• 대한방사선협회지
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• 제29권1호
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• pp.6-11
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• 2003

목적 : 전신방사선조사(TBI)시 균등한 선량을 조사할 목적으로 사용되는 각 신체부위별 보상체(compensator) 두께의 결정은 열형광선량계(TLD)를 이용하여 표면선량(surface dose)을 측정하고, 심부선량(depth dose)으로 환산하는 방법을 주로 이용한다. 그러나 이와 같은 방법은 골(bone) 조직에 대한 선량감쇠(dose attenuation)의 영향이 고려되지 않아 신체중심부에서의 정확한 심부선량을 알 수가 없다. 이에 본 연구

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권9호
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• pp.1-6
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• 2009

본 논문에서는 음극 및 양극으로 동시에 열 방출을 수행할 수 있는 이중 방열 구조의 Gunn 다이오드를 제작하고 음극 방열 구조를 갖는 Gunn 다이오드와 그 특성 차이를 비교하였다. 제작된 다이오드의 DC 특성 측정 결과, 단일 방열 구조의 경우에는 3 V의 문턱전압과 744 mA의 최대 전류 및 4.8 V의 항복 전압 특성을 나타내었고, 이중 방열 구조 다이오드는 2.5 V의 문턱전압, 778 mA의 최대 전류 및 5 V 이상의 항복전압 특성을 나타내었다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2004년도 추계 기술심포지움 초록집
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• pp.30-30
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• 2004

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 하계학술발표회
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• pp.104-105
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• 2001

• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제28권1호
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• pp.9-17
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• 2008

An experimental investigation has been carried out to study the effects of different working fluids on the behavior and thermal performance of a hi-directional thermodiode. The thermodiode was made up of two rectangular loops mounted between a collector plate and a radiator plate. Rotatable joints between the horizontal and inclined segments of the loops enable easy alteration of the direction of heat transfer. The loops and the tank were filled with a working fluid for effective heat transfer when the thermodiode was forwarded biased. Six different working fluids were tested with thermal conductivity values ranging from 0.1 to $0.56W/m-^{\circ}C$, thermal expansion coefficient values ranging from $1.8\;{\times}10^{-4}$ to $1.3\;{\times}\;10^{-3}\;K^{-1}$, and kinematic viscosity values ranging from $0.65\;{\times}\;10^{-6}$ to $100\;{\times}\;10^{-6}\;m^2/s$. Especially, mixtures of $Al_2O_3$ (30nm Particle) in deionized water have been tested for the volumetric ratios of 0.01, 0.02, 0.03, 0.1, 0.2%. Each experiment was carried out after the loop was filled with a working fluid for effective heat transfer and the thermodiode was forwarded biased. The solar thermodiode was heated by a radiant heater consisting of 20 halogen lamps that generated a heat flux of about $1000\;W/m^2$ on the collector surface. Results are given in terms of temperature development in different parts of the loop as heat is delivered from its hot end to the surrounding atmosphere by the radiator made of copper plates.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.487-493
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• 1997

SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{\times}10^3V/{\textrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{\circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.

• 한국광학회지
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• 제9권3호
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• pp.186-190
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• 1998

직경이 10mm인 유리관의 외벽을 금으로 코팅하여 반사체로 사용되고 최대 출력이 140W인 레이저 다이오드바 (laser diode bar) 3개를 여기 광원으로 이용한 고출력 Nd:YAG 레이저를 설계 제작하였다. 레이저봉의 지름은 6mmdlqu 길이는 130mm이다. 투과율이 11%인 출력경과 전반사경을 사경하여 선형공진기를 구성하고 연속발전시켰을 때 약 130W의 Nd:YNG 레이저 연속출력을 얻었으며 이 때 측정된 기울기 43%, 광변환 효율은 31%에 도달하였다. 레이저빔의 빔질인자(beam quality factor)M2는 최대 다이오드 츨력에서 약85로 관측되었으며 레이저 발진시에 측정한 열렌즈 초점거리의 역수와 여기광의 출력비는 5.3∼7.4D/kWpump 이었다.

• 한국진공학회지
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• 제17권6호
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• pp.555-559
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• 2008

순방향 전압-온도 (forward voltage-temperature)법을 이용하여 양자점 레이저 다이오드의 접합온도를 측정하였다. 식각 깊이가 깊은 mesa 구조의 경우 입력전류에 대한 접합온도의 증가율은 0.05 K/mA인 반면, 식각 깊이가 낮은 mesa 구조의 경우 0.07 K/mA로서 상대적으로 높게 측정되었다. 깊은 mesa 구조에서의 상대적으로 낮은 접합온도 증가율은 mesa 측면 방향으로의 열확산 효과 때문인 것으로 설명된다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제2권1호
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• pp.33-40
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• 1989

낮은 에너지(60KeV) 비소 이온주입으로 고종도의 얇은 표면층을 형성시켜 Pt-nSi 쇼트키 다이오드의 유효 장벽높이를 감소시켰다. 역방향 특성을 크게 저하시키지 않고 순방향 임계전압을 400mV에서 200mV로 낮추는데 필요한 이온주입량은 얇은 산화막(215.angs.)이 존재하는 상태에서 비소 이온주입을 한 경우는 9.0*$10^{12}$$cm^{-2}$이고, 산화막이 없는 상태에서 이온주입한 경우는 5.1*$10^{12}$$cm^{-2}$이었다. 이온주입후 열처리 조건은 900.deg.C에서 30분간 N$_{2}$분위기에서 행하였으며 얇은 산화막을 통한 이온주입으로 다이오드의 역방향 특성을 개선하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2006년도 추계학술발표논문집
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• pp.133-134
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• 2006

본 논문에서는 ITO/Glass 기판에 스핀 코팅법(Spin Coating)과 열 증착법(Thermal Evaporation)을 이용하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/Li/Al 구조를 갖는 청색 고분자 유기전계발광소자를 제작하였다. 청색 고분자 유기발광다이오드 제작시 ITO 전극을 $O_2$ gas를 이용한 Plasma Treatment와 Heat Treatment를 실시하여 기판처리가 제작된 소자의 전기, 광학적 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Plasma와 Heat Treatment를 동시에 처리한 소자에서 가장 우수한 전기, 광학적 특성을 나타냈으며, 기판처리를 하지 않은 경우는 전기, 광학적 특성은 크게 감소하였다.