Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD (대한전자공학회논문지SD)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Fabrication of GaAs Gunn Diodes With A Double Heat Sink

이중 방열 구조를 갖는 GaAs 건 다이오드 제작

  • Kim, Mi-Ra (Millimeter-wave INnovation Technology research center (MINT), Dongguk University) ;
  • Rhee, Jin-Koo (Millimeter-wave INnovation Technology research center (MINT), Dongguk University) ;
  • Chae, Yeon-Sik (Millimeter-wave INnovation Technology research center (MINT), Dongguk University) ;
  • Lim, Hyun-Jun (Millimeter-wave INnovation Technology research center (MINT), Dongguk University) ;
  • Choi, Jae-Hyun (Agency for Defense Development) ;
  • Kim, Wan-Joo (Agency for Defense Development)
  • 김미라 (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터) ;
  • 이진구 (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터) ;
  • 채연식 (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터) ;
  • 임현준 (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터) ;
  • 최재현 (국방과학연구소) ;
  • 김완주 (국방과학연구소)
  • Published : 2009.09.25
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Abstract

We fabricated Gunn diodes with a double heat sink which has anode heat sink as well as cathode heat sink for efficient heat dissipation. We compared the DC characteristics of a double heat sink diode with a conventional cathode heat sink Gunn diode. It was shown that the Gunn diode with a single heat sink has the threshold voltage of 3 V, the peak current of 744 mA and the breakdown voltage of 4.8 V. Also, the Gunn diode with a double heat sink showed the threshold voltage of 2.5 V, the peak current of 778 mA and the breakdown voltage over 5 V.

본 논문에서는 음극 및 양극으로 동시에 열 방출을 수행할 수 있는 이중 방열 구조의 Gunn 다이오드를 제작하고 음극 방열 구조를 갖는 Gunn 다이오드와 그 특성 차이를 비교하였다. 제작된 다이오드의 DC 특성 측정 결과, 단일 방열 구조의 경우에는 3 V의 문턱전압과 744 mA의 최대 전류 및 4.8 V의 항복 전압 특성을 나타내었고, 이중 방열 구조 다이오드는 2.5 V의 문턱전압, 778 mA의 최대 전류 및 5 V 이상의 항복전압 특성을 나타내었다.

Keywords

References

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