• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.287-287
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• 2011

동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 n, p형 Cz-Si의 시료에 양성자를 0, 4 MeV 에너지와 조사량의 변화에 의한 결함을 측정하였으며, 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수와 W-변수를 사용하여, 구조 변화를 측정하였다. 양성자 조사에너지의 세기에 따라 결함이 증가하였으며, 양성자의 조사량의 변화에 대하여는 큰 변화가 없었다.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.6 no.6
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• pp.489-493
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• 2012

Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy is a non-destructive technique to study voids and defects in solids by the measurement of gammas from electron-positron annihilation. In this study, we measured the lifetime of CR, EPDM, NBR, all of which are widely used polymer in various fields. A conventional fast-fast coincidence system in KAERI(Korea Atomic Energy Research Institute) has been used to measure the lifetime spectra, Three lifetime components were analyzed from each lifetime spectra. According to Tao-Eldrup model equation, the size and fraction of free-volume were calculated. Mean radius and free volume fraction of CR, EPDM NBR are $0.1217nm^3$(1.9103%), $0.14780nm^3$(5.3147%), $0.1216nm^3$(2.6381%), respectively. Through these measurements, we identified the feasibility of the PAL system for polymer analysis.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.6
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• pp.489-494
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• 2010

Enhance signal-to-noise ratio, slow positron coincidence Doppler Broadening method has been applied to study of characteristics of $Nb_3Ge$ superconductor film, which were performed from 20 K to 300 K sample temperature near Tc of it. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The S-parameter values between 0.598 and 0.594 were decreased while the temperature were decreasing, that indicated the voids into the samples. The temperature dependence came from specific positron trapping rate into the vacancy-type defects. It is believed that the positrons annihilate with normal-electrons instead of super-electrons in the Nb3Ge superconductor.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.336-336
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• 2012

수명 측정법과 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 0, 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 결함 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지를 수리적 해석 방법인 S-변수와 열린 부피 결함에 대한 측정법으로서 양전자 수명 ${\tau}1$과 ${\tau}2$, 이에 따른 밀도 I1과 I2를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수와 양전자 수명은 시료에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변화하기보다 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 양전자 수명 측정과 같은 경향을 보여준다. SRIM의 결과로써, 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 양성자는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료 전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문이다. 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2006.05a
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• pp.25.1-25.1
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• 2006

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.6
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• pp.447-452
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• 2009

Enhance signal-to-noise ratio, Coincidence Doppler Broadening positron method has been applied to study of characteristics of BaSrFBr:Eu film sample. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The films were exposed by 0, 3, 5, and 7.5 MeV proton beams ranging from 0 to $10^{13}$ ptls. The S-parameter values were increased as increasing the exposed time and the energies, that indicated the defects generate more.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.11a
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• pp.45.1-45.1
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• 2009

본 연구에서는 BaSrFBr:Eu 형광물질의 결함 농도 분석을 시도하였다. 또한 동시 계수 방법과 Fast -Slow - Coincidence 시스템으로 구성한 양전자 수명 측정법을 통하여 에너지의 변화에 따른 양성자 조사에 의한 시료 결함에 따른 동시 계수 도플러법과 양전자 수명의 변화를 측정 하였으며, SRIM 시뮬레이션을 통한 에너지에 따른 양성자 투과 깊이의 변화를 연구하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.2
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• pp.92-98
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• 2004

DBPAS has been used to characterize atomic size defect structures in materials. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. As the samples were exposed by X-ray increasing the exposed doses from 3, 6, and 9 Gy with 6 MV and 15 MV, respectively and also irradiated by X-ray as the medical applications used for in 0, 2, 4 and 6 years. The S-parameter values were increased as increasing the exposed time and the energies, that indicated the defects generate more. The S-parameters of the samples with medical treatment is varied from 0.4932 to 0.4956.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.5
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• pp.225-232
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• 2012

It is described that the proton beam induceds micro-size defects and electronic deep levels in n or p type single crystal silicon. Positron lifetime and Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy were applied to study of characteristics of p type and n type silicon samples. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The samples were exposed by 3.98 MeV proton beams ranging between 0 to ${\sim}10^{14}$ particles. The S-parameter values strongly depend on the irradiated proton beam, that indicated the defects generate more. Positron lifetime shows that positrons trapped in vacancies and lifetime ${\tau}_2$ increased according to proton irradiation.

• ETRI Journal
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• v.10 no.1
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• pp.64-75
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• 1988

GaAs 등 화합물 반도체는 그 표면구조가 아직 확립되어 있지 않고, 표면조건이 소자특성에 큰 영향을 미친다. 소자공정중 이온주입 공정은 self-aligned MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) 제작에 필수적인 기술이나, 이온 주입시 수 $\AA$ 크기의 vacancy 등 격자결함이 발생하며 이들 결함을 제어할 수 있는 기술이 필요하다. 에너지 가변 양전자 소멸기술은 표면에서 $1\mum$정도내에 존재하는 vacancy 형태의 격자결함을 감지해 낼 수 있으며 이들 격자결함의 depth profiling을 할 수 있는 기술이다. 본 고에서는 에너지 가변 양전자 소멸기술의 원리 및 최근 연구결과에 대해서 살펴보기로 한다.