• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.26 no.3
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• pp.117-127
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• 1982

In order to analyze the role of axial carbon atoms in rotational barrier of ethane, we take the carbonless ethane, as a model, which is made of six hydrogens in coordinates of ethane. The energy of the system is calculated by McWeeny's open-shell restricted Hartree-Foch selfconsistent-field (RHF-SCF) method, and the transition density on the staggered-to-eclipsed rotation is examined. As being expected, the eclipsed form of the model is more stable than the staggered one. Through the transition density comparison of this model and real ethane, it is found that the existence of the axial carbon atoms induces the electronic density to be diluted in the vicinity of protonic sites and to be attracted to the region of carbon atoms or further to C-C bond region as the barrier is traversed. This migration of electronic charge tell us that the barrier to the internal rotation of ethane originates from the fact that the magnitude of electronic energy depression is not large enough to offset the increased nuclear-nuclear repulsion on the staggered-to-eclipsed rotation.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.9
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• pp.2000-2006
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• 2011

In this paper, the drain induced barrier lowering(DIBL) for doping distribution in the channel has been analyzed for double gate MOSFET(DGMOSFET). The DGMOSFET is extensively been studing because of adventages to be able to reduce the short channel effects(SCEs) to occur in convensional MOSFET. DIBL is SCE known as reduction of threshold voltage due to variation of energy band by high drain voltage. This DIBL has been analyzed for structural parameter and variation of channel doping profile for DGMOSFET. For this object, The analytical model of Poisson equation has been derived from Gaussian doping distribution for DGMOSFET. To verify potential and DIBL models based on this analytical Poisson's equation, the results have been compared with those of the numerical Poisson's equation, and DIBL for DGMOSFET has been investigated using this models.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.20 no.5
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• pp.51-59
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• 2016

STS 321 stainless steel is generally used for a material of high-temperature and high-pressure system including liquid rocket engine. The constitutive equation for flow stress has been suggested using thermal stress component and athermal stress component based on Kocks dislocation barrier model to predict 321 stainless steel's deformation behavior at elevated temperature. The suggested model predicted well the material deformation behaviors of 321 stainless steel at the wide temperature range from room temperature to $500^{\circ}C$.

• Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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• v.37 no.11
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• pp.1096-1103
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• 2009

The predictions of the material behavior for the structural stability of thrust chamber mixing head at very-low temperatures are very important since the head is highly pressurized by the liquid oxygen with very-low temperatures and experiences impact load by the thrust of combustion chamber. The constitutive equation to express tensile deformation behavior of the material at very-low temperature to predict deformation behavior of the mixing head is formulated by composition of thermal component and athermal component based on dislocation energy barrier model suggested by Kocks. Also, increase of thermal stress components by the increase of obstacles at low temperatures is formulated to the equation similar with Ramberg-Osgood equation. The suggested model predicted well the material's behavior at the wide temperature ranges from very-low temperature to ambient temperature.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.19 no.1
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• pp.1-4
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• 2009

Solving the stochastic Landau-Lifshitz-Gilbert equation numerically, we investigate the attempt frequency of magnetization in synthetic antiferromagnet (SyAF). The attempt frequency is estimated while varying the uniaxial anisotropy constant, the energy barrier and the geometry of a magnetic layer. It is found that the attempt frequency is decreased for the same magnetic volume by increasing the asymmetry of the geometry in the high damping region. Also, even for a constant height of energy barrier, the attempt frequency can vary dramatically with uniaxial anisotropy constant.

• Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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• 2001.04a
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• pp.14-14
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• 2001

WC-Co 계의 입성장 억제는 현재 초경합금 분야에서 공학적으로 가장 중요한 이슈들 중의 하나이다 VC를 비롯한 입방정 탄화물이나 $Cr_3C_2$ 등의 여러 가지 탄화 물이 혼합되어 입성장 억제에 이용되는데 입성장 억제의 효과는 대략적으로 용해되는 탄화물의 양에 의존하고 있는 것으로 추정된다. 보다 효율적으로 입성장 억제를 실현하려면 입성장 기구를 명확히 할 필요가 있다. 최 등[1]은 VC가 WC 입자 표면 에서의 edge energy를 증가시켜서 2차원 핵생성의 에너지 장벽을 올리게 하고 이에 따라 입성장이 억제된다는 모델을 제안하였다. 이러한 모텔을 입증하기 위해서는 이론적으로만 예측이 가능한 edge energy보다 좀 더 명확한 물리적인 변수가 제시되어야 할 것이다. 여기서는 또 다른 계인 NbC- TiC-Co 계에서 NbC와 TiC의 버에 따른 입성장 거동과 입자의 형상간의 관계로부터 업성장과 edge energy 그리 고 edge energy와 입자 형상간의 관계를 알아보고 이로부터 좀 더 구체적인 의미 에서의 입성장 모텔과 입성장 억제기구를 제시하고자 한다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2014.03a
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• pp.75-88
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• 2014

본 연구에서는 비선형 Poisson-Boltzmann 식의 해를 구할 수 있는 웹 기반 EPBS를 이용하여 이온채널의 전하 분포와 유전률이 이온채널의 이온선택성에 미치는 영향에 대해 알아본다. 모델로 사용한 이온채널은 이온채널과 유사한 구조를 갖는 합성 단백질인 고리형 펩타이드 나노튜브와 자연계에 존재하는 Gramicidin A 이다. 계산 결과로부터 용매인 물과 단백질의 유전율 차이에 의해 이온이 이온채널을 통과할 때 반응장이 생성되며, 이는 이온과 상호작용을 통해 이온 종류에 관계없이 이온 통과를 방해하는 에너지 장벽을 형성함을 알 수 있다. 한편, 두 이온채널 부분 전하, 특히 골격에 존재하는 카르보닐기의 쌍극자 모멘트에 의해 이온채널 내부에는 0 보다 작은 정전기 퍼텐셜이 형성된다. 이온채널 내부의 총 정전기 퍼텐셜은 이온채널의 부분 전하에 의한 정전기 퍼텐셜과 유전률 차이에 의한 반응장의 합으로 나타나며, 계산 결과 0 보다 작은 값을 갖는다. 이로부터 본 연구에서 사용된 두 종류의 이온채널이 양이온에 선택성이 있음을 알 수 있다.

• 기계와재료
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• v.25 no.3
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• pp.16-29
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• 2013

현재 전세계적으로 에너지 절감과 지구환경 보호를 위한 이산화탄소 가스 배출의 저감하는 피할 수 없는 생산제조산업 분야의 높은 장벽으로 다가서고 있다. 공작 기계류의 진보는 날이 갈수록 거듭되어 다양한 기술의 융복화 등 궁극적인 첨단 고도화에 이르고 있으나, 이와 같은 문제점들을 기본적으로 안고 있는 것은 사실이다. 그 대응 방안으로는 소성 성형 방식으로의 가능한 한 대체화가 될 수 있으며, 또한 기존에는 스프링 백 등의 고연성 등으로 인하여 성형이 곤란하여 기피하던 난성형재도 보다 경량화 등의 추세에 대응하기 위하여 불가피하게 사용되기 위해서도 획기적인 소성 성형 시스템을 필요로 한다. 이와 같은 차원에서 최근에 에코 융합화를 모색하는 새로운 서보모터 구동형 프레스 시스템의 도입이 적극적으로 이뤄지고 있으나 국내의 경우에는 국산화 개발이 늦어져 고부가가치 제품에 대한 기술종속성이 우려되고 있다. 최근 한국기계연구원을 중심으로 산학연 컨소시엄 형태로 산업원천기술개발사업의 일환인 지식기반 자율제어형 초정밀 디지털 서보프레스 시스템 개발에 관한 연구가 진행중이며, 기술선도국의 보유 기술 수위를 넘은 에코/정보/지식 융합화 모델을 궁국적으로 개발하고자 한다. 본문에서는 이에 대한 현재까지의 개발 진행 내용을 정리하여 간단히 요약하여 나타내었다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2014.03a
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• pp.15-27
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• 2014

양자화학 (quantum chemistry)을 처음 접했을 때, 이전까지의 고전역학 (classical mechanics)에 익숙한 대다수의 학생들은 양자화학을 받아들이는 데 어려움을 겪는다. 모형계에 양자역학 (quantum mechanics)을 직접 적용하여 봄으로써 생소한 양자 개념에 대한 이해를 도울 수 있다. 본 논문에서는 양자동역학 (quantum dynamics)을 수치적으로 구현하는 계산 프로그램을 모형계에 적용하여 양자 개념을 설명할 수 있는 몇 가지 예를 보이고자 한다. 1 차원 시간의존 슈뢰딩거 방정식 (1-D time-dependent $Schr{\ddot{o}}dinger$ equation)의 해를 얻어 양자동역학을 구현하였으며, 그에 해당하는 고전동역학은 뉴턴 방정식 (Newton's equation)의 해로 얻어졌다. 조화 진동자 퍼텐셜 (harmonic oscillator potential), 모스 진동자 퍼텐셜 (Morse oscillator potential), 이중 우물 퍼텐셜 (double-well potential), 네모 퍼텐셜 장벽 (rectangular potential barrier), 그리고 에카트 퍼텐셜 (Eckart potential)에 대한 계산을 수행하였다. 두 가지 동역학을 비교하기 위하여 계산 결과의 시각화 (visualization)를 이용하고 동역학 특성의 차이를 비교하는 차별화 (differentiation)를 강조한다. 영점에너지 (zero-point energy), 위상어긋남 (dephasing), 터널링 (tunneling), 그리고 반사 (reflection) 현상과 같은 양자동역학의 특징을 고전동역학과 비교함으로써 직관적인 이해를 도울 수 있었다. 이러한 결과는 양자화학에 입문하는 학생들을 대상으로 쓰일 수 있는 효율적인 강의 모델을 제시할 것으로 기대한다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.2
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• pp.130-135
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• 2006

We theoretically demonstrate that the interlayer exchange coupling (IEC) energy can be manipulated by means of an external bias voltage in a $F_1/NM/F_2/S$$(F_1:ferromagnetic,\;NM:nonmagnetic\;metallic,\;F_2:ferromagnetic,\;S:semiconductor\;layers)$ four-layer system. It is well known that the IEC energy between two ferromagnetic layers separated by nanometer thick nonmagnetic layer depends on the spin-dependence of reflectivity to the $F_1/NM/F_2/S$ four-layer system, where the reflectivities at the interface in $NM/F_2$ interface also depends on $F_2/S$ interface due to the multiple reflection of an electron-like optics. Finally, the IEC energy depends on the spin-dependent electron reflectivity not only at the interfaces of $F_1/NM/F_2$, but also at the interface of $F_2/S$. Naturally the Schottky barrier is formed at the interface between metallic ferromagnetic layer and semiconductor, the Schottky barrier height and thickness can be tailored by an external bias voltage, which causes the change of the spin-dependent reflectivity at $F_2/S$ interface. We show that the IEC energy between two ferromagnetic layers can be controlled by an external bias voltage due ti the electron-optics nature using a simple free-electron-like one-dimensional model.