• 제목/요약/키워드: 열처리조건

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Observation of defects in DBSOI wafer by DLTS measurement (DLTS 측정에 의한 접합 SOI 웨이퍼내의 결함 분석)

  • Kim, Hong-Rak;Kang, Seong-Geon;Lee, Seong-Ho;Seo, Gwang;Kim, Dong-Su;Ryu, Geun-geol;Hong, Pilyeong
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 한국재료학회 1995년도 추계 학술발표 강연 및 논문개요집
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    • pp.23-24
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    • 1995
  • 기존의 웨이퍼 박막속에 절연박막이 삽입된 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼 구조와 관련한 반도체 기판 재료가 커다른 관심을 끌어 왔으나, SOI 평가기술은 아직까지 체계적으로 확립된 것이 없으며, DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy) 등을 이용한 전기적 평가는 거의 이루어지지 않은 상태이다. 본 연구에서는 직접접합된 웨이퍼를 약 10um내외의 활성화층을 형성시킨 6인치 P-형 SOI 웨이퍼를 제작하여 DLTS로 측정, 평가를 하였고, DLTS 측정후 관찰될 수 있는 에어지 트랩(Energy Trap)과 후속 열처리에서의 트랩의 변화등을 관찰하여, 후속 열처리조건에 따른 접합된 SOI 웨이퍼 계면의 안정화된 조건을 확보하였다.

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티타늄 실리사이드 박막의 형성과정에 대한 연구

  • Lee, Jung-Hwan;Lee, Sang-Hwan;Gwon, O-Jun
    • ETRI Journal
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    • 제11권4호
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    • pp.50-56
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    • 1989
  • 초고집적 반도체 제조에 널리 쓰이고 있는 티타늄 실리사이드 박막의 형성 조건에 따른 특성을 분석하였다. 실리콘 웨이퍼 위에 티타늄 박막을 스퍼터링 방식으로 증착하고, 급속 열처리(RTA) 방식으로 실리사이드화 온도 및 시간을 변화시켰다. 박막의 깊이에 따른 조성변화를 측정하기 위하여 AES 및 RBS 분석을, 결정구조의 분석을 위하여 XRD를, 전기적 특성을 평가하기 위하여 4-point probe로 면저항($R_s$)을측정하였다. 열처러 온도가 $500^{\circ}C$에서 부터 티타늄과 실리콘의 혼합이 일어나기 시작하여, $600~700^{\circ}C$에서는 거의 대부분의 티타늄이 2배 정도의 실리콘과 $Tisi_2$ 형성에 필요한 조성을 이루었으나, 반도체 공정에서 목표로 하는 전기전도성을 가지는 C54 $Tisi_2$ 결정구조를 형성하기 위해서는 $700^{\circ}C$이상에서 30초 이상의 열처리 조건이 필요하였다. 특히 열처리전에 이입되기 쉬운 산소 및 질소 등이 티타늄과 실리콘의 혼합과 실리사이드 결정화에 중요한 영향을 미치며, 이를 방지하기 위하여 티타늄 표면을 비정질 실리콘으로 덮은 경우에 C54 $Tisi_2$의 형성이 쉽게 이루어지는 효과가 관찰되었다.

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Secondary Recrystallization Behavior in Mechanically Alloyed ODS NiAI (기계적 합금화한 ODS NiAI의 이차 재결정화 거동)

  • Eo, Sun-Cheol
    • Korean Journal of Materials Research
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    • 제6권12호
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    • pp.1248-1256
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    • 1996
  • Ni 및 AI단원소 분말을 혼합하여 attrition mill을 사용하여 분위기 속에서 기계적 합금화 NiAI 기 산화물 분산강화 금속간화합물을 제조하였다. 제조된 분말은 여러 가지 다른 미세조직을 얻기 위하여 각기 다른 공정으로 열간성형을 하였으며, 연이어 이차 재결정 조직을 얻기 위한 가공열처리(thermomechanical treatment)를 실시하였다. 이차 재결정이 일어날 수 있는 선수조건으로서의초기 미세조직과 가공열처리와의 상관관계를 조사하였다. 정상 결정립 성장의억제와 접합조직의 존재가 이차 재결정을 일으키기 위한 필요조건으로 판명되었다. 이 재료에 있어서, 잔류 변형에너지를 공급할 수 있고 결정립을 미세화 할 수 있는 특정 공정하에서 항온 열처리 후 이차 재결정이 생성됨을 알 수 있었다.

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고온초전도 BSCCO 2223상 형성시 나타나는 여러 가지 이차상들이 선재의 임계전류에 미치는 영향(토요일)

  • 박성창;김철진;유재무;고재웅;김영국
    • Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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    • 한국결정학회 2003년도 춘계학술연구발표회
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    • pp.24-24
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    • 2003
  • 고온초전도 BSCCO 2223 ((Bi, Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O/sub x/) 선재의 특성을 향상시키기 위해서는 반복적인 인발 및 압연과정을 통한 texturing향상, BSCCO 2223입자의 배향성 증대, 피복재내 초전도체의 충진율(밀도)향상, 이차상의 부피분율 감소등이 이루어져야 한다. 최적 열처리 조건을 통하여 열처리 시에 형성되는 이차상인 (Bi,Pb)₂Sr₂CuO/sub y/ (2201, amorphous phase)를 조절하면서, (Ca,Sr)₂CuO₃ (2/1 AEC), (Ca,Sr)/sub 14/Cu/sub 24/O/sub 41/ (14/24 AEC)와 같은 이차상들의 부피분율 및 크기를 감소시켜야만 한다. 본 실험에서는 BSCCO 2223 선재의 특성을 향상시킬수 있는 최적의 열처리 조건 확립 및 기계적 공정시 나타나는 여러 가지 문제점을 개선하여 높은 임계전류를 가지는 선재의 특성을 분석하고자 하였다. 최종적으로 제조된 선재는 2223상 결정이 피복재(Ag)와 평행하게 길게 성장하며, AEC상의 크기와 부피분율이 감소할수록 더 높은 임계전류특성을 나타내었다(I/sub c/~70A, J/sub c/~42,000 A/㎠). 또한 이 선재에서 나타나는 여러 가지 이차상들을 분석하기 위하여 XRD, SEM, EDS 분석을 행하였다.

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Electrical Properties of ${Ba_{0.5}}{Sr_{0.5}}{TiO_3}$Thin Film with Various Heat Treatment Conditions (다양한 열처리 조건에 따른 ${Ba_{0.5}}{Sr_{0.5}}{TiO_3}$박막의 전기적 특성)

  • 손영국
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • 제38권5호
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    • pp.492-498
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    • 2001
  • Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$TiO$_3$타겟을 이용 Pt/Ti/SiO/Si 기판 위에 R.F magnetron sputtering 방법으로 BST 박막을 증착하여 다양한 열처리 조건에 따른 BST 박막의 전기적 성질(정전용량, 누설전류)에 대해 박막의 결정성과 미세구조의 연관성에 대하여 연구하였다. BST 박막의 유전상수는 grain size에 영향 받으며, 열처리 온도가 증가할수록 유전상수는 증가함을 보였고 온도에 따른 누설전류는 저전압 영역에서는 Hopping conduction, 고전압 영역에서는 Schottky conduction mechanism을 따르는 것으로 나타났다.

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Effect of annealing on the electrical and optical properties of ZTO/GZO double-layered TCO films deposited by DC, RF magnetron co-sputtering (DC, RF 마그네트론 코스퍼터링법으로 증착한 ZTO/GZO 투명전도성막의 열처리 조건이 박막의 물성에 미치는 영향)

  • Kim, Min-Je;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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    • pp.207-208
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    • 2012
  • GZO( Ga-doped ZnO) 및 ZTO (zinc tin Oxide) 박막을 DC, RF magnetron sputtering 공정을 이용하여 증착한 후, 대기 및 진공상태에서 200, $300^{\circ}C$ 조건으로 30분 동안 열처리하였다. ZTO/GZO 박막의 전기적 특성은 ZTO 층과 GZO 층의 두께 비에 의존함을 확인 할 수 있었다. 본 연구에서는 GZO단일 박막과 ZTO/GZO double layer 박막의 열처리 온도에 따른 구조적, 전기적, 광학적 특성을 비교검토 하였다.

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Effects of Heat Treatment on Antioxidant Activity of Hydrolyzed Mung Beans (녹두 가수분해물의 항산화활성에 미치는 열처리 효과)

  • Kim, Min Young;Lee, Sang Hoon;Jang, Gwi Yeong;Kim, Hyun Young;Woo, Koan Sik;Hwang, In Guk;Lee, Junsoo;Jeong, Heon Sang
    • Korean Journal of Food Science and Technology
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    • 제45권1호
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    • pp.34-39
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    • 2013
  • This study was performed to investigate the antioxidant activity of mung beans with heat treatment at $130^{\circ}C$ for 2 h after acid hydrolysis. The browning index of heating after hydrolysis was 2.31 whereas heating before hydrolysis was 0.17. 5-hydromethyl-2-furaldehyde (5'-HMF) content was the highest value of 81.61 mg/g in heating after hydrolysis. The highest total polyphenol content (55.95 mg/g) occurred in heating after hydrolysis and this value was 6.4-fold higher than that of heating before hydrolysis (8.79 mg/g). 2,2'-azino-bis-3-ethylbenzothiazoline-6-sulfonic acid (ABTS) radical scavenging activity was the highest value of 22.19 mg AA eq/g sample in heating after hydrolysis whereas heating before hydrolysis was 1.75 mg AA eq/g sample.1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl (DPPH) radical-scavenging activity was the highest value of 3.64 mg Trolox eq/g sample in heating after hydrolysis whereas heating before hydrolysis was not shown. These results suggest that heat treatment of mung beans for increasing the antioxidant activity could be effective after hydrolysis.