• 대한전자공학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.13-25
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• 1968

고주파용 transistor를 이용한 광대역증폭기를 hybrid-π 등가회로를 이용하여 상세하게 분석하였다. 저주파와 고주파의 경우에 관한 해석을 하였고 이득과 대역폭및 입력 impedance와 출력 impedance를 주는 식을 유도하였다. 직렬궤환증폭기는 전압원으로 구동하여야하며 저저항부하로 동작시켜야 하고 병렬궤환증폭기는 전류원으로 구동하여야 하며 고저항부하로 동작시켜야 하는 것을 표시하였고 이 두가지 증폭단은 완충증폭단이나 변압기결합을 하지않고 결합시킬 수 있음을 표시하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.649-652
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• 1998

본 논문에서는 MICROTEC〔3,4〕시뮬레이터를 이용하여 소트키 다이오드를 형성하고 금속-반도체 쇼트키 접촉에서 턴 온 전압과 항복 전압을 관찰하였다. 또한 여러 가지 쇼트키 장벽 높이를 가지는 금속을 사용하여 동일한 디바이스에서 이들 금속-반도체 접촉에 전압을 인가했을 때, 순 방향에서 턴 온 특성을 관찰하여 턴 온 전압과 역 방향에서의 항복 현상을 관찰하여 항복 전압을 확인하였다. 사용된 금속은 Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), Ti(0.5V) 이며 반도체는 실리콘 n/n 구조가 형성되었다. 쇼트키 다이오드는 대 전력용 보다는 높은 속도의 스위칭 디바이스에 주로 응용되고 있으며 장벽의 높이가 높을수록 뚜렷한 정류 특성을 나타내어 순 방향 바이어스에서 빠른 턴 온 특성이 예상되는데 시뮬레이션 결과 또한 잘 일치하였다. 그리고 다이오드의 I-V 특성을 관찰하기 위해 역 방향 바이어스에서의 항복 전압을 관찰하였는데 쇼트키 장벽이 높을수록 낮은 항복 전압이 나타났다. 또한 디바이스 공정에서 epitaxial과 열처리 공정 후의 2차원적인 농도 분포를 나타내었다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2009년도 추계학술발표논문집
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• pp.457-460
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• 2009

본 논문에서는 실제 모델의 인테나 성능을 측정해 효율과 이득 면에서 더 나은 새로운 인테나 패턴을 설계하여 제작하였다. Ansoft사의 HFSS 시뮬레이션 툴을 사용하여 기존 모델의 3중대역(CDMA/DCN/PCS) IFA안테나를 4중대역(CDMA/GSM/PCS/WCDMA)으로 전류상쇄를 최소화 하여 설계하였다. 그 결과 기존 모델보다 평균 효율은 약 8.3 % 개선시켰으며, 평균 이득은 0.82dB 향상 되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2953-2955
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• 2005

생체전자기 역문제는 신체 외부에서 측정된 신호로부터 신체 내의 활동 전류원을 추정하기 위한 일종의 제한된 최적화 문제로써 목적함수가 수많은 국부해를 가지며, 또한 미분이 항상 가능하지도 않다는 단점을 가진다. 따라서 본 논문에서는 구현이 단순하고, 미분 값을 필요로 하지 않는 패턴 탐색 알고리즘을 사용하고, 비교적 계산 시간이 많이 소요되는 탐색 과정을 병렬화 하는 방법을 제안하였다. 그리고 생체 전자기 역문제에 적용하여 기존의 방식보다 더 빠르고 정확한 해를 얻음을 확인할 수 있었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2018년도 전력전자학술대회
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• pp.147-149
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• 2018

비대칭 부하 전류를 평형 상태로 만들기 위한 보상장치는 3상변수를 대칭좌표로 분리해야한다. 통상 전대역필터를 이용한 정상분, 역상분 분리 방식이 사용되는데 제어기 최하위단에서 동작하는 전대역필터의 대역폭이 전체 제어시스템의 대역폭을 제한한다. 따라서 보상장치의 제어성능을 향상시키기 위해서는 정역분리에 사용하는 필터의 대역폭을 넓혀야 한다. 본 논문에서는 대역폭이 조절가능한 고속화된 대칭좌표 분리 알고리즘을 제안한다. 이를 MATLAB/SIMULINK를 이용하여 시뮬레이션을 진행하였으며, TMS320F28335를 이용하여 실험을 진행하였다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제47권1호
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• pp.62-66
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• 2010

순수한 수동소자들을 사용하여 영전류 영전압에서 소프트하게 스위칭 동작하는 펄스 폭 변조 의사 공진 컨버터를 소개한다. 사용된 수동 소자망은 폴딩 스너버망의 변형된 형태로 컨버터의 주 정류 다이오드의 역 복귀 전류를 제거시켜 주고 스위칭 소자 MOSFET를 소프트하게 스위칭 시킨다. 효율도 능동 스너버형과 비슷한 수준이고 회로 구성이 간단하여 구현하기 쉬우며 중 출력(수 KW이하) 정전압 공급원에 적합하다.

• 한국항행학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.176-182
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• 2010

본 논문에서는 역 E-급 증폭기 출력 회로의 병렬 공진기를 주파수에 대해 가변되도록 회로를 구성하여 넓은 주파수 범위에서 높은 전력부가효율과 출력전력을 유지하는 방법을 제안하였다. 여기서 사용된 병렬 공진기는 동작 주파수에 따라서 Q 값은 동일하고, 가변 특성을 얻기 위해서 바렉터 다이오드를 사용하여 인덕터와 캐패시터를 만들었으며, 전류 영점 교차를 위한 인덕턴스 성분은 집중소자로 또, 위상 보상을 위한 캐패시턴스는 분포소자로 구현하였다. 역 E-급 증폭기의 주파수 가변 특성을 통해서 효율과 출력 전력을 확인한 실험 결과는 65-120MHz의 주파수 범위에서 증폭기는 최대 75%의 전력부가효율과 25dBm의 출력전력을 얻었다.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2010년도 학술발표회
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• pp.1770-1774
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• 2010

하구는 담수와 해수가 만나 넓은 갯벌과 기수역을 형성하여 각종 생물의 서식지이자 어류의 산란지로 이용되는 생태학적으로 중요한 지역이다. 특히 한강 하구는 국내 4 대강 가운데 유일하게 하구둑이 설치되어 있지 않아 조수의 출입이 자유롭고 민간인 접근이 통제되어 있어 자연적인 하천지형과 기수역 생태계가 비교적 잘 보전된 구역이다. 본 연구의 모의영역은 한강 하류부로 상류 경계단은 행주대교, 하류 경계단은 전류단 수위표가 위치한 경기도 연천군 전곡읍 전곡 사랑교 부근으로 설정하였다. 지형자료는 한국건설기술연구원에서 2009년 8월 홍수사상 전 후에 대해 측량한 자료를 사용하였다. 한강 하구역에 대한 지형 격자를 구성하기 위하여 RAMS 전후 처리기인 RAMS-GUI를 사용하였으며, 구성된 지형 격자의 절점 수는 2,354개, 요소 수는 2,145개로 삼각요소와 사각요소가 혼용되어 있다. 구성된 격자망을 이용하여 2차원 하상변동 해석 모형인 SED-2D 모의를 통해 홍수사상에 의한 한강 하구부의 하상변동을 살펴보았다. SED-2D 모형은 미국 육군 공변단의 WES와 미 연방 도로국이 연계하여 개발되어 현재 국내외 2차원 하천해석에서 가장 널리 사용되고 있는 모형 중 하나이다. 하상변동 해석모형인 SED-2D를 통해 모의된 하상 변동량을 실제 측량된 홍수 전 후의 지형자료와 비교함으로써 모형의 성능을 분석하였다. 분석결과 SED-2D 모형의 경우 침식에 의한 하상변동이 모의되지 않았지만, 전반적인 하상변동 경향을 살펴볼 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권7호
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• pp.1509-1513
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• 2009

본 논문에서는 광대역 통신 시스템을 위한 반원형 (semi-circle) 안테나에 대하여 소개 하였다. 제안된 안테나는 1.5GHz 부터 5GHz (> ${\sim}$110%) 이상의 광대역 주파수 대역에서 전방향성 의 선형 편파를 방사 한다. 반원 안테나의 중심 급전 점으로 부터의 경사각 (tilt angle) 변화에 의하여 발생하는 안테나상의 전류 경로 변화와 이에 따른 동작 주파수 대역 변화에 대하여 조사하였으며, 측정된 안테나의 최대 이득은 동작 주파수 대역에서 2 ${\sim}$3 dBi 이다.

• 한국진공학회지
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• 제2권4호
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• pp.462-467
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• 1993

ECR PECVD(Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )장치를 이용하여 (100) 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막을 상온에서 증착하였다. 기체 유량비(SiH4/O2)가 막의 성질에 미치는 영향을 고찰하여 최적의 증착 조건을 도출하였다. 기체 유량비가 0.071일 때 비가역 파괴 전장은 9~10MV/cm 이었고, 4~5MV/cmm의 전장하에서 누설 전류는 ~10-11 A/$ extrm{cm}^2$이었다. 이러한 수치들은 액정 표시 소자용 박막 트랜지스터와 같이 저온의 제조공정이 요구되는 소자를 만들기에 충분하다.