• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.35-35
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• 2015

AZ31B 마그네슘 합금 판재를 이용하여 자동차 부품을 가공하는 경우에는 판재를 성형하고 이를 접합하여 복잡한 형태의 부품을 만들게 되는데, 대부분의 경우에서 전착도장 공정을 필수로 거치게 된다. 그리고 전착도장 공정은 기존의 자동차 생산 공정에 사용되는 도료 및 공정을 그대로 이용하여야 하며, 현재까지 연구된 결과에 의하면 마그네슘 소재의 전착도장은 전착도장 공정 전에 행해지는 화성처리 공정이 적절하게 처리되었다면 공정상 별다른 문제를 발생시키지 않는다. 즉 마그네슘의 화성처리는 전착도장 공정과 전착도장된 제품의 내식성에 매우 중요한 요소이다. 이러한 화성처리 공정은 화성처리 공정 전단계의 표면 전처리 공정에 크게 영향을 받게 되는데, 본 연구에서는 AZ31B 마그네슘 함금 판재의 전처리-화성처리-전착도장으로 구성되는 마그네슘 표면처리에 있어서 전처리 공정중 산에칭 공정이 화성처리-전착도장의 최종 물성에 미치는 영향에 관하여 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.36-36
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• 2015

AZ31B 마그네슘 합금 판재를 이용하여 자동차 부품을 가공하는 경우에는 판재를 성형하고 이를 접합하여 복잡한 형태의 부품을 만들게 되는데, 대부분의 경우에서 전착도장 공정을 필수로 거치게 된다. 그리고 전착도장 공정은 기존의 자동차 생산 공정에 사용되는 도료 및 공정을 그대로 이용하여야 하며, 현재까지 연구된 결과에 의하면 마그네슘 소재의 전착도장은 전착도장 공정 전에 행해지는 화성처리 공정이 적절하게 처리되었다면 공정상 별다른 문제를 발생시키지 않는다. 즉 마그네슘의 화성처리는 전착도장 공정과 전착도장된 제품의 내식성에 매우 중요한 요소이다. 이러한 화성처리 공정은 화성처리 공정 전단계의 표면 전처리 공정에 크게 영향을 받게 되는데, 본 연구에서는 AZ31B 마그네슘 함금 판재의 전처리-화성처리-전착도장으로 구성되는 마그네슘 표면처리에 있어서 전처리 공정중 산에칭 공정이 화성처리-전착도장의 최종 물성에 미치는 영향에 관하여 조사하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• 제3권2호
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• pp.56-60
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• 1988

반도체 가스의 순도에 따라 반도체 박막의 특성이 좌우되기 때문에 현재의 고순도 가스에서 초고순도 가스로 사용하여야 한다. 최근 반도체 공정기술은 화학증착법으로 많은 특수 가스를 사용하는데 이런 가스들은 사전에 가스에 대한 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야만 고성능화 공정기술이 가능하다. 반도체용 가스는 회로의 집적도가 높아짐에 따라 요구되는 가스의 품질이 점점 고순도화되고 있다. 따라서 현 반도체 공정에 사용되는 가스 순도를 초고순도화 시켜야만 초고집적 소자인 4M DRAM, 16M DRAM, 64M DRAM 제품 개발 및 제조가 가능하다. 다시말해서 공정에 따른 주변조건이 이루어져야 만 반도체 산업이 크게 신장 할 수 있다. 최근 반도체 공정 기술로는 플라즈마(Plasma), 드라이에칭(Dry etching), CVD(Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), Ion Implantation, EPI 공정으로 거의 대부분 공정 가스가 가연성, 폭발성, 독성, 부식성 이기 때문에 한번 취급을 잘못하면 막대한 인명 및 재산 피해를 입히므로 취급상 특별한 주의를 요하고 사전에 가스의 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.204-204
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• 2009

추가적인 습식 에칭 공정 없이 유도결합 화학 기상 증착법을 이용하여 공정변수 조절만으로 ZnO 박막의 texture와 표면 거칠기를 조절하여 Hzae 특성을 향상시켰다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 한국정밀공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.155-156
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• 2007

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 한국재료학회 1999년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.138-138
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• 1999

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 한국재료학회 2000년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.90-90
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• 2000

• Journal of Sensor Science and Technology
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• 제4권1호
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• pp.64-71
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• 1995

We have developed a silicon etching method by which highly doped layers are selectively etched using stain etching technique. Current supply to the backside contact of silicon wafer and special reactor are not required in this method. Therefore this method is much simpler than anodic reaction method and could be applied to standard VLSI process. In addition, highly doped layers of several wafer structures, including the structures where conventional anodic reaction method cannot be used, could be preferentially etched by this technique. We have also fabricated micromechanical structures such as cantilevers and air-bridges on the $n/n^{+}/n$ wafer and air-bridges on the $p/p^{+}$ wafer using this stain etching technique.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• 제9권4호
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• pp.55-60
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• 2002

This paper presents a technique for the preparation of vertically grown CNTs by ICPHFCVD(inductively coupled plasma hot filament chemical vapor deposition) below $580^{\circ}C$. Purification of the CNTs(carbon nanotubes) using RE(radio frequency) plasma in a one step process, based on the different etching property of the Ni-tip, amorphous carbon and carbonaceous materials is also discussed. After purifying the grown materials. CNTs shown the multi walled and hollow typed structure. The typical outer and inner diameters or CNT were 50 nm and 25 nm, respectively. The graphitic wall was composed of 82 layers and the distance between wall and wall was 0.34 nm. From the results of TEM observation, the Ni catalyst at the tip of the carbon nanotubes were effectively removed by using a RF plasma etching, continuously.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• 제14권4호
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• pp.323-327
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• 2021

This paper produced SUS MASK, which is used for OLEDs, using an automatic liquid management system. The SUS MASK was tested by setting the hole diameter to 0.4 mm. The additive F300 was found to be excellent as the hole diameter was close to 0.4 mm and the error range was measured to be 0.08 on average. And as a result of measuring the weight reduction amount of CuCl2 and FeCl3 according to the change in oxidation-reduction potential (ORP), FeCl3 is relatively sensitive to ORP changes. Experiments were conducted on whether ORP (610 mV) and specific gravity (1.463) were automatically controlled while continuously etching the SUS Mask. Experimental results show that the automatic liquid management system is well controlled because the setting value is not significantly changed. After setting the hole diameter to 0.4 mm as the target, the experiment results were measured from 0.36 to 0.44. Therefore, it is expected that etching processing in the manufacturing process of SUS MASK can be improved with higher precision by applying the manufactured automatic liquid management system.