• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.205-205
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• 2013

플라즈마 밀도, 전자 온도, 쉬스 전압이 플라즈마 디웨팅으로 나노 분말 어레이를 제작할 때에 끼치는 영향을 연구하였다. 플라즈마 변수를 조절하여 기판에 입사하는 이온 충돌 에너지가 높은 조건에서는 디웨팅 시에 홀이 상대적으로 많이 생성이 되어 균일한 구리 나노 분말이 생성되었고, 반대의 경우에는 디웨팅 시 홀이 적게 생성되어 크고 작은 나노분말이 혼재해 있는 불균일한 구리 나노 분말 어레이가 형성되었다. 따라서 이온 충돌 에너지를 조절하면 구리 나노 분말의 균일도를 조절할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.156-156
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• 2013

대기압 저온 플라즈마는 간단한 구조 및 제작, 쉬운 조작성, 낮은 온도 특성, 높은 화학적 반응성과 같은 많은 장점에도 불구하고, 플라즈마의 에너지가 낮아 다양한 산업적 응용에 제약을 받아왔다. 이러한 단점을 극복하기 위해서 대기압에서 저온 플라즈마의 에너지를 높이는 여러 시도가 있었으며, 그 중 가까이 인접해 있는 둘 이상의 플라즈마 젯들의 결합 현상(plasma jet-to-jet coupling)을 이용하여 플라즈마 강도를 높이려는 시도가 보고되었다. 본 연구에서는 플라즈마를 발생시키는 유리관을 서로 모아 벌집모양의 배열을 갖는 플라즈마 젯 어레이 장치를 만들어 플라즈마 젯 사이에 상호결합을 유도하여 강한 플라즈마 발광을 발생시켰다. 플라즈마 젯 어레이 장치 중 가운데 위치한 플라즈마 젯은 대기압 플라즈마 젯의 형태를 구현하는 역할을 하고, 가운데를 둘러싼 주변의 여러 플라즈마 젯들은 중앙의 플라즈마 젯에 많은 하전입자를 제공하여 플라즈마 젯의 발광강도를 높이는 역할을 하는 것을 확인했다. 헬륨기체를 사용한 이 플라즈마 젯은 $100^{\circ}C$ 이하의 온도임에도 불구하고 ITO 유리의 유리면을 식각할 만큼 높은 에너지를 가졌다. 이러한 대기압 저온플라즈마 장치에서 플라즈마의 강도를 더 높이기 위해서는 플라즈마 젯 간 결합이 더 많이 일어나는 것이 중요하므로, 이를 위해 주변의 플라즈마 젯의 개수를 높이는 시도를 하였다. 플라즈마 젯 어레이 소자의 중심에 위치한 유리관의 크기를 크게 하고, 주변부의 유리관의 크기를 상대적으로 작게 하여 벌집형태의 배열보다 더 많은 유리관을 주변부에 위치시킨 후 플라즈마를 발생시키고 전기 광학적 특성을 측정하였다. 그 결과, 실험조건에 따라 가운데 플라즈마 젯에서 3배에서 5배 이상 높은 플라즈마의 발광강도를 얻었으며, 플라즈마 젯도 더 안정적으로 발생하였다. 주변부의 유리관의 개수가 증가하면 더 많은 양의 하전 입자들이 플라즈마 결합 과정에 참여하게 되고 결과적으로 더 큰 플라즈마의 발광강도를 나타내는 것이다. 본 실험은 하전입자의 상호작용에 의해 발생하는 서로 인접한 플라즈마 젯 간의 결합이 대기압 저온 플라즈마 젯의 플라즈마 발광강도를 높이는 좋은 방법임을 보였다. 이러한 플라즈마 젯 간의 결합은 대기압 저온 플라즈마의 에너지를 높일 수 있는 쉽고 간단한 방법이며, 이 방법을 이용하여 대기압 저온 플라즈마를 표면처리, 표면개질은 물론, 식각 및 증착, 나아가서는 의료/바이오 분석 기술 등 다양한 학문적, 산업적 응용에도 적용할 수 있을 것으로 기대한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.9
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• pp.2087-2092
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• 2015

Recently, use of the heat transferring machine and systems has been increasing in various industrial fields. A key technique for constructing such process is basically to measuring temperature directly to objects established on industrial plants. Particularly, a non-contact temperature measurement is very important to realize advanced heat transferring systems. This paper presents a new measurement methodology for temperature by using USN(ubiquitous sensor networks) technique including the microprocessor unit based ZigBee communication systems. This proposed system is made to be applied in monitoring systems for non-contact temperature measurement. We designed firmware based measurement systems whose main function is to save s series of temperature data sets and send it to main monitoring systems.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.275-276
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• 2011

본 논문에서는 일사량 및 표면온도에 따라 변화하는 태양전지의 출력 특성을 고려하여 설치되는 태양광 발전 인버터의 운전 허용 범위에 대해 살펴본다. 또한 대용량 발전 시 직렬 모듈 수를 높이는 구성과 기존 센트럴 인버터의 최소 MPP 전압의 증가에 대한 효율성을 검증하기 위해 (주)카코 뉴에너지에서 제공하는 PV Array Sizing Tool과 Matlab Simulink를 통해 태양전지 어레이의 동작 범위를 파악하고, 새로운 대용량 인버터 개발 원리의 타당성을 제시한다.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2004.11a
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• pp.1231-1235
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• 2004

The needs of micro scale thermal detecting technique are increasing in biology and chemical industry. For example, Thermal finger print, Micro PCR(polymer chain reaction), ${\mu}TAS$ and so on. To satisfy these needs, we developed a DTSA(Diode Temperature Sensor Array) for detecting and controlling the temperature on small surface. The DTSA is fabricated by using VLSI technique. It consists of 32 ${\times}$ 32 array of diodes (1,024 diodes) for temperature detection and 8 heaters for temperature control on a 8mm ${\times}$ 8mm surface area. The working principle of temperature detection is that the forward voltage drop across a silicon diode is approximately proportional to the inverse of the absolute temperature of diode. And eight heaters ($1K{\Omega}$) made of poly-silicon are added onto a silicon wafer and controlled individually to maintain a uniform temperature distribution across the DTSA. Flip chip packaging used for easy connection of the DTSA. The circuitry for scanning and controlling DTSA are also developed

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.37 no.11
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• pp.971-975
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• 2013

In general, the solar photovoltaic power increases with higher solar insolation. However, the solar cell generation efficiency reduces because the solar cell surface is heated by solar insolation. According to advanced research, with a $1^{\circ}C$ increase in the solar cell surface temperature, the generation efficiency decreases by ~0.5%. To solve this problem, we conducted experiments in which we attempted to reduce the solar cell surface temperature using a water jet spray. In this study, we found the long-term experimental results of increases in solar power generation. The experimental results show a comparison of the site with and without cooling and cleaning equipment being installed. The results of the long-term experiments show that solar photovoltaic power generation is increased by at least 13% up to 19% with cooling and cleaning.

• Journal of Bio-Environment Control
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• v.22 no.3
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• pp.220-227
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• 2013

This study examined the electric power quantity derived from solar radiation after installing a photovoltaic power generation system on the rooftop of building adjacent to a greenhouse with a view to reducing the operating expenses of the greenhouse by securing electric energy required to run it. Results of the study can be summed up as follows: The maximum, mean, and minimum solar radiation on the horizontal plane was $26.1MJ{\cdot}m^{-2}$, $14,0MJ{\cdot}m^{-2}$, and $0.6MJ{\cdot}m^{-2}$, respectively and individual the daily electric energy generated was about 6.1 kWh, 3.7 kWh, and 0.01 kWh. The cumulative total amounts of solar radiation and electric energy was about $4,378.2MJ{\cdot}m^{-2}$ and 1,163.2 kWh, respectively. Maximum, mean and minimum cumulative electric energy consumed through each load respectively was 4.5 kWh, 2.4 kWh, and 0.0 kWh and the cumulative electric energy were 739.2 kWh, which accounted for about 63.5% of generated power. In case of the mean amount of power consumption of the system used for this study, the small capacity of heater and the short operating hours meant there was enough power; while big capacity of heater led to a shortage, and if the array surface temperature increased relatively, the energy became proportionate to solar radiation and generated power does not increase. The correlation coefficient between the two factors was 0.851, which indicates a high correlation coefficient.

• Journal of the Korean Society of Visualization
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• v.9 no.2
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• pp.34-39
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• 2011

This paper presents a novel direct fabrication method of the thin metal film RTD temperature sensor array on an arbitrary curved surface by using MEMS technology to measure a distributed temperature field up to $300^{\circ}C$ without disturbing a fluid flow. In order to overcome the difficulty in the three dimensional photography of sensor patterning, the UV pre-irradiated photosensitive dry film resist technology has been developed newly. This method was applied to the fabrication of the temperature sensor array on a glass tube, which is arranged parallel and transverse to a main flow. Gold was used as a temperature sensing material. The resistance change was measured in a thermally controlled oven by increasing the environmental temperature. The linear increase in resistance change and a constant slope were obtained. Also, the sensitivity of each RTD temperature sensor was evaluated.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.11c
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• pp.586-588
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• 2000

본 논문은 전자 패키징의 방열 성능을 개선하기 위하여 초소형 히트 파이프를 제작하고 열전달 성능을 시험한 결과를 보여준다. IC 칩이 점점 고성능화되고 고집적화되어 감에 따라 발열 문제가 대두되는데, 이 열은 전도만으로는 충분히 소산시킬 수 없고 패키징 표면에 별도의 장치를 장착하는 것은 시스템 소형화의 장애 요소가 된다. 따라서, 고성능 칩 개발을 위한 선결 과제로 고성능 초소형 냉각 장치가 요구되고 있다. 히트파이프는 밀봉된 파이프 내의 2상 유동과 상변화 잠열을 이용하여 열원으로부터 히트 싱크로 열을 효과적으로 전달하는 열교환 장치이다. 본 논문에서는 전자 패키징 내에 집적화할 수 있도록 초소형 히트 파이프 어레이를 제작하여 그 성능을 시험한 결과 증발부의 온도가 $12.1^{\circ}C$ 감소됨을 보인다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.40 no.7
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• pp.1347-1353
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• 2015

We implemented a 10 Gb/s 4-channel vertical cavity surface emission lasers (VCSEL) driver array in a $0.13{\mu}m$ CMOS process technology. To enhance high current resolution, power dissipation, and chip space area, digital APC/AMC with time division sensing technology is primarily adopted. The measured -3 dB frequency bandwidth is 9.2 GHz; the small signal gain is 10.5 dB; the current resolution is 0.01 mA/step, suitable for the wavelength operation up to 10 Gb/s over a wide temperature range. The proposed APC and AMC demonstrate 5 to 20 mA of bias current control and 5 to 20 mA of modulation current control. The whole chip consumes 371 mW of low power under the maximum modulation and bias currents. The active chip size is $3.71{\times}1.3mm^2$.