• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.31-31
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• 2000

Al2O3는 높은 화학적, 열적 안정성으로 인하여 미세전자 산업에서 절연막이나 광전자소자의 재료로써 널리 이용되고 있다. 특히, 사파이어는 고위도의 LED, 청색 LD의 재료인 GaN 계열의 III-Nitride 물질을 성장시킬 때 필요한 기판으로 보편적으로 사용되고 있다. 이러한 GaN계열의 광소자 제조에서 사파이어 기판을 적용시 지적되는 문제점들 중의 하나는 소자제조 후 사파이어의 결정 구조 및 높은 경도에 의해 나타나는 cutting 및 backside의 기계적 연마가 어렵다는 것이다. 최근에는 이온빔 식각이나 이온 주입 후 화학적 습식 시각, reactive ion etching을 통한 사파이어의 건식 식각이 소자 분리 및 backside 공정을 우해 연구되고 있다. 그러나 이러한 방법을 이용한 사파이어의 식각속도는 일반적으로 15nm/min 보다 작다. 높은 식각율과 식각후 표면의 작은 거칠기를 수반한 사파이어의 플라즈마 식각은 소자 제조 공정시 소자의 isolation 및 lapping 후 연마 공정에 이용할 수 있다. 본 연구에서는 평판 유도결합형 플라즈마를 이용하여 Cl2/BCL3/Ar 의 가스조합, inductive power, bias voltage, 압력, 기판온도의 다양한 공정 변수를 통하여 (0001) 사파이어의 식각특성을 연구하였다. 사파이어의 식각속도는 inductive power, bias voltage, 그리고 기판 온도가 증가할수록 증가하였으며 Cl2에 BCl3를 50%이하로 첨가할 때 BCl3 첨가량이 증가할수록 식각속도 및 식각마스크(photoresist)와의 식각선택비가 증가하는 것을 관찰하였다. 또한, Cl3:BCl3=1:1의 조건에 따라 Ar 첨가에 따른 식각속도 및 표면 거칠기를 관찰하였다. 본 연구의 최적 식각조건인 40%Cl2/40%BCl3/20%Ar, 600W의 inductive power, -300V의 bias voltage, 30mTorr의 압력, 기판온도 7$0^{\circ}C$에서 270nm/min의 사파이어 식각속도를 얻을수 있었다. 그리고 이러한 식각조건에서 표면의 거치기를 줄일수 있었다. 사파이어 식각은 보편적인 사파이어 lapping 공정시 수반되어 형성된 표면의 거치기를 줄이기 위한 마지막 공정에 응용될수 있다. 사파이어의 식각시 나타나는 식각 부산물은 플라즈마 진단방비인 optical emission spectroscopy (OES)를 통하여 관찰하였고, 식각시 사파이어의 표면성분비 변화 및 표면의 화학적 결합은 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 사용하여 측정하였다. 시각 전, 후의 표면의 거칠기를 scanning electron microscopy(SEM)을 통하여 관찰하였다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.17 no.6
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• pp.1175-1180
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• 2022

STI has been studied a lot as a process technology for wide area planarization according to miniaturization and high integration of semiconductor devices. In this study, as methods for improving the STI profile, wet etching of pad oxide using hydrofluorine solution and dry etching of O₂+CF₄ after STI dry etching were proposed. This process technology showed improvement in profile imbalance and leakage current between patterns according to device density compared to the conventional method. In addition, as a result of measuring the HLD thickness after CMP for a device having the same STI depth and HLD deposition, the measured value was different depending on the device density. It was confirmed that this was due to the difference in the thickness of the nitride film according to the device density after CMP and the selectivity of the slurry.

• Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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• v.34 no.1
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• pp.39-45
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• 2018

Purpose: The purpose of this study was to evaluate the clinical effects of erythritol powder air polishing device (EPAP) in addition to scaling and root planing (SRP) in non-surgical periodontal treatment in moderate chronic periodontitis patients. Materials and Methods: Clinical evaluation was performed at 21 sites treated with SRP (control) and 21 sites treated with the addition of SRP+EPAP (test). All examinations were performed before treatment, 1 month after treatment, and 3 months after treatment. Depth of the periodontal pocket, gingival recession, clinical attachment level, plaque index, and bleeding of probing were measured as clinical parameters. Results: In both test and control groups, there was a significant decrease in the depth of the periodontal pocket, plaque index, bleeding of probing, increased gingival recession, and gain of clinical attachment level at 1 month and 3 months after treatment. However, there was no significant clinical difference between the test group and the control group. Clinical result was improved after 1 month compared to the baseline; in contrast, results at 3 months after treatment were worse than at 1 month after treatment. Conclusion: In this study, we cannot suggest that SRP + EPAP is clinically more effective than SRP alone as non-surgical periodontal treatments. Periodic periodontal therapy, at intervals of at least every three months, is important for sustaining effects of this treatment.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.22 no.2
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• pp.38-45
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• 2005

Chemical mechanical polishing(CMP) has been widely accepted for the planarization of multi-layer structures in semiconductor fabrication. But a variety of defects such as abrasive contamination, scratch, dishing, erosion and corrosion are occurred during CMP. Especially, dishing and erosion defects increase the metal resistance because they decrease the interconnect section area, and ultimately reduce the lift time of the semiconductor. Due to this reason dishing and erosion must be prohibited. The pattern density and size in chip have a significant influence on dishing and erosion occurred by over-polishing. The fixed abrasive pad(FAP) was applied and tested to reduce dishing and erosion in this paper. The abrasive concentration decrease of FAP results in advanced pattern selectivity which can lead the uniform removal in chip and declining over-polishing. Consequently, reduced dishing and erosion was observed in CMP of tungsten pattern wafer with proposed FAP and chemicals.

• The Journal of Engineering Geology
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• v.18 no.2
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• pp.145-152
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• 2008

A fault gouge zone which is about 25cm thick crops out along a small valley in Yangbuk-myeon, Gyeongju city. It is divided into greenish brown gouge and bluish gray gouge by color. Under the microscope, the gouges have a lot of porphyroclasts composed of old gouge fragments, quartz, feldspar and iron minerals. Clay minerals are abundant in matrix, defining strikingly P foliation by preferred orientation. Microstructural differences between bluish pay gouge and greenish brown gouge are as follows: greenish brown gouge compared to bluish gray gouge is (1) rich in clay minerals, (2) small in size and number of porphyroclasts, and (3) plentiful in iron minerals which are mostly hematites, while chiefly pyrites in bluish gray gouge. Hematites are considered to be altered from pyrites in the early-formed greenish brown gouge under the influence of hydrothermal fluids accompanied during the formation of bluish gray gouge that also precipitated pyrites. It is believed that the fault core including bluish gray gouge zone and greenish brown gouge zone was formed by progressive cataclastic flow. In the first stage the fault core initiates from damage zone of early faulting. In the second stage damage zone actively transforms into breccia zone by repeated fracturing. The third stage includes greenish brown (old) gouge formation in the center of the fault core mainly by particle grinding. In the third stage further deformation leads to the formation of new (bluish gray) gouge zone while old gouge zone undergoes strain hardening. Consequently, the whole gouge zone in the core widens.

• Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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• v.32 no.1
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• pp.13-17
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• 2005

Children and teenagers have a higher frequency of proximal surface caries in the posterior teeth than adults. For proximal restoration, class II amalgam or stainless steel crown has been widely used in the past, however composite resin restoration is getting ore popular due to it's superior cosmetic appearance. When applying composite resin on proximal area, various types of matrix bands can be utilized according to the operator's reference or skill. Such bands have several clinical effects including suitability for proximal margin, reduction of micro-leakage, moisture-control against saliva and ease finishing and polishing. In this case report, orthodontic bands were utilized instead of matrix bands as a remedy for proximal restorations in both primary and permanent teeth and their clinical advantages are as follows. 1. Orthodontic bands showed superior marginal adaptation compared to conventional matrix bands and moisture-control against saliva was excellent. 2. While applying composite resin, deformation of restoration material was estimated to be insignificant due to he rigidity of the orthodontic bands. 3. Natural tooth contour of the orthodontic bands facilitates to reproduce proximal tooth contour of the restoration. 4. In general, pediatric dentists are accustomed to applying orthodontic bands and this may allow pediatric dentists to make proximal composite restorations more efficiently than other dental specialists.

• The korean journal of orthodontics
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• v.26 no.5 s.58
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• pp.591-599
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• 1996

This study was undertaken to investigate the cytotoxicity of orthodontic wires after doing various treatments to the wires. 018x025 inch Stainless steel(A) and Co-Cr(B) wires were used and each of them were divided into 4 groups. A-1 and B-1 groups were as received state, and A-2 and B-2 groups were heat treated. A-3 and B-3 groups were electropolished after heat treatment, and A-4 and B-4 groups were soldered with Ag-solder. Each group had 3 wires and these were sterilized with Ethylene Oxide gas. We used human gingival fibroblast cell culture and agar overlay technique to investigate the cytotoxicity of each group of wires. The cytotoxicity of wire was assessed using reaction index (zone index/lysis index). The findings of this study were as follows. 1. Both of the stainless steel wire and Co-Cr wire showed no cytotoxicity in as received state. 2. Heat treatment or electropolishing of the wires had no effect on the cytotoxicity of the wires 3. Soldered stainless steel wires showed a little wider zone of discoloration than soldered Co-Cr wires, but the zone index and cytotoxicity(reaction index) was not different. 4. Soldered wires showed moderate cytotoxicity in both of the wires.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.196-196
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• 2016

치과나 기공소로부터 높은 원가로 인한 재료선택에 어려움을 겪고 있어 귀금속 금합금의 물성을 가질 수 있도록 하면서 가격급등으로 인한 문제 해결하기 위한 비귀금속 합금으로 대체가 필요하기에 이에 따른 연구가 이루어져 국산 제품의 상품화를 위해 파라듐을 이용하여 적합한 새로운 합금을 개발하는 것이 필요하다. 치과용 골드합금은 미국치과의사 협회의 구정에 의하면 1형부터 4형까지 분류하고 있으며 3형에 해당하는 강도와 기계적인 특성을 갖도록 파라듐으로 대체하는 연구가 진행중이거나 시판되고 있다. 따라서 본 연구에서는 2형, 3형 및 4형을 대체가능하도록 팔라듐을 기반으로 한 새로운 합금을 설계하고 합금의 성분원 소인 Au(1~5), Pd(20~25), Ag(70~75), In(1.5) 및 Zn(2)등으로 조성을 변화시켜 측량 후 합금을 제조하기 위하여 아르곤 분위기하의 진공아크용해로를 이용하여 용해하였다. 정량된 금속을 진공아크 용해로에 장입하고 용해는 균질한 합금이 되도록 최소한 6회 이상 용융을 실시하며 합금성분의 손실이 발행하지 않도록 보정을 하였다. 합금의 미세조직 관찰을 위하여 샘플을 고속 다이아몬드 정밀 절단기(Acculom-5, STRUERS, Denmark)를 이용하여 절단한 후 2000 grit의 Sic 연마지에서 단계적으로 $0.3{\mu}m$ 알루미나 분말까지 연마한 후 초음파 세척을 하였다. 준비한 시편은 KCN과 $(NH_4)_2S_2O_8$을 1:1로 혼합한 부식액으로 에칭한 후 OM과 SEM을 이용하여 조직을 관찰하였으며 각 샘플의 성분변화는 EDS 분석을 통해 확인하고 결정구조는 XRD를 사용하여 분석하였다. 경도시험은 비커스경도시험기를 이용하여 5kg의 하중을 30초간 작동시켜 압흔을 연결된 micron으로 평균값을 측정하였다. 각 시편의 부식거동은 POTENTIOSTAT(Model PARSTAT 2273, EG&G, USA)을 이용하여 구강 내환경화 유사한 $36.5{\pm}1^{\circ}C$의 0.9% NaCl에서 실시하였다. 인가전위는 -1500mV에서 1000mV까지 1.67 mV/min의 주사속도로 인가하여 시험을 수행하였으며 분극곡선으로부터 부식전위와 부식전류밀도 및 부동태영역의 전류밀도로 금속의 용출거동을 조사하였으며 부식이 끝난 시편은 FE-SEM과 EDS를 사용하여 조사하였다. 기계적인 특성은 Pd-Ag에 3wt%의 Au를 첨가한 합금이 Pd-Ag에 1.5wt%합금을 첨가한 경우에 비하여 기계적인 특성이 증가하고 내식성이 크게 증가하였다. 이들 합금에 Cu를 11wt%를 첨가한 경우는 비커스경도가 200이상으로 높게 나타났지만 내식성이 크게 감소하였다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• v.27 no.5
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• pp.479-487
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• 2002

복합레진의 중합시 발생하는 수축과 응력은 와동의 형태에 의하여 영향을 받으며 이는 수복재는 물론 접착계면의 물성을 결정하는 요인이 된다. 본 연구는 다양한 C-factor를 갖는 와동에 상아질 접착제 Clearfil SE Bond(Kuraray)를 도포하고 혼합형 복합레진인 Clearfil AP-X(Kuraray)와 미세혼합형의 Esthet-X(Dentsply)를 충전하여 미세인장강도 및 변연누출을 측정 평가함으로써 중합수축이 수복물과 치아계면에 미치는 영향을 평가하고자 시행하였다. 98개의 Bovine 하악전치를 이용하여 표면의 상아질을 #600 SiC paper로 연마한 대조군 및 와동의 넓이를 조절하여 C-factor 2.3, 3.0, 3.7이 되도록 제작한 실험군 와동에 복합레진을 충전한 후 37의 증류수에 24시간 보관하였다. 저속 diamond saw(Buehler)를 이용하여 1mm 두께로 수직절단 후 고속 diamond point(#104 Shofu)를 이용하여 단면적 1mm$^2$가 되도록 hour-glass모양으로 형성하여 시편을 제작하였고, Universal testing machine(EZ-Test; Shimadzu, Japan)에 시편을 부착하고 cross head speed 1mm/min으로 인장력을 가하여 미세인장 결합강도를 측정하였다. 각 C-factor에 따른 변연누출실험을 위하여 복합레진이 수복된 치아를 37$^{\circ}C$의 증류수에 24시간 보관한 후 와동을 제외한 부위에 nail varnish를 도포하고 3mol/L silver nitrate용액에 24시간 암보관한 다음 수세하여 현상액에 24시간 경과시킨 후 치아의 장축에 따라 절단하여 침투된 색소의 정도를 광학현미경상에서 40배로 관찰하였다. 각각의 실험결과는 ANOVA/Tukey's test 및 Kruskal-Wallis non-parametric independent analysis와 Mann-Whitney U test에 의하여 통계 분석하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 대조군에 있어서 혼합형 복합레진의 미세인장 결합강도는 미세혼합형에 비하여 높았으며, 실험군 사이에는 유의차를 보이지 않았다. 2.모든 복합레진의 미세인장 결합강도는 와동의 C-factor증가에 따라 감소하는 경향을 나타내었고, 혼합형 복합레진의 실험군은 대조군에 비하여 낮게 나타났으며, 미세혼합형 복합레진에서는 유의차를 보이지 않았다. 3. 절단측 및 치은측 변연부의 미세누출정도는 혼합형 복합레진이 미세혼합형에 비하여 대체로 높게 나타났다. 4. 모든 실험군에서 미세누출은 C-factor증가에 따라 증가하였고 절단측에 비하여 치은측 변연이 높게 나타났으나 통계학적 유의차는 보이지 않았다. C-factor의 변화에 대하여 필러함량과 탄성계수가 높은 혼합형 복합레진이 미세혼합형에 비하여 더 민감한 결과를 보인다. 이는 복합레진 수복시 재료의 선택과 중합수축의 적절한 조절이 중요한 요소임을 시사한다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.19 no.3
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• pp.37-41
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• 2012

The wafer level stacking with Cu-to-Cu bonding becomes an important technology for high density DRAM stacking, high performance logic stacking, or heterogeneous chip stacking. Cu CMP becomes one of key processes to be developed for optimized Cu bonding process. For the ultra low-k dielectrics used in the advanced logic applications, Ti barrier has been preferred due to its good compatibility with porous ultra low-K dielectrics. But since Ti is electrochemically reactive to Cu CMP slurries, it leads to a new challenge to Cu CMP. In this study Ti barrier/Cu interconnection structure has been investigated for the wafer level 3D integration. Cu CMP wafers have been fabricated by a damascene process and two types of slurry were compared. The slurry selectivity to $SiO_2$ and Ti and removal rate were measured. The effect of metal line width and metal density were evaluated.