• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.517-521
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• 1998

After etching Al-Cu alloy films using $SiCl_4/Cl_2/He/CHF_3$ plasma, a corrosion phenomenon on the metal surface has been studied with XPS(X-ray pheotoelectron spectroscopy) and SEM (Scanning electron microscopy). In Al-Cu alloy system, the corrosion occurs rapidly on the etched surface by residual chlorine atoms. To prevent the corrosion, $CHF_3$ plasma treatment subsequent to the etch has been carried put. A passivation layer is formed by fluorine-related compounds on the etched Al-Cu surface after $CHF_3$ treatment, and the layer suppresses effectively the corrosion on the surface as the $CHF_3$treatment in the pressure of 300m Torr.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권5호
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• pp.485-490
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• 1994

The reactive ion etching characteristics of aluminum oxide films, prepared by PECVD, were investigated in the CCl4 plasma. The atomic chlorine concentration and the DC self bias were determined at various etching conditions, and their effects on the etch rate of aluminum oxide film were studied. The bombarding energy of incident particles was found to play the more important role in determining the etch rate of aluminum oxide rather than the atomic chlorine concentration. It is considered to be because the bombardment of ions or neutral atoms breaks the strong Al-O bonds of aluminum oxide to help activate the formation reaction of AlCl3 which is the volatile etch product.

• 한국통신학회논문지
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• 제24권12B호
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• pp.2335-2341
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• 1999

$2\times32$ 커플러는 마하젠더 간섭기와 Y분기 커플러로 구성하여 제작하였다. 커플러의 설계를 위해 유효굴절율법을 이용하여 3차원의 도파로 구조를 2차원 구조로 대체하였고 2차원 유한차분 빔전파법을 이용하여 도파로 구조에 대한 최적의 설계요소를 찾아내었다. 전산모사에 의하여 두 도파로 간의 높이가 $43.6\mu\textrm{m}$(경로차 $0.668\mu\textrm{m}$)로 제작한 $2\times32$ 커플러가 가장 우수한 특성을 나타냈다. 코아층의 식각 특성에 있어서 산화실리콘과 마스크인 알루미늄의 식각비는 30:1이었고 코아의 식각률은 2600${\AA}$/min이었다. 식각 균일도는 $\pm$5% 내외로 균일하였다. $2\times32$ 커프럴의 삽입 손실은 최대 손실이 19.2dB 이하였고 균일성은 2dB이였다.

• 한국진공학회지
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• 제20권1호
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• pp.63-69
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• 2011

본 연구에서는 기존 실리콘 반도체 기술 기반의 포토 및 이빔 리소그래피 공정을 통하여 유기 반도체 소자를 패터닝하였다. P3HT나 PEDOT 등의 유기 반도체는 용매에 녹기 때문에 MIMIC (micro-molding in capillaries)이나 inkjet printing 기술을 이용하여 마이크로미터 크기의 소자 제작이 가능하였으나, 펜타신은 용매에 녹지 않기 때문에 매우 복잡한 방법으로 마이크로미터 크기의 소자를 제작하여왔다. 그러나, 본 연구에서는 원자층 증착 방법으로 증착한 산화 알루미늄막을 펜타신의 보호층으로 이용하여 기존의 포토 및 이빔 리소그래피 방법으로 마이크로미터크기의 펜타신 소자를 제작하였으며 그 전기 특성을 확인하였다.