• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.273-273
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• 2011

현재 사용되고 있는 플로팅 게이트를 이용한 플래시 메모리 소자는 비례축소에 의해 발생하는 단 채널 효과, 펀치스루 효과 및 소자간 커플링 현상과 같은 문제로 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 silicon nitride와 같은 절연체를 전자의 트랩층으로 사용하는 charge trap flash (CTF) 메모리 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. CTF 메모리 소자의 전기적 특성에 대한 연구는 활발히 진행 되었지만, 수치 해석 모델을 사용하여 메모리 소자의 전하수송 메커니즘을 분석한 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 수치 해석 모델을 적용하여 개발한 시뮬레이터를 사용하여 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 시 전하수송 메커니즘에 대한 연구를 하였다. 시뮬레이터에 사용된 모델은 연속방정식, 포아송 방정식과 Shockley-Read-Hall 재결합 모델을 수치해석적 방법으로 계산하였다. 또한 CTF 소자 프로그램 동작 시 트랩 층으로 주입되는 전자의 양은 Wentzel-Kramers-Brillouin 근사 법을 이용하여 계산하였다. 트랩 층에 트랩 되었던 전자의 방출 모델은 이온화 과정을 사용하였다. 게이트와 트랩 층 사이의 터널링은 Fowler-Nordheim (FN) tunneling 모델, Direct tunneling 모델, Modified FN tunneling 모델을 적용하였다. FN tunneling 만을 적용했을때 보다 세가지 모델을 적용했을 때가 더 실험치와의 오차가 적었다. 그 이유는 시뮬레이션 결과를 통해 인가된 전계에 의해 Bottom Oxide 층의 에너지 밴드 구조가 변화하여 세가지 tunneling 모델의 구역이 발생하는 것을 확인 할 수 있었다. 계산된 결과의 전류-전압 곡선을 통해 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성을 관찰하였다. 트랩 층의 전도대역과 트랩 층 내부에 분포하는 전자의 양을 시간에 따라 계산하여 트랩 밀도가 시간이 지남에 따라 일정 값에 수렴하고 많은 전하가 트랩 될 수록 전하 주입이 줄어듬을 관찰 하였다. 이와 같은 시뮬레이션 결과를 통해 CTF 메모리의 트랩층에서 전하의 이동에 대해 더 많이 이해하여 CTF 소자가 가진 문제점 해결에 도움을 줄 것이다.

• The Magazine for Energy Service Companies
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• s.21
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• pp.20-23
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• 2003

목포 대불공단에 위치한 케이씨㈜(구, 한국화학)는 작년 10월부터,올 1월까지 응축수회수시스템, 감압 및 트랩개선, 보일러 공기예열기 설치 등 공정개선 ESCO사업을 시행해 연간 약 3억9천만원에 달하는 에너지비용을 절약하고 있다. 자금력과 전문인력확보가 어려운 중소기업에 있어서 ESCO사업은 자금부담을 크게 줄일 수 있을 뿐 아니라 ESCO의 우수한 맨파워를 활용함으로써 전문기술력을 제공받는 효과가 기대된다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.28 no.4
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• pp.251-258
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• 1984

The mechanism of photosensitization and the affect of binder on dye-sensitized ZnO have been studied by surface photovoltage spectroscopy. It has been found that the value of energy trapping level $E_{t1}$ on ZnO is 1.12eV (${\lambda$ = 1,100nm) and that of energy trapping level $E_{t2}$ on dye-sensitized ZnO is 0.99eV (${\lambda$ = 1,250nm) which is shifted towards a longer wavelength. The effect of binder on ZnO has been increased the efficiency of surface photovoltage, but it does not effect the values of energy trapping level. The acid-type dyes agree well with the prediction based on an electron transfer mechanism. The desensitization of the Na salt-type dyes for the intrinsic photoresponse of zinc oxide can be explained by energy transfer mechanism. It has been obtained that the dye-sensitized ZnO indicates the possibility of electrophotographic photosensitizer for the infrared range of light.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.2
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• pp.144-150
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• 1995

Ceramic filter using energy trapping effect is used bandpass filter at high frequency. In this paper, the resonant points of the symmetrical modes and antisymmetrical modes were theoretically analyed and synthesized these modes in order to know the filter characteristics. We simulated them using the computer and also fabricated the ceramic filter using PZT-4 piezoelectric plate made by Valpey Fisher Co., The 1.5[.mu.m] - thick platinum electrode were deposited on the ceramic plates with the various masks. The characteristics of the fabricated filters were measured using the spectrum analyzer. Experimental data were compared with the theoretical results. The maximum-pass frequencies coinsided exactly. The bandwidths of the fabricated filters were slightly different between theoretical and experimental results. We found that these phenomenon were caused by the stray capacitance between the two neighbor electrodes..

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.254-254
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• 2010

기존의 부유게이트를 이용한 플래시 메모리는 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있기 때문에 이를 해결하기 위한 비휘발성 메모리 소자로 CTF가 큰 관심을 받고 있다. CTF 메모리 소자는 기존의 플래쉬 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 데이터의 저장 기간이 길며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견뎌내는 장점을 가지고 있다. 최근 터널 장벽의 두께와 종류를 변화시킨 소자의 전기적 특성을 향상하기 위한 연구들은 많이 있었지만, 터널 장벽의 적층구조 변화에 대한 연구는 비교적 적다. 본 연구에서는 터널 장벽의 적층구조 변화에 따른 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성 변화에 대해 관찰하였다. 기존의 단일 산화막 (silicon oxide; O) 대신 산화막과 higk-k 물질인 질화막 (silicon nitride; N)을 조합하여 ON, NON, ONO로 터널 장벽의 여러 가지 적층 구조를 가진 소자를 설계하여 각 소자의 프로그램 동작 특성을 조사하였다. CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성을 거리와 시간에 따른 연속방정식, Shockley-Read-Hall 유사 트랩 포획 방정식 및 푸아송 방정식을 유한차분법을 사용하여 수치해석으로 분석하였다. WKB 근사를 이용하여 인가된 전계의 크기에 따라 터널링 현상에 의해 트랩층으로 주입하는 전자의 양을 계산하였다. 또한, 터널 장벽의 적층구조 변화에 따른 트랩층의 전도대역과 트랩층 내부에 분포하는 전자의 양을 시간에 따라 계산하였다. 계산 결과에서 터널 장벽의 적층구조 변화가 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성에 미치는 영향을 알 수 있었다. 소자의 프로그램 동작 특성을 분석함으로써 CTF 메모리 소자에 적합한 터널 장벽의 구조를 알 수 있었다. 기존의 단일 산화막보다 얇아진 산화막의 두께와 낮은 질화막의 에너지 장벽 높이로 전자의 터널링 현상이 더 쉽게 일어나기 때문에 ON 구조로 터널 장벽을 적층한 CTF 메모리 소자의 프로그램 속도가 가장 빠르게 나타났다. 이러한 결과는 터널 장벽의 구조적 변화가 전자의 터널 효과에 미치는 영향을 이해하고 프로그램 동작 속도가 빠른 CTF 메모리 소자의 최적화에 도움을 줄 수 있다.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.40 no.1
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• pp.73-81
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• 1991

In order to simulate the ceramic filter in the state of the one-strip electrode, the theory has been analyzed and a computer program has been developed using the energy trapping effect. The ceramic filters were fabricated using the PZT-4 specimen. The necessary condition that the ceramic filter has the energy trapping effect is that the electroded portion frequency should be smaller than the unelectroded portion frequency when the wave number is zero. Each of the average differences of the resonant point and bandwidth between by the theoretical calculations and by experiment results was 5.6[%] and 3.72[%]. It is considered that the one-strip ceramic filter having a desired characteristics and the lowest difference can be fabricated easily by means of the simulation developed in this paper and the fabrication methods.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.12
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• pp.29-34
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• 2000

The effects of electrical stress on MILC(Metal Induced Lateral Crystallization) poly-Si TFT were studied. After the electrical stress was applied on the TFT’s which were fabricated by MILC process, off-state(VG<0V) current was reduced by $10^2{\sim}10^4$ times. However, when the device on which electrical stress was applied was annealed in furnace, the off-state current increased as annealing temperature increased. From the dependence of off-state current on the post-annealing temperature, activation energy of the trap states in MILC poly-Si thin films was calculated to be 0.34eV.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.05a
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• pp.179.2-179.2
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• 2011

바이오매스 가스화 프로세스 개발에 있어서 가장 기본적인 해결과제는 고발열량의 합성가스 제조, 냉가스 효율의 향상, 타르 발생량 저감 및 제거이다. 가스화 효율 향상에 대한 연구는 국내외 적으로 많이 이루어지고 있으나, 타르 발생량 저감에 대한 연구는 많이 이루어져 있지 않다. 타르는 분자량이 큰 방향적 탄화수소로 응축되면 점성이 높아 배관폐쇄, 정제설비의 압력손실 증가로 인해 운전정지 및 가스화율 저하의 원인이 된다. 가스화로에서 타르 발생량을 저감시키는 방법 중에는 Ni계 촉매를 이용하는 방법이 있으나, 카본 누적에 의한 활성저하, 알칼리금속에 의한 응집 등의 문제가 발생할 수 있다. 한편 철산화물은 합성가스 중의 C2-C3계의 타르를 분해하는데 효과가 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 적벽돌, 염색슬러지 회재 등에는 철산화물이 다량 함유되어 있는 것에 착안하여 폐기물중의 폐금속을 이용한 바이오매스 가스화에 대한 연구를 수행하였다. 점토광물계 폐기물인 적벽돌 파쇄물($SiO_2$ 67.2%, $Al_2O_3$ 19.7%, $Fe_2O_3$ 8.7%, $K_2O$ 2.0%, $TiO_2$ 1.2%, MgO 0.7%)을 전처리 한 후 유동매체로하여 우드펠렛을 가스화한 결과, 가스 생성량이 증가하고, 타르 및 탄화수소류가 감소하는 경향을 나타내었다. 특히 타르는 후단의 타르 트랩에서 타르가 거의 검출이 되지 않았다. 전처리를 하지 않은 적벽돌 파쇄물은 반응시간이 경과한 후에 가스화율이 증가함에 따라 철화합이 가스화로내에서 환원되어 타르를 분해하는데에는 어느 정도의 반응시간이 필요한 것을 확인하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.9
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• pp.1718-1724
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• 2017

Recently, Smart plugs for real time monitoring of household appliances based on IoT(Internet of Things) have been activated. Through this, consumers are able to save energy by monitoring real-time energy consumption at all times, and reduce power consumption through alarm function based on consumer setting. In this paper, we measure the alternating current from a wall power outlet for real-time monitoring. At this time, the current pattern for each household appliance was classified and it was experimented with deep learning to determine which product works. As a result, we used a cross validation method and a bootstrap verification method in order to the classification performance according to the type of appliances. Also, it is confirmed that the cost function and the learning success rate are the same as the train data and test data.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.4
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• pp.343-347
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• 1997

The dependence of compensation mechanism in $P^+$-InGaAs layer implanted with oxygen on the annealing temperatures was investigated. The oxygen implantation was performed for electrical isolation. The conductivity was controlled by damage related traps below $500^{\circ}C$. For the temperature of 500 to $600^{\circ}C$, oxygen began to show the chemical effect of compensating the acceptors due to activation and type conversion (plongrightarrown-type) occurred at $600^{\circ}C$. This indicates that the defects generated by the chemical activity of oxygen increased with increasing annealing temperature, where activation energy of 24.2 meV was obtained. It is attributed to the formation of native defects, such as In interstitials, acting as shallow donor in InGaAs. Above $600^{\circ}C$, the interstitial Be atoms become reactivated and the n-type conductivity decreases.