Ground state energy levels of $Gd^{3+}$ ion (effective spin S = 7/2) in $PbWO_4$ single crystal doped with $Gd^{3+}$ paramagnetic impurity at tetragonal symmetry are calculated with spectroscopic splitting parameters and zero field splitting parameters using by effective spin Hamiltonian. It turns out that the zero field splitting energies of $Gd^{3+}$ ion were the same regardless of the directions of $PbWO_4$ : Gd single crystal. The calculated energy differences for ${\mid{\pm}7/2}$ > ${\leftrightarrow}{\mid{\pm}5/2}$ >, ${\mid{\pm}5/2}$ > ${\leftrightarrow}{\mid{\pm}3/2}$ >, and ${\mid{\pm}3/2}$ > ${\leftrightarrow}{\mid{\pm}1/2}$ > transitions were 6.9574 GHz, 6.9219 GHz, and 15.8704 GHz, respectively when the applied magnetic field is zero. The calculated energy level diagrams were different for different directions of applied magnetic field. For B // a- and c-axis, the energy level diagrams are calculated and discussed.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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1991.06a
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pp.65-65
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1991
레이저 분광학의 연구에 있어서 고출력이며 좁은 선폭인 레이저광이 요구된다. 특히 고리형 공진기 레이저는 이득물질에서 공간 홀 버닝 효과 (Spatial Hole Burning effect)를 줄이거나 없앨수 있으므로 정상파로 발진하는 레이저에 비하여 높은 출력의 단일모드 발진을 얻을 수 있다. 8자형 고리 공진기 레이저에서 외부 되반사경과 코팅되지않은 에탈론의 조합을 사용하여 높은 출력의 단일모드를 얻었다. 색소분자의 에너지 준위를 2준위 구조로 가정하여 고리형 색소레이저에 있어서의 단일모드 발진의 안정성(Stability)을 살펴보았으며 양방향으로 단일모드 발진을 하는 경우에 있어서의 쌍안정(Bistability) 상태를 확인하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2001.05a
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pp.333-336
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2001
The transient response in PDFA(Praseodymium-Doped Fiber Amplifier) is theoretically investigated. The PDFA has the spectral gain band in 1.3${\mu}{\textrm}{m}$. The transient model includes the transient buildup of the population inversion, the pump power, and the signal power and their transient variation along the fiber amplifier. The numerical analysis of transient model can predict the gain saturation, the variation of pump power and the gain as a function of the fiber length. It also shows the gain saturation and recovery effects depending on the pumping rate lead to distortion and saturation in the amplification of optical pulse. The results of numerical analysis, for the case of the Pr ion concentration of 1000ppm and the pump power of 0.5W the gain saturation is obtained 30dB at the length of 5m and the saturation time of upper level is 250 $mutextrm{s}$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.149-149
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2011
아르곤 기체의 방사세기 또는 그 세기 비는 플라즈마 공정 진단에서 일반적으로 사용된다. 본 실험에서는 100 mTorr 압력 조건하의 유도결합 플라즈마(13.56 MHz)에서 E-H 모드 전이 영역, rf 바이어스(12.5 MHz) 전력 인가 및 N2 혼합 시 단순화한 충돌-방사 모델에 기초한 광방사 세기비 방법을 적용하여 플라즈마 변수를 진단하였다. 개발 프로그램 기반의 분광기를 사용하여 아르곤 기체의 특정 파장(750.4, 751.5 그리고 811.5 nm)들을 관측하였고, 동일한 조건하에서 정전 탐침법으을 이용하여 전자 에너지 분포함수의 변화도 측정 하였다. 맥스웰 전자 에너지 분포를 가정하는 일반적인 경우와 비교하여 볼 때 실제적인 전자 에너지 분포함수의 측정은 전자의 가열 메커니즘에 대한 상세한 정보를 제공함과 동시에 플라즈마 재흡수에 대한 보정을 가능하게 해준다. 광방사 세기비법에 의해 측정된 결과에 의하면, 750.4 nm/751.5 nm는 높은 에너지(>13.08 eV)의 전자들의 유효 전자온도에 대한 정보를 나타내는 반면 811.5 nm/750.4 nm는 아르곤 준안정 준위 밀도(1s5)에 대한 정보를 제공하게 된다. 수행된 실험 조건하에서, 측정된 준안정 준위 밀도는 E-H 모드 전이 영역에서 최대값을 나타내었고 바이어스 전압 및 N2 기체 혼합 비율이 증가함에 따라 감소하는 결과를 얻었다. 유효 전자온도의 경우 광방사 세기비법과 정전 탐침법 모두 같은 결과를 보여 주었는데, E-H 모드 전이 영역에서는 전자온도는 거의 일정하였고 바이어스 전압 및 N2 기체 혼합 비율이 증가함에 따라 전자온도는 증가하였다. 이러한 실험 결과는 방전 모드 전이, 바이어스 인가 그리고 혼합 기체 사용하는 공정 플라즈마를 이해하는데 있어 이들 변수의 진단이 중요한 요소임을 보여준다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.232-232
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1999
교류형 플라즈마 방전 표시기(AC Plasma Display Panel, AC PDP)에 사용되는 플라즈마는 그 부피가 너무 작아서 플라즈마에 변화를 일으키지 않고 그 물성을 관측하기란 쉬운일이 아니다. 그래서 주로 PDP 내의 물성을 관측하는 데 시뮬레이션에 의존하게 된다. 그 물성중에 PDP내의 전계 분포에 대한 정보는 방전의 형성 및 소멸에 대한 많은 단서를 제공하고 있다. 특히 AC PDP의 경우, 유전체에 형성되는 벽적하(wall charge)가 방전의 형성 및 PDP 구동에 중요한 역할을 하는데, 이는 PDP 내의 전계 분포를 살펴봄으로써 대략 예측할 수 있다. 본 연구에서는 시뮬레이션에 의존하지 않고, 직접 레이저 유도 형광법을 이용하여 AC PDP 내의 전계를 측정하였다. 방전 가스인 헬륨(He)의 에너지 준위는 전계의 크기에 따라 에너지 준위가 변화하여, Rydberg(n$\geq$8) 준위가 여러 개의 준위로 나누어지는 현상이 일어나는데, 이를 Stack 효과라고 한다. 따라서 전계의 세기가 커짐에 따라서 각 준위와 준위 사이 값(splitting)이 커지는데, 이를 이용하면 전계를 측정할 수 있다. 즉, 헬륨 원자를 여기시키는 레이저 파장을 변화시키면서 관측되는 레이저 유도 형광 신호를 관측하면, 준위의 splitting을 관측할 수 있다. 본 연구에서는 PDP 내의 전계의 시간적 변화를 관측하였다. 50%, 40kHz의 구형파를 PDP의 두 전극에 가하였을 때, 플라즈마가 켜진 상태뿐만 아니라 플라즈마가 꺼진 후에도 전계에 의한 Splitting 신호가 관측이 되었는데, 전계로 환산하였을 때, 그 값은 대략 수 kV/cm의 값을 갖았는데, 이는 wall charge에 의한 값으로 사료된다.결과로 생각되어진다.플라즈마의 강도값을 입력하여 플라즈마의 radiation을 검출하고, 스퍼터링 공정중 실질적인 in-situ 정보로 이용하였다. PEM을 통하여 In/Sn의 플라즈마 강도변화를 조사하였다. 초기 In/Sn의 플라즈마 강도(intensity)는 강도를 100하여, 산소를 주입한 결과, plasma intensity가 35 줄어들었고, 이때 우수한 ITO 박막을 얻을 수 있었다. Pulsed DC power를 사용하여 아크 현상을 방지하였다. PET 상에 coating 된 ITO 박막의 표면저항과 광투과도는 4-point prove와 spectrophotometer를 이용하여 분석하였고, AES로 박막의 두께에 따른 성분비를 확인하였다. ITO 박막의 광투과도는 산소의 유량과 sputter 된 In/Sn ion의 plasma emission peak에 따라 72%-92%까지 변화하였으며, 저항은 37$\Omega$/$\square$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.로 보인다.하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다. 기대할 수 있는 여러
The velocity of gadolinium(Gd) atomic vapor vaporized by an electron beam was measured by a microbalance. The velocity of about 900 ㎧ was obtained at an evaporation surface temperature of 2400-2500 K. The measured value was approximately 100 ㎧ faster than the maximum velocity of an ideal monatomic gas in an adiabatic expansion. This phenomenon can be explained that the internal energy of Gd atoms populated in higher excited levels at the high temperature should be convened to kinetic energy during adiabatic expansion. The calculated velocity agrees with the measured one when 100 excited energy levels are included in an enthalpy term for the velocity calculation. The characteristics of vapor flow as a function of heated surface temperature are also reported.
The surface properties such as energy gap, exciton, shallow trap level, deep trap level, type inversion with annealing and metastable state of $EL_2$ level of SI GaAs wafers and the conductivity distribution of 2 inch Cr doped GaAs wafer were investigated using nondestructive TAV(transverse acoustoelectric voltage) technique. The TAV is generated when SAW and semiconductor interact. We also have tried newly SAW oscillator technique to investigate the surface properties of semiconductor wafers and we have shown the validity of this technique.
Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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2014.10a
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pp.363-364
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2014
국내 에너지의 장기적인 수요상황을 볼 때 원자력 발전의 비중이 확대되는 것은 불가피 하므로 환경 친화적인 사용 후 핵연료의 관리 및 고준위 폐기물의 처분방안의 마련은 원자력의 개발만큼이나 중요하다. 이에 본 연구에서는 방사성 폐기물의 효율적인 관리와 저장 및 열제거를 위하여 최적 환기시스템을 적용한 처분장 설계를 목적으로 여러 환기시스템 설계안을 비교 분석하였다. 분석결과, 8가지 중 case 4(병렬회로)와 case 6(혼합 Diagonal 회로)의 환기효율이 우수한 결과를 나타냈으며, 이와 같은 연구를 통해 환경 친화적인 처분장의 건설이 가능할 것이다.
원자력 르네상스라는 신조어가 생길 정도로 최근 세계 각국은 적극적으로 원전 건설을 추진하고 있다. 원자력은 전기를 경제적이고 안정적으로 공급할 수 있는데다 온실가스 배출이 없다는 특징으로 인해 현실적으로 볼 때 석유와 석탄을 대체할 수 있는 최선의 에너지원으로 평가받고 있기 때문이다. 현재 전 세계적으로 31개국에서 436기의 원전이 가동 중에 있으며, 앞으로 20년 후인 2030년 까지는 430기의 원전이 추가 건설될 것으로 전망되고 있다. 이에 따라 원전의 운영 과정에서 발생 되는 방사성폐기물을 어떻게 관리할 것인가의 문제가 시급한 현안 과제로 떠오르고 있다. 본고에서는 세계 주요국을 대상으로 중 저준위 방사성폐기물 관리 및 정책 동향에 대해 알아봄으로써 국내 방사성폐기물 관리 정책 수립 및 최근 국가 신성장 동력으로 떠오르고 있는 원전의 수출 전략 수립에도 기초 자료로 활용 될 수 있도록 하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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