된 유리 기판은 본래의 유리기판보다 투과도가 높았으며, Ag를 많이 첨가할수록 투과도가 낮아졌다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.103-103
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• 2010

저밀도 양자점은 단일 광자 소자의 활성층으로 주목받고 있다. 단일 광자 소자의 연구를 위 해서는 단일광자를 측정하는 것이 필수적이며, 실리콘을 이용한 측정장비를 사용하는 것이 효율적이고 가격면에서 유리하다. 따라서, 일반적으로 적외선 영역에서 발광파장을 가지는 In(Ga)As/GaAs 양자점보다는 800nm보다 짧은 파장영역에서 발광특성을 가지는 양자점을 사용하는 것이 필수적이다. 본 연구에서는 AlGaAs 물질 위에 S-K 성장방법을 이용하여 InAs 양자점을 성장하였고, 그 발광특성을 분석하였다. 저온에서 측정한 PL 결과, InAs 양자점이 없는 시료의 경우 GaAs 기판에 의한 발광특성만 보이는데 비해, 양자점이 있는 시료는 740nm와 788nm에서 추가적인 발광특성을 보이는 것을 알 수 있다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.304-311
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• 2020

본 연구는 식물공장 요소 기술의 표준화를 위하여 LED 광원의 광강도에 따른 식물의 성장변화와 최적 LED 광강도 범위를 확인하였다. 1400 lx와 1600 lx 영역에서 비교적 안정적인 성장을 확인하였고 광강도 증가에 따라 성장과 둔화가 반복되며 성장을 지속하지만, 잎의 성장이 없으면 웃자라는 현상과 함께 성장은 둔화하는 것이 확인되었다. 400 lx에서 800 lx까지의 성장 특징은 실험 기간 어느 정도 성장이 지속하였지만, 웃자라는 현상은 7일까지 유지되었고, 잎이 성장하지 않아 일간 평균 성장차가 현저히 낮아진다는 것을 확인하였다. 1,000 lx에서 1,400 lx까지의 성장은 광강도가 높아짐에 따라 잎의 성장과 일별 성장이 확인되었고 성장증가와 성장둔화가 반복되는 것이 확인되었다. 1,600 lx와 1,800 lx는 1,400 lx 영역과 유사한 성장을 보였지만, 잎의 성장은 높았다. 그러나 1,800 lx에서는 1,400 lx보다 높은 성장을 보였고, 시간 경과에 따라 성장이 둔화하는 것이 확인되었다. 또한, 광강도가 강할수록 광원으로부터 발산되는 열로 인하여 식물 주변의 온도상승이 수반되어 잎의 열화현상이 발생한다. 이러한 실험 결과를 토대로 식물의 성장에 따른 재배 트레이의 공간설정과 재배용 광원과의 거리 조절이 필요하며, 광원의 최대강도 사용에 따른 재배공간의 능동적인 공기조화 계획이 필요하다.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송공학회 2015년도 하계학술대회
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• pp.310-311
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• 2015

최근 스마트폰등 ICT기반의 전자제품들이 보편화 되면서 무인항공기에 적용 가능한 전자기술들이 급속히 개발되어, 항공 기술과 ICT 기반 전자 기술이 융복합되어 무인항공기는 군용위주의 활동 영역을 넘어 민간분야에서 까지 활발히 진출하고 있다. 현재까지는 전통적인 항공 선도 업체들이 군용무인기 중심의 고가의 무인기를 생산하여 시장을 장악하였으나, 이제는 공공 및 민간영역에서 무인기를 상업화하기 위한 기업들이 등장하고 있어 민수영역에서 무인기 시장은 급성장세에 있다. 국내의 무인기 기술은 기술혁신과 시장창출 주도가 가능한 선진권 수준이며, 무인기의 핵심인 ICT기반 전자부품 기술은 세계 최고의 수준으로 두 분야의 기술을 융복합화하여 경쟁력 있는 무인기 개발을 신속히 진행하면, 전 세계적으로 성장하는 무인기 개발 시장은 우리에게 새로운 성장 동력이 될 수 있다. 자율비행, 상황인식 및 회피 기능 등 미래 무인기 선도기술을 개발하고, 국산화지연 또는 외국의 수출제한 품목에 대한 국산화 개발 및 핵심 부품의 국산 경쟁력 강화를 통하여 무인기 산업의 고부가가치를 창출할 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권4호
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• pp.480-492
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• 1996

Al이 2 wt% 포함되어 있는 Zn 금속 target을 사용하여 반응성 직류 magnetron sputtering법으로 AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 투명전도막을 제막하였다. 반응성 가스인 산소의 분압과 유량을 조절하여 투과율과 전도도가 모두 우수한 전이영역을 발견하였고 전이영역을 안정적으로 유지하기 위한 증착조건을 찾아냈다. ZnO:Al막의 XRD분석결과 산화막이나 전이영역에서 증착된 막들은 ZnO결정의 (002)면의 peak가 유일하게 관찰되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.175-175
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• 2010

이전 연구에서는 사파이어 기판 위에 이종에피성장 방법으로 성장한 높은 인듐 조성의 극박 InGaN/GaN 다층 양자우물 구조를 이용한 근 자외선 (near-UV) 영역의 광원에 대하여 보고하였다. 본 연구에서는 HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법을 이용하여 성장된 free-standing GaN 기판 위에 유기금속 화학증착법 (MOCVD) 을 이용하여 GaN 동종에피박막과 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물을 성장하였고 그 특성을 분석하였다. Free-standing GaN 기판은 표면 조도가 0.2 nm 인 평탄한 표면을 가지며 $10^7/cm^2$ 이하의 낮은 관통전위밀도를 가진다. Freestanding GaN 기판 위에 성장 온도와 V/III 비율을 조절하여 GaN 동종에피박막을 성장하였다. 또한 100 nm 두께의 동종 GaN 박막을 성장한 후에 활성층으로 이용될 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물구조를 성장하였다. Free-standing GaN 기판 위에 성장된 GaN 동종에피박막과 다층 양자우물구조의 표면 형상은 주사 탐침 현미경 (scanning probe microscopy, SPM) 을 이용하여 관찰하였고 photoluminescence (PL) 측정과 cathodoluminescence (CL) 측정을 통하여 광학적 특성을 확인하였다. 사파이어 기판 위에 성장된 2 um 의 GaN을 이용하여 성장된 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물의 결함밀도는 $2.5 \times 10^9/cm^2$ 이지만 동일한 다층 양자우물구조가 free-standing GaN 기판 위에 성장되었을 경우 결함 밀도는 $2.5\;{\times}\;10^8/cm^2$로 감소하였다. Free-standing GaN 기판의 관통전위 밀도가 $10^7/cm^2$ 이하로 낮기 때문에 free-standing GaN 기판에 성장된 높은 인듐 조성의 다층 양자우물구조의 결함밀도가 GaN/sapphire 에 성장된 다층 양자우물의 결함밀도 보다 감소했음을 알 수 있다. Free-standing GaN 기판에 성장된 다층 양자 우물은 성장온도에 따라 380 nm 에서 420 nm 영역의 발광을 보이며 PL 강도도 GaN/sapphire 에 성장한 다층 양자우물의 PL 강도 보다 높은 것을 확인할 수 있다. 이것은 free-standing GaN 기판에 성장된 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물구조의 낮은 결함밀도로 인하여 활성층의 발광 효율이 개선된 것임을 보여준다.

• 대한치과의사협회지
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• 제47권10호
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• pp.637-646
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• 2009

양성 종양(benign tumor)을 언급하기에 앞서 과오종(hamartoma) 및 과다 형성(hyperplasia)과의 차이를 구분할 필요가 있다. 양성 종양은 기원조직과 유사한 조직이 이상 증식하는 것으로 서서히 성장하지만 일반적으로 치료하기 전까지 이상 증식을 지속하는 진성 신생물을 일컫는다. 이에 비해 과오종은 정상 조직이 무질서하게 과증식하는 것으로 일정기간 후에는 성장을 멈추기 때문에 진성 신생물로 간주하지 않는다. 그러나 일부 과오종이 양성 종양에 포함되기도 하는데, 예를 들어 치아종은 정상적인 치성 조직의 성장이 완료되는 시기와 거의 동일한 시기에 성장을 멈추지만 양성 종양으로 분류된다. 과다 형성은 조직의 세포가 정상적인 배열 양상을 보이면서 세포의 수가 증가하는 것으로 지속적인 성장 양상을 보이지만 그 성장이 제한적이므로 양성 종양과는 구별된다. 양성 종양은 일반적으로 무통성으로 서서히 성장하기 때문에 종양의 크기가 증가하여 안면 종창이나 동통 등을 유발하는 경우에 발견될 수 있으며, 방사선검사에서 우연히 발견되기도 한다. 방사선검사는 병소의 위치, 범위, 특징 및 병소와 인접 해부학적 구조와의 관계 등 많은 방사선학적 진단 정보를 제공한다. 일부 종양은 방사선사진에서 매우 특징적인 소견을 나타내기 때문에 방사선학적 소견으로 예비 진단을 할 수 있을 정도의 진단정보를 제공하기도 하는 반면 어떤 종양들은 방사선사진에서 관찰되는 소견이 매우 유사하여 진단에 어려움을 주기도 한다. 따라서 종양의 확진을 위해서는 생검이 필수적이며, 방사선검사는 반드시 생검에 앞서 진행되어야만 정확한 방사선학적 진단을 할 수 있다. 양성 종양은 각각의 특징적인 방사선학적인 소견을 나타내지만 일반적으로 관찰되는 양성 종양의 특징이 존재하므로 이러한 일반적인 특징을 관찰하여 병소가 양성인지 악성인지를 감별할 수 있다. 첫째, 양성 종양은 대개 호발하는 부위가 있으므로 종양의 발생부위는 감별 진단을 하는 데 매우 중요하다. 일반적으로 치성 병소는 치아가 형성되는 하악관 상방의 치조돌기에서, 혈관성 및 신경성 병소는 하악관 내에서, 연골성 종양은 하악과두와 같이 연골세포가 잔존되어 있는 부위에서 발생하는 경우가 많다. 둘째, 양성 종양은 대체로 명확한 경계와 피질골성 변연을 보이며, 종종 병소가 결체조직으로 둘러싸여 있어 병소 주위에 방사선투과성 띠가 관찰되기도 한다. 셋째, 양성 종양은 일반적으로 인접 주위 조직에 압력을 가하면서 서서히 성장하기 때문에 인접 치아의 변위 또는 흡수, 피질골의 비박, 팽융 등의 소견을 보이며 피질골의 천공은 드물다. 방사선학적으로 양성 종양의 병소 내부는 방사선투과상으로 관찰되거나, 방사선불투과상으로 관찰되거나, 방사선투과상과 방사선불투과상이 혼재된 상으로 관찰된다. 저자는 이 지면에서 이러한 방사선학적 특징을 기초로 하여 구강악안면영역에 발생하는 양성 종양을 분류하고 각각의 특징에 대해 살펴보고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.68-68
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• 2000

펄스레이저 증착법(이하 PLD)을 이용하여 마이크로파 유전체 소자 및 절연 산화막으로의 응용을 위한 MgTiO3 박막을 다양한 기판상에서 증착하였다. 사파이어 기판에 (a,c-plane Al2O3) 성장된 MgTiO3 박막은 에피텍셜 성장(epitaxial growth)이 되었으며, SiO2/Si 및 Pt/Ti/Si 기판위세 성장된 MgTiO3 박막의 경우 003방향으로 배향(oriented) 되었다. MgTiO3 박막은 450~75$0^{\circ}C$까지 기판온도를 변화시키면서 증착시켰으며, 증착시 산소분압은 50~200 mTorr로 변화시켰다. PLD 증착시 타켓에 조사된 레이저 에너지 밀도는 약 2J/cm2였으며, MgTiO3 박막 증착후 200Torr O2 분위기에서 상온까지 1$0^{\circ}C$/min 의 속도로 냉각시켰다. 사파이어 c-plane 상에서 일머나잇(ilminite) MgTiO3 구조가 55$0^{\circ}C$ 에피텍셜 성장하는 것을 관찰할 수 있었으며, 사파이어 a-plane 상에서는 MgTiO3 구조가 $650^{\circ}C$ 이상부터 110방향으로 배향되며 성장하였다. $600^{\circ}C$ 이상에서 c-축으로 배향된 구조를 갖고 있었다. 증착된 MgTiO3 박막의 조성분석(stoichio metric analysis)을 위해 RBS 분석을 수행하여, 증착에 이용된 타켓과 동일한 조성을 갖는 MgTiO3 박막이 성장된 것을 확인할 수 있었다. 사파이어 기판상에 증착된 MgTiO3 박막은 가시영역에서 투명하였으며, 약 270nm 파장을 갖는 영역에서 급격한 흡수단을 보였다. 이때의 MgTiO3 박막은 AFM 분석을 통해 약 0.87mn rms roughness 값을 갖는 매우 평탄한 표면구조를 갖고 있는 것을 확인하였다. MIM(Pt/MgTiO3/Pt) 구조의 캐패시터를 형성시켜 MgTiO3 박막의 유전특성(dielectric properties)을 관찰하였다. PLD로 성장된 MgTiO3 박막의 유전율(relative dielectric constant)은 약 22였으며, 1MHz에서 약 1.5%의 유전손실(dielectirc loss) 값을 보였다. 또한 이때 MgTiO3 박막은 낮은 유전분산값을 보였다.