• 한국자동차공학회논문집
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• 제10권1호
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• pp.255-264
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• 2002

In this paper, the power transmitting mechanism for negative torque of the metal V-belt (MVB) CVT were investigated by theoretically analyzing variation of band tension, block compression forces for each of the primary and secondary pulleys. An experimental study was performed to investigate the speed ratio - thrust characteristics for negative torque. The experimental results are in good acoordance with the theoretical results. CVT line pressure control logic was suggested for negative torque based the speed radio - negative torque - thrust characteristics and the thrust ratio curves. The results of this study can be used as basic design materials for developing the CVT control system for negative torque.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2017년도 춘계학술발표대회
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• pp.132-135
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• 2017

무선 센서 네트워크에서 센서 노드는 한정된 에너지를 가진다. 이에 센서 노드의 전송 에너지의 효율을 높여 네트워크의 수명을 연장하는 것이 중요하다. 무선 센서 네트워크에서 LEACH는 클러스터 헤드가 난수를 이용한 확률값으로 선출하여 주변 노드들과 함께 클러스터를 구성한다. 그러나 노드들이 베이스 스테이션과 클러스터 헤드 사이에 존재할 경우 클러스터 헤드로 데이터를 전송하게 되므로, 베이스 스테이션의 역방향으로 전송하게 된다. 이는 역방향 전송을 받은 클러스터 헤드가 다시 베이스 스테이션에 데이터를 전송하게 되어 불필요한 에너지를 소비한다. 본 논문에서는 LEACH의 불필요한 전송 에너지의 소비를 줄이기 위하여 D-LEACH를 제안한다. D-LEACH는 센서 노드와 베이스 스테이션 그리고 클러스터 헤드 사이의 거리를 계산하여 직접 전송하거나 멀티 홉 전송으로 데이터의 전송방향을 베이스 스테이션이 위치한 방향으로만 전송하게 함으로 전송 에너지 효율을 높인다.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송공학회 2010년도 하계학술대회
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• pp.24-27
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• 2010

움직임 보상 외삽 기법은 전송중 손상된 프레임의 복원 및 프레임율 증가 뿐 아니라 분산 동영상 부호화 시스템(distributed video coding:DVC)의 부가 정보(side information) 생성에도 활용될 수 있다. 본 논문에서는 기존의 다양한 움직임 보상 외삽기법의 성능을 평가하고 정방향과 역방향 움직임 예측을 함께 이용한 효율적인 움직임 보상 외삽 기법을 제안한다. 모의 실험결과 제안하는 기법이 기존의 기법에 비해서 우수한 성능을 보임을 확인하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.5-6
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• 2014

이 논문에서 고효율, 고 승 강압 양방향 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안된 컨버터는 고 승 강압을 저비용으로 동작시키기 위해 플라이백 컨버터와 탭 부스트 컨버터로 구성되어있다. 높은 승압을 얻기 위해 플라이백 컨버터와 탭 인덕터 컨버터의 출력부분은 직렬로 연결되어있다. 또한, 역방향에서 제안된 컨버터는 매우 큰 강압을 할 수 있다. 이 제안된 컨버터는 100W급으로 설계하였으며, PSIM시뮬레이션과 실험을 통해 순방향과 역방향의 특성과 효율을 측정하여 고효율 고 승 강압 양방향 DC-DC컨버터임을 증명하였다.

• 한국음향학회지
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• 제12권3호
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• pp.5-12
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• 1993

볼트와 너트에 대한 초음파비파괴검사는 종파와 사각 횡파 기술을 사용하고 있는데 작은 결함신호는 자사산의 신호와 크기가 비슷해 구분이 되지 않는다. 본 논문에서는 나사산의 다중반사신호로부터 결함신호를 구분할 수 있는 방법을 제시한다. 종파를 사용하였을 경우 균열의 선단신호와 코너에서 반사되는 신호는 진행시간이 거의 같아 중첩되어 나타나지만 균열로 인한 Rayleigh파는 균열의 선단신호와 코너에서 반사되는 신호다음에 결함길이에 따른 미세한 진행시간을 가지고 나타난다. 이와는 다르게 횡파를 사용하였을때의 균열의 선단신호는 코너에서 반사되는 신호보다 앞에 나타난다. 이러한 나사산에 존재하는 결함의 선단신호를 기준으로 순방향 또는 역방향으로 반사되는 신호로부터 작은 결함신호도 구분할 수 있고 그 크기를 정량적으로 계산할 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1998년도 추계종합학술대회
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• pp.252-256
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• 1998

본 논문은 새로운 서비스의 하나인 WLL 시스템의 도입에 따른 기존 고정서비스인 M/W 시스템에 미치는 간섭영향을 분석한 것이다. 이를 위해 M/W국에 미치는 WLL 시스템의 순방향 및 역방향 링크상에서의 간섭전력을 계산하여 그 평가를 행하였다. 그 결과로서 순방향링크에 의한 간섭영향은 기지국의 송신출력에 비례하여 증가하지만 셀반경에는 관계가 없다. 반면, 역방향링크에 의한 간섭영향은 가입자의 송신출력에 비례하고, 셀반경이 작아짐에 따라 간섭영향이 커진다. 비록 본 연구는 M/W 시스템에 미치는 WLL 시스템의 간섭영향 분석에 국한되고 있지만, 향후 이와 반대인 WLL 시스템에 미치는 M/W국의 간섭영향을 분석하기 위한 연구로 확장 가능하다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2000년도 춘계종합학술대회
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• pp.222-225
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• 2000

본 논문에서는 차세대 멀티미디어 통신인 IMT-2000 시스템의 엑세스 방식으로 제안되고 있는 cdma2000 규격을 채용한 동기식 CDMA 시스템을 시뮬레이션하여 최적의 역방향 채널 전력비와 채널 추정 길이를 구하였다. 제안된 시스템은 기존의 IS-95와는 달리 Pilot 채널을 이용하여 페이딩 채널을 추정하며, 이에 따라 최적의 추정 길이(Estimation Lengths)가 요구된다. 따라서 본 논문에서는 Pilot Channel과 Fundamental Channel의 전력비에 따라 요구되는 최적의 추정 길이를 구하였고, 또한 고정된 추정 길이에서 전력비의 변화에 따른 FER을 구하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제24권6A호
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• pp.845-854
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• 1999

DS/CDMA 방식의 역방향 링크 구조에 Peak-to-Average Ratio(PAR) 성능은 대역 확산 신호의 위상의 변화로 해석된다. 본 논문에서는 대역확산 신호의 위상 변화를 이용하여 PAR 특성을 해석하는 방법을 제안한다. 이러한 해석 방법을 토대로 기존의 방법을 분석하고, 몇 가지 PAR 성능 개선 방법의 예를 제시하였다. 또한 제시된 방법이 BER 성능에서도 기존의 방법과 큰 차이가 없음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.289-292
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• 2004

반도체 소자의 파괴 원인으로는 주로 열, 전압, 전류, 진동 및 압력 등이 있다. 이 중에서 전압과 열을 스트레스 인자로 적용하여 가속열화 시험을 진행하였다. 전압 및 열에 의한 소자의 열화정도를 파악하기 위해 현재 상용화되어 있는 Phase Control Thyristor 중 $V_{DRM}\;=\;1500V,\;V_{BRM}\;=\;1500V, \;T_{HS}\;=\;-40{\sim}125^{\circ}C$ 정도의 사양을 가지는 소자를 사용하였다. 열화에 의한 여러 가지 변동특성 중에서 소자의 순방향 및 역방향 항복특성의 변화와 누설전류의 변화에 대해 실험을 통해 알아보았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.3-5
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• 2005

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 항복전압이 증가하고 누설 전류가 감소한 수평방향 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였다. 산화 과정 후, 턴-온 전압이 미세하게 증가하였으며 높은 애노드 전압하에서 애노드 전류가 증가하였다. 5분과 10분의 산화 과정 후, 누설 전류는 1nA 이하 수준으로 현저히 감소하였다. Edge Termination 방법으로 Floating Metal Ring을 사용하고, 산화 과정을 적용하여 제안된 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 항복전압은 750볼트의 큰 값을 얻을 수 있었다. 상온과 $125^{\circ}C$ 에서 제작한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 회복 파형도 측정하였으며, 제작한 소자는 매우 빠른 역방향 회복 특성을 보였다.