• Title/Summary/Keyword: 연마제

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텅스텐 CMP 연마액에서 산화제와 첨가제가 연마 성능에 미치는 영향 (Effect of oxidants and additives on the polishing performance in tungsten CMP slurry)

  • 이재석;최범석
    • 분석과학
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    • 제19권5호
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    • pp.394-399
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    • 2006
  • 본 연구에서는 반도체 웨이퍼 연마 공정에 사용한 산화제와 첨가제의 연마 속도에 미치는 영향과 전기 화학적 특성에 대해 조사하였다. 산화제로는 과산화수소, 질산화 철과 요오드산 칼륨을 사용하였으며, 이들은 연마액의 pH와 종류에 따라 텅스텐 막질에서 상이한 산화반응을 나타내었다. 이러한 차이점은 연마성능에 영향을 끼치며, 과산화수소는 식각반응이 질산화 철과 요오드산 칼륨에서는 부동태 반응이 우세하였다. 그리고 염기성 화합물인 TMAH와 KOH를 연마액에 첨가하였을 때 텅스텐에 대한 전위 에너지 변화 증가 및 연마 제거속도 증가를 확인할 수 있었으며, 제타 전위 값의 절대 값 증가를 통해 분산성 향상에도 도움이 되는 것을 알 수 있었다. 마지막으로 음이온 계면 활성제중 평균 분자량이 25만인 폴리아크릴산을 100 ppm 첨가시 연마 입자의 뭉침 현상이 줄어들면서 분산성 향상에 효과적인 것을 알 수 있었다.

균일한 입도분포를 가진 큰 입자(120nm)로 구성된 친환경적인 반도체 연마제용 Colloidal Silica 개발 (Development of Uniform sized(120nm) and Pro-environmental Colloidal Silica Slurry for CMP process)

  • 정석조;변정환;배선윤;박철진;김창훈;조굉래
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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    • pp.129-131
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    • 2004
  • 전 세계적으로 반도체 연마제용으로 silica를 많이 사용하고 있으며, 주로 fumed silica 및 colloidal silica로 구분되어진다. 반도체 연마제로서의 가장 중요한 요소는 연마율, defect 및 uniformity 등이 있으며, 현재 defect 및 uniformity는 많은 연구개발을 통하여 증진되었지만 반도체 생산량과 직접 관련된 연마율을 증가시키는 기술은 화학약품 및 slurry의 농도 증가로만 가능하다. 이에 연마제의 전반적인 기능을 상승시켜 기존보다 연마율은 높이고, 결함율을 낮추며, 120nm 이상의 입자크기를 제조하여도 근일한 입도 분포도를 나타내어주고, 장기간 안정하게 사용가능하고, 친환경적인 반도체 연마제를 개발하였다.

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세리아 연마제 첨가에 따른 산화막 CMP 특성 연구 (A Study on the Oxide CMP Characteristics According to the $CeO_2$ Abrasive Adding)

  • 한상준;이영균;박성우;서용진;이우선
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.542-542
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    • 2008
  • 본 논문에서는 기존에 상용화된 슬러리에 비해 새로운 혼합 연마제 슬러리의 우수성을 입증하고, 최적화 된 공정기술을 연구의 기반으로 활용하고자 Silica slurry에 $CeO_2$ 연마제를 혼합하여, 어떠한 연마 특성을 나타내는지 알아보았고, AFM, EDX, XRD, TEM 분석을 통해 그 가능성을 비교 분석하였다.

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조면 연마ㆍ경면 연마의 기본

  • 한국광학기기협회
    • 광학세계
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    • 통권105호
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    • pp.72-79
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    • 2006
  • 연마법은 정밀도가 높은 가공을 할 수 있게 함으로써 르네상스 시대부터 오늘날에 이르기까지 다양한 광디바이스를 제공하고 광학산업발전에 크게 기여를 했다고 해도 과언이 아니다. 최근 과학과 기술의 진보에 따라 새로운 연마 자재를 입수하기가 쉬워진 덕택에 연마법은 다양한 형태로 기술 개선이 진행되고 있다. 연마는 조면 연삭과 경면 연삭으로 크게 나눌 수 있는데 이들 연마는 기본적인 가공 조작으로서, 랩과 폴리싱 패드(폴리셔) 혹은 지석 등의 공구면에 연마제나 연마액을 공급하고 거기에 가공물을 누르면서 문지르는 방법을 채용하는 것이 일반적이다. 래핑은 지석 연마로 바뀌고 있고, 폴리싱은 다시 고도의 경면 연마로 발전하고 있어 앞으로도 광 디바이스 제작에 기여할 가공 기술이다. 이와 관련하여 본 고에서는 조면 연마, 경면 연마 순서로 설명하겠다.

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산화망간이 첨가된 혼합 연마제 실리카 슬러리의 산화막 CMP 특성 (Chemical Mechanical Polishing Characteristics of Mixed Abrasive Silica Slurry (MAS) by adding of Manganese oxide (MnO2) Abrasive)

  • 서용진
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.1175-1181
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    • 2019
  • 논문에서는 1:10으로 희석된 실리카 슬러리에 산화망간(MnO2) 연마제를 첨가하여 재처리된 혼합연마제 슬러리(Mixed Abrasive Slurry; MAS)의 화학기계적연마(CMP) 특성을 연구하였다. 최적의 연마 성능을 갖는 슬러리를 설계하기 위해서는 높은 연마율, 하부층에 대한 적절한 연마선택비, 연마 후의 낮은 표면결함, 슬러리의 안정성 등을 얻어야 한다. 산화망간이 첨가된 MAS의 연마 성능은 연마율 및 비균일도와 같은 CMP 성능, 입도 분석, 표면 형상에 대해 평가하였다. 실험결과, 높은 연마율과 낮은 비균일도 측면에서 볼 때 원액 실리카 슬러리와 대등한 슬러리 특성을 얻을 수 있었다. 따라서 본 연구에서 제안하는 MnO2-MAS를 사용하면 고가의 소모재인 슬러리를 절약하는데 매우 유용할 것이다.

연마제 혼합액 제트의 절단 성능에 관한 연구 (An experimental study of cutting abilities of an abrasive water jet system)

  • 안영재;유장열;권오관;김영조
    • 대한기계학회논문집
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    • 제13권4호
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    • pp.611-617
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    • 1989
  • 본 연구에서는 제트 분사 시스템을 제작하여 절단 성능에 관게하는 여러 변수중 고압수의 압력, 연마제의 크기 및 공급량, 그리고 공작물의 이송속도의 영향을 실험적으로 연구하였다.

$MnO_2$ 연마제가 실리카 슬러리에 미치는 영향에 관한 연구 (Influence of Silica slurry by $MnO_2$ abrasive)

  • 이영균;이우선;박성우;최권우;고필주;한상준;박주선;나한용;서용진
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.543-543
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    • 2008
  • 반도체 집적회로의 제조 공정 중 CMP 공정이 필수 핵심기술이 되었다. 이처럼 CMP 공정 기술이 다층 배선 구조의 광역 평탄화를 위해서는 매우 효과적이지만 기계적인 연마패드와 화학적인 식각 작용을 하는 슬러리를 이용하여 연마가 진행되므로 공정 결함이 문제시되어 왔다. 그 중에서도, 소모자재의 비용이 CMP 공정비용의 70% 이상을 차지하는 제조단가가 높다는 단점이 있다. 특히 고가의 슬러리가 차지하는 비중이 40% 이상을 넘고 있어, 슬러리 원액의 소모량을 줄이기 위한 연구들이 현재 활발히 연구 중에 있다. 본 논문에서는 새로운 혼합 연마제 슬러리에 대한 CMP 특성을 통해 기존에 상용화된 슬러리의 CMP 특성과 비교 고찰하여 MAS의 우수성을 입증하고, 최적화된 공정기술 연구의 기반으로 활용하고자 실리카 슬러리에 $MnO_2$ 연마제를 혼합하여 연마특성을 비교분석하였고, AFM, EDX, XRD, TEM분석을 통해 그 가능성을 알아보았다.

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혼합 연마제가 TEOS 막에 미치는 영향 (Effect of Mixed Abrasive Slurry (MAS) on the Tetra-Ethyl Ortho-Silicate (TEOS) Film)

  • 이영균;한상준;박성우;서용진;이우선
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.541-541
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    • 2008
  • 반도체 소자가 차세대 초미세 공정 기술 도입의 가속화를 통해 고속화 및 고집적화 되어 감에 따라 나노(Nano) 크기의 회로 선폭 미세화를 극복하고자 최적의 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 공정이 요구되어지고 있다. 이처럼 CMP 공정이 반도체 제조 공정에 적용됨으로써 공정 마진 확보에 진일보 하였으나 CMP 장비의 공정 조건, 슬러리의 종류, 연마패드의 종류 등에 의해 CMP 성능이 결정된다. 특히 슬러리는 연마 공정의 성능에 중요한 영향을 미치는 요인이다. 고가의 슬러리가 차지하는 비중이 40% 이상을 넘고 있어 슬러리 원액의 소모량을 줄이기 위한 연구들이 현재 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 새로운 연마제의 특성을 알아보기 위해 탈이온수(De-ionized water; DIW) 에 $CeO_2$, 연마제를 첨가한 후 분산시간에 따른 연마 특성과 AFM, EDX, XRD, TEM분석을 통해 그 가능성을 알아보았다.

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비수용성용액을 이용한 SUS316 전해연마시 첨가제 영향 고찰 (Effect of additives of non aqueous solution on the elelctrolytic polishing behaviors of austenitc stainless steel 316)

  • 김성완;김경태;이종석;김학성
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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    • pp.303-304
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    • 2012
  • 공업적으로 널리 사용되는 내식강의 전해연마는 주로 고농도의 인산염 전해액 기반에 황산과 질산 첨가된 용액에서 $70^{\circ}C$ 이상의 고온에서 행해지다 보니 폐액 처리와 작업 환경이 좋지 않아 기피 기술로 인식 되어 있다. 본 연구에서는 환경 친화적인 상온 공정을 개발 하고자 에틸렌 글리콜 용액에 여러 가지 첨가제를 첨가하여 그 효과를 살펴보고 최적 조성과 공정 조건을 확립 하고자 하였다. 틸렌 글리콜에 물과 질산 암모니움을 첨가하여 점도와 pH, 전류 전압 특성을 구하고 여기에 첨가제인 설파메이트와 암모니움 클로라이드 첨가량을 정하고 각각의 효과를 확인 하였다. 이러한 결과를 바탕으로 SUS 316 재질에 대한 최적 연마조건을 설정하기 위해 조도 변화, 광택도 및 표면 조직 변화와 전해연마기구를 비교 검토하였다.

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