In CMP for semiconductor wafer films, the acceptable within-chip planarity, within-wafer and wafer-to-wafer nonuniformity could be achieved by conditioning. The role of conditioning is to remove continuously polishing residues from pad and to maintain the initial pad surface pores. To reach these requirements, the diamond grits disk has been considered as a conventional conditioner. However, we have investigated many defects as scratch on wafers out of diamond grits shedding, contaminations from bonding materials, and pad pore subsidences by over-conditioning. So, this paper studies the effect of ultrasonic vibration in CMP conditioning as a representative. The effect of ultrasonic vibration was certified through ILD, Metal CMP.
Chemical Mechanical Polishing(CMP) has been accepted as one of the essential processes for VLSI fabrication. However, as the polishing process continues, pad pores get to be glazed by polishing residues, which hinder the supply of new slurry. This defect makes removal rate decrease with a number of polished wafer and the desired within-chip planarity, within wafer and wafer-to-wafer nonuniformity are unable to be achieved. So, pad conditioning is essential to overcome this defect. The eletroplated diamond grit disk is used as the conventional conditioner, And alumina long fiber, the .jet power of high pressure deionized water and vacuum compression are under investigation. But, these methods have the defects like scratches on wafer surface by out of diamond grits, subsidences of pad pores by over-conditioning, and the limits of conditioning effect. To improve these conditioning methods. this paper presents the Characteristics of Ultrasonic conditioning aided by cavitation.
Chemical Mechanical Planarization(CMP) has been accepted as the most effective processes for ultra large scale integrated (ULSI) chip manufacturing. However, as the polishing process continues, pad pores get to be glazed by polishing residues, which hinder the supply of new slurry. And pad surface is ununiformly deformed as real contact distance. These defects make material removal rate(MRR) decrease with a number of polishied wafer. Also the desired within-chip planarity, within wafer non-uniformity(WIWNU) and wafer to wafer non-uniformity(WTWNU) arc unable to be achieved. So, pad conditioning in CMP Process is essential to overcome these defects. The eletroplated or brazed diamond conditioner is used as the conventional conditioning. And. allumina long fiber, the jet power of high pressure deionized water, vacuum compression. ultrasonic conditioner aided by cavitation effect and ceramic plate conditioner are once used or under investigation. But. these methods arc not sufficient for ununiformly deformed pad surface and the limits of conditioning effect. So this paper focuses on the characteristics of diamond conditioner which reopens glazed pores and removes ununiformly deformed pad away.
본 논문에서는 두께 0.25 mm의 알루미늄 포일 (foil)을 이용해 나노기공 알루미나 주형을 만들었다. 우선 알루미늄 포일 표면의 유기물을 제거한 후, 전해연마 방법을 이용하여 표면을 매끄럽게 하였다. 또, 양극산화를 통해 알루미늄 표면에 나노기공을 형성하였다. 나노기공 알루미나($Al_{2}O_{3}$) 주형 위에 Polymethyl methacrylate (PMMA)를 얇게 도포하여 나노기공 사이로 침투시킨 후 주형을 제거하여 나노기둥인 PMMA를 얻었다. 이것을 나노임프린트 리소그라피 기법을 이용하여 태양전지의 N-type 물질로 맏이 사용되는 티타니아 ($TiO_2$)의 면적을 넓게 할 수 있다.
본 논문에서는 초기 산화 피막의 형성이 전기화학적 방법을 이용한 다공성 알루미나 막 제작에 미치는 영향을 살펴보았다. 다공성 알루미나 막의 제작은 전해 연마된 알루미늄 포일을 사용하여 두 치체의 양극산화 과정을 통해 이루어졌으며 양극산화 시초기 산화 피막이 알루미나 막 표면의 기공구조형성에 미치는 영향을 알아보고자 일차 양극산화 전 1 V의 낮은 전압으로 약 10nm두께의 산화 피막을 형성하였다. 이후 옥살산 용액 안에서 40V의 전압으로 양극산화 과정을 수행한 결과 양극산화 반응은 매우 안정적이었으며 측정된 양극산화 전류 역시 일정하게 유지됨을 알 수 있었다. 이와 달리 초기 산화 피막이 형성되지 않았을 경우 양극산화 과정은 매우 불안정하였으며 양극산화 과정동안 전류가 계속적으로 증가함을 보였다. 이러한 결과를 통해 알루미늄 포일 표면에 초기 산화 피막을 형성함으로써 전기장의 불균일한 분포에 의해 발생하는 표면 손상을 방지하며 안정적인 양극산화 과정을 통해 다공성 알루미나 산화 막을 제작할 수 있음을 확인하였다.
유연하고 얇은 0.025 mm와 0.2 mm의 두께를 지닌 알루미늄 포일을 사용하여 다공성 알루미나 막을 제작하였다. 알루미늄 포일들은 에탄올/과염소산 용액에서 전해연마하여 표면처리를 하였으며, 0.3 M의 옥살산 용액 안에서 양극산화 시켰다. 양극산학 시용액의 온도는 $9^{\circ}C$로 유지시켰으며, 전극에 가해주는 전압을 0.4와 40 V 사이에서 변화시킨 후, 형성된 알루미나 막의 표면을 주사전자현미경으로 관찰하였다. 관찰 결과, 장시간의 양극 산화 시 사용되는 전압의 크기가 1 V 이상일 경우 강한 전기분해 반응으로 인해 생성된 산화막 표면이 파괴되어 있음을 확인할 수 있었다. 반면 1 V 이하로 처리할 경우, 장시간에 걸쳐 안정적으로 양극산화시킬 수 있음을 알 수 있었다. 이 실험을 통해 얇은 알루미늄 포일의 경우 두꺼운 알루미늄 판과 달리 장시간의 양극산화를 통해 다공성 알루미나 막을 형성하기 위해선 1 V 이하의 낮은 전압이 요구되는 것을 확인할 수 있었다.
자주포 또는 원자로와 같은 두꺼운 실린더는 압력용기 내부에 유익한 잔류 압축응력을 유도하여 작용압력과 피로수명을 증가시키도록 자긴 가공되고 있다. 자긴가공도가 증가하면 구멍에서 압축잔류응력의 크기도 증가한다. 본연구의 목적은 ASME 코드에 의해 적용된 Kendall 모델을 이용하여 고강도 SCM440 강의 정확한 잔류응력을 예측하는 것이다. SCM440 후육실린더의 내부에 유압이 적용되고 30% 변형률까지 자긴 가공하였다. 자긴가공된 시편은 전해연마하고 X-ray 회절법을 이용하여 정확한 잔류응력을 산출하도록 하였다. 그리고 주사전자현미경을 이용하여 자긴가공에 의해 소성변형된 표면층을 분석하였다. 측정한 잔류응력과 계산된 결과를 비교하여 약간의 차이는 있으나 비교적 서로 잘 일치하고 있다.
조선 후기 3대 명필로 지칭될 만큼 독자적 서풍을 창안한 창암(蒼巖) 이삼만(李三晩)(1770~1845)은 '법고(法古)'를 중시하였는데, 한위대(漢魏代) 서예를 근본으로 하고, 동국진체(東國眞體)를 완성한 원교(圓嶠) 이광사(李匡師)를 마음의 스승으로 삼아 수련하였다. 만년에는 올바른 필법 전수를 위해 『창암서결(蒼巖書訣)』을 저술하여 보편적 서예의 기본원리와 자신의 서예관을 피력하였다. 창암(蒼巖)이 지향하는 서체는 해서(楷書) 근골(筋骨)의 확립을 통한 초서(草書)로 완결된다. 이를 위해 한위(漢魏)의 서체를 전범(典範)으로 제안하였는데, 온후간원(穩厚簡遠)한 한위근골(漢魏筋骨)은 무위자연적(無爲自然的) 무법(無法)의 경지를 보여준다. 이로 보아 창암(蒼巖) 서예론의 핵심이자 궁극적 지향점은 '자연(自然)'임을 알 수 있다. 이는 법의 극치에 이르러 다시 무법(無法)으로 돌아가는 것으로, 여기에서 음양(陰陽)이 생성되고 형(形)·세(勢)·기(氣)가 부드러움을 도모하면 기괴(奇怪)함이 생겨난다고 보았던 것이다. 한편, 고법(古法)에 얽매이지 않고 우졸(愚拙)한 자연천성(自然天成)을 발현하면 장법과 포치가 일운무적(逸韻無跡)한 득필천연(得筆天然)을 이룬다고 강조하였다. 우리는 이 연구에서 그의 서체가 자연을 예술로 승화하면서, 조선 고유의 서예미를 끊임없이 접목·시도하였음을 살펴볼 수 있다. 그리하여 근골이 풍부하고 생명력과 역동감이 넘치는 형세를 이룬 일운무적(逸韻無跡)을 체화(體化)하였고, 득필천연(得筆天然)한 극공(極工)의 심미경지를 이루어 독창적인 '행운유수체(行雲流水體)'로 구현하였고 마침내 호남지방에 동국진체(東國眞體)의 서풍과 서예정신을 더욱 창달시켰다.
이 연구의 목적은 현재 쓰임이 증가하고 있는 여러 종류의 범용 상아질 접착제와 삼차 아민을 포함 혹은 포함하지 않는 레진시멘트 간의 호환성을 평가하기 위함이다. 총 80개의 사람 대구치를 선정해 레진 블럭에 매몰하여 상아질을 노출시키고 600-grit SiC paper로 연마한 후 3종류의 범용 상아질 접착제 Scotchbond universal (3M ESPE, pH 2.6), G-premio bond (GC, pH 1.5), All bond universal (Bisco, pH 3.2) 및 대조군으로 3-step etch and rinse system인 Scotchbond multipurpose (3M ESPE)를 제조사의 지시대로 적용한 후 광중합 시행하였다. 그 위에 직경 2 mm, 높이 3 mm의 몰드를 이용해 삼차아민을 포함한 레진 시멘트인 Calibra(Dentsply) 혹은 삼차 아민을 포함하지 않는 레진시멘트인 RelyX Ultimate (3M ESPE)를 적용하고 20초간 광중합하였다. 그 후 $37^{\circ}C$ 증류수에 7일간 보관 후 미세전단강도를 측정하였다. 각 결과값을 ANOVA와 Tukey test로 분석하였다. 실험 결과 Calibra를 사용한 경우 Scotchbond Multipurpose와 All bond Universal adhesive 적용시 G-premio bond 및 Scotchbond universal adhesive를 적용했을 때에 비해 유의하게 높은 미세전단강도를 나타냈다(p<0.05) RelyX Ultimate를 사용한 경우 adhesive간의 유의한 차이가 관찰되지 않았다(p>0.05).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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