표면 플라즈몬 공진(SPR) 현상을 이용한 광섬유 센서는 SPR 센서의 우수한 표면 민감도, 비표지 검출능 등의 특징은 유지하면서 측정시스템이 단순해지고 저렴하게 제작이 가능하며 원거리 검출에 유리하다는 장점으로 많은 연구가 진행되고 있다. 최근 스택 제어가 용이하고 민감도 또한 우수하다는 이유로 측면 연마형 센서 구조를 적용한 연구가 많이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 기존 Kretchman형태의 SPR 센서의 분해능 향상을 위해 사용된 광도파로 구조를 측면 연마형 광파이버에 적용시켰다. 금속 층 / 유전체 층 / 금속 층으로 구성되어 있는 광도파로 구조와 Au 단일 층을 사용한 기존 구조에 대한 이론 전사모사를 진행하고 실물 소자를 제작하여 특성을 평가하였다. WCSPR 센서에서는 두 개의 반사율 dips이 나타난다. 하나는 단파장영역에서 나타나는 폭이 작은 형태이며 또 다른 하나는 장파장영역에서 나타나는 폭이 넓은 형태이다. 단파장에서의 dip은 입사각에 크게 영향을 받지 않기 때문에 Wavelength interrogation mode을 이용하는 광섬유 SPR센서에 적용할 경우 분해능이 향상될 것 이다. WCSPR 센서는 도파로의 유전체층에서 진행되는 모드를 이용하면 Self-referencing을 할 수 있다, 또한 유전체 층의 두께를 변화 시켜 중심파장의 위치를 조절할 수 있는 특징을 갖고 있다. 결과적으로 광도파로 구조를 광파이버에 적용시켜 기존 Au 단일 층 구조의 SPR 센서에 비해 좀 더 정확하고 광범위한 감지를 할 수 있다.
반도체소자의 제조 공정 기술 중 구리패턴을 얻기 위해서 사용하는 화학 기계적 연마(CMP)를 이용한 평탄화와 연마 공정에서 Wafer에 도포된 구리의 두께를 실시간으로 측정하여 정밀하게 제어할필요가 있는데, 이때 획득되는 센서값을 실제 두께 값으로 환산하는 계산과정에서 오차가 발생할 수 있다. 실제 측정 값에 근사한 값을 얻도록 단순평균을 이용한 방법, 이동 평균, 필터 들을 사용하여 결과를 비교하여 옹고스트롬 단위의 두께를 실시간으로 측정하는 제어 시스템의 편차를 줄이도록 하는 방법의 구현에 대해 기술한다.
최근 스마트폰, 태블릿 PC 및 전자기기 등의 사용이 증가함에 따라 커버글라스의 수요가 증가하고 있는 추세이다. 모바일 기기의 디스플레이가 대형화되면서 접촉이나 낙하 등과 같이 외부에서 힘을 받게 되는 환경에서 높은 강도를 유지하는 것이 요구되고 있다. 커버글라스 제작 공정에서 연마공정은 커버글라스의 표면거칠기 및 충분한 강도를 제공하는 중요한 공정이다. 기존 연삭 숫돌에 의한 가공방법은 커버글라스 가공표면에 스크레치, 칩핑, 노칭 및 마이크로 크랙 등의 가공 문제점이 발생한다. 따라서 본 연구에서는 모바일 커버글라스의 연마를 위해 연마필름을 이용한 폴리싱 시스템을 개발하였다. 구조적 안정성을 평가하기 위해 연마 필름 폴리싱 시스템에 대한 유한요소모델을 생성하였고 다물체 동역학 해석을 수행하였다. 연마 필름 폴리싱 시스템에 대한 응력 및 변위 해석을 통해 특성을 분석하였고 레이저 변위 센서를 이용해 제작된 시스템에 대한 변위를 측정하여 구조적 안정성에 대해 확인하였다.
목적: 이 연구는 다양한 거칠기를 가진 알루미늄 옥사이드 연마석으로 치주기구 날 세우기를 시행시 연마석의 거칠기에 따른 치주기구 날 세우기의 효율성 및 마모도를 비교 평가하였다. 연구 재료 및 방법: 30개의 No. 9 - 10 그레이시 큐렛이 사용되었고, 모든 큐렛은 치석제거술 및 치근활택술을 시행함으로써 날을 무디게 만들고 3가지 그룹(240, 600, 800 grit)으로 임의로 나누었다. 치주기구의 예민도는 연마석을 최대 20회 기구에 적용한 후 평가되었고, 마모도는 최대 80회 후 기구 날의 끝 1 mm와 2 mm에서 기구 날의 폭으로 평가되었다. 결과: 치주기구 예민도는 5회와 10회 상하 운동시 240 grit에서 유의하게 높게 나타났으며(P < 0.001), 15회, 20회에서는 유의한 차이는 없었다(P > 0.05). 마모도는 240 grit의 경우 600 grit과 800 grit에 비해 약간 높게 나타났지만 통계적 유의성은 없었다. 결론: 알루미늄 옥사이드 연마석의 입자가 클수록 치주기구 날 세우기의 효율성은 증가하였다. 하지만 기구의 마모에 유의해야 한다.
워터젯은 콘크리트와 암석 절삭에 적합하며 소음과 진동이 적어 도심지 시공에 널리 활용되는 기술이다. 최근 한국원자력연구원은 처분터널 내 공학적방벽의 열-수리-역학적 복합거동 현장시험의 콘크리트 플러그를 교란 및 손상 없이 해체하기 위해 연마재 워터젯 기술을 채택 및 적용하였다. 본 연구에서는 플러그 해체를 통한 연마재 워터젯의 터널 내 적용성을 평가하였고, 절삭 결과를 개발된 절삭 모델 결과와 비교하였다. 현장 적용성에 관해서는, 워터젯 활용은 경로선택이 용이하였으며 주변부의 추가적인 교란을 발생시키지 않았다. 펌프의 소음은 공회전 시 64.9 dB로 국내 생활소음·진동의 규제기준을 만족하였으나 공중 분사 및 절삭 시에는 터널 내에서 측정되어 그 기준을 상회한 것으로 나타났다. 절삭 모델 검증을 위해 연마재 워터젯의 반복 절삭, 유량, 연마재 투입량 및 이격거리를 주요 변수로 선정하였고 절삭 모델로 계산된 절삭 부피와 측정된 부피의 오차는 1회 절삭 시 12~13%, 2회 절삭 시 16%를 보였다. 절삭 깊이와 폭은 이격거리에 큰 영향을 받았으며, 이격거리가 작을수록 오차가 감소하는 경향을 보였다.
본 연구에서는 산업현장에서 각종 기어나, 축, 체인, 롤러, 금형, 자동차강판 등으로 널리 쓰여 지는 기계구조용 탄소강인 SM45C를 실험소재로 사용하였다. 실험에 사용되는 시험편 표면에 표면경화를 수행하기 위하여 #200 ~ #1500의 순서대로 미세연마 후 거친연마의 연마가공을 실시하였으며, 다이오드 레이저의 표면경화 열처리 후에 자기냉각효과를 고려하여 $100{\times}50{\times}10$의 판재로 시험편을 제작하여 실험하였다. 소재 표면에 다이오드 레이저를 이용하여 국소부위에 표면경화 열처리를 수행하였다. 이때 다이오드 레이저의 출력과 이송속도를 공정조건으로 하여, 미세경도시험, 미세조직시험, 전자 주사 현미경(SEM), 입열량을 분석하였다. 분석 후에는 실험소재의 기계적 특성을 비교하여, 타 표면 경화법에 비해 다이오드 레이저를 이용하였을 때의 표면경화 열처리 신뢰성과 우수함 그리고 최적의 공정조건을 도출하였다. 열처리 후 경화부는 판상 마르텐사이트로 경화 되었으며. 경도값은 Hv729.5로 열처리 후 약 2.3배 이상 표면경도가 향상되있는 것을 확인하였다.
We investigated the speed change of the diamond spherical abrasive during the substrate surface polishing under the pad compression by using classical molecular dynamics modeling. We performed three-dimensional molecular dynamics simulations using the Morse potential functions for the copper substrate and the Tersoff potential function for the diamond abrasive. As the compressive pressure increased, the indented depth of the diamond abrasive increased and then, the speed of the diamond abrasive along the direction of the pad moving was decreased. Molecular simulation result such as the abrasive speed decreasing due to the pad pressure increasing gave important information for the chemical mechanical polishing including the mechanical removal rate with both the pad speed and the pad compressive pressure.
The chemical mechanical polishing (CMP) process has been widely used for the global planarization of multi-layer structures in semiconductor manufacturing. The CMP process can be optimized by several parameters such as equipment, consumables (pad, backing film and slurry), process variables and post-CMP cleaning. However, the COO(cost of ownership) is very high, because of high consumable cost. Especially, among the consumables, the slurry dominates more than 40 %. In this paper, we have studied the CMP characteristics of diluted silica slurry by adding of raw alumina abrasives and annealed alumina abrasives. As an experimental result, we obtained the comparable slurry characteristics compared with original silica slurry in the view-point of high removal rate and low non-uniformity. Therefore, we can reduce the cost of consumables(COC) of CMP process for ULSI applications.
연마된 단일 모드 광섬유로 구성된 광 결합기는 임의의 두 파장을 분리 할 수 있다는 것을 잘 알려져 있다. 곡률 반경 R로 구부러진 광섬유로, 만들어진 WDM 광결합기의 파장 분리 구간 는 신호의 중심 파장과 두 코아 사이의 거리에 따라서 변한다. 본 논문에서는 광 섬유가 곡률 반경 R로 고정되어 있을 때 최소 파장분리 구간 를 얻을 수 있는 두 코아 사이의 거리를 제시한다. 또한 신호의 임의의 두 파장을 분리하기 위해서 필요한 최고 곡률 반경R를 제시한다.
This paper investigated the effect of the pad buffing process on the material removal characteristics and pad stabilization during silicon chemical mechanical polishing. The pads surface were controlled by the buffing process using a buffer made by the sandpaper. The buffing process is based on abrasive machining by using a high speed sandpaper. The controlled pad by the buffing process show less deformation deviation and stable material removal rate during the CMP process. In addition, the controlled pad ensure better uniformity of removal rate than comparative pads. As a result of monitoring, the controlled pad by the buffing process demonstrated constant and stable friction force signals from initial polishing stage. Therefore, the tufting process could control the pad surface to be uniform and improve the performance of the polishing pad.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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