현재 수출전략품목인 DVD, 디지털카메라, 휴대용 카메라폰에 요구되는 비구면Glass 광학렌즈 및 모듈 등의 핵심부품은 대부분 일본에서 수입에 의존하고 있어 대일무역적자 완화와 함께 전략산업의 안정적 기술혁신 기반구축이 요구되고 있는 실정이다. 이에 비구면 Glass 렌즈를 중심으로 하는 핵심 광학부품에 대하여 대기업을 필두로 국산화를 통한 광학기기 제품의 경쟁력 제고에 많은 노력을 기울이고 있을 뿐 아니라 비구면 Glass 렌즈의 생산을 위한 중소기업들의 시장참여가 지속적으로 이루어지고 있고, 경쟁분위기의 정착으로 향후 국내에서도 많은 기술력의 축적이 가능해지리라 전망된다.
고온고압의 연소 분위기를 생성시키는 석탄이용 발전 시스템 및 소각로, 유리공장 등에서 발생되는 먼지 및 유해가스 제거 기술은 세계적으로 문제시되고 있는 환경오염 차원에서 필수적으로 요구되어지는 기술이라 할 수 있다. 이러한 고온고압의 시스템에서 사용될 수 있는 필터로 현재 세라믹이 가장 적절한 재질로 평가되고 있는데 이는 세라믹 자체가 지닌 열적 안정성 때문이라고 할 수 있다.(중략)
김성수 한나라당 의원 주최, 한국농어민신문사가 주관한 '원유가협상 그 이후 진단과 대책마련 국회토론회'가 지난 10월 19일 국회에서 열렸다. 정부와 생산자 유가공업계, 낙농진흥회 등 대표자들이 참석해 차분한 분위기에서 열렸지만 주체벌 입장차는 여실히 드러났다. 쟁점사항은 협동조합중심의 집유일원화와 통계청 우유생산비의 신뢰성 문제, 낙농산업 제도 개선방안(원유기본가격연동제), 생산자 중심의 유가공공장 건립 등이었다. 낙농강국과의 자유무역협정이 진행되고 있는 가운데 낙농산업을 안정적으로 발전시키려면 정부의 강력한 제도개선의지와 각 이해주체들의 최선의 절충점 도출이 시급하다.
열펌프는 에너지 부존자원이 빈약한 우리나라에서는 에너지 이용 합리화 측면에서 볼 때 매우 중요한 장치라는 것은 재론의 여지가 없다. 선발 이용국가의 예를 거울삼아 끌질긴 선각자정 신에 의한 이용 기술 개발과 보급노력을 하므로서 그 결과 에너지절약 의식의 보급과 수많은 경험, 그리고 실적이 평가될 때 열펌프의 우수성이 뿌리 깊이 인식될 것이다. 열펌프의 특수성 으로 보아 연구개발 없는 국내 실용화와 보급노력은 실효를 얻기 어렵다고 본다. 현 단계에서 다소 석유가가 안정세에 놓여 있다고 하지만 열펌프에 대한 정부와 국민의 관심이 점차 제고될 수 있는 분위기가 조성된다면 장기적인 안목에서의 우리의 에너지절약 목표에 보탬이 될 수 있 으리라고 본다.
올해초 해외 네트워크 업체들은 잇따라 강도 높은 구조조정을 단행했다. IT거품 속에서도 청바지와 곡괭이처럼 필수 요소로 안정세를 유지하던 네트워크 업체들이 실질적으로 IT불황을 타기 시작한 것이다. 이일은 IT시장 및 관련 종사자들에게 큰 충격을 주었다. 많은 업체들이 구조조정이유를 전세계적인 경기 불황에서 찾았다. 시장의 침체로 설비투자 축소와 투자 심리 위축 현상이 나타나고 이 분위기가 장기간 계속되자 채산성을 개선하기 위한 방안으로 구조조정을 실행했다는 것이다.
혜성L&M(대표 장기원)의 L과 M은 Lighting과 Media의 약자이다. 89년 서광조명으로 출발해서 94년 혜성라이팅으로 상호를 변경하기까지 혜성은 국내 형광등용 전자식 안정기 기술개발에 매진해온 전문 조명업체였다. 이후 KS, Q마크, GD마크, 국산 신기술(NT), EM마크, 고효율 에너지기자재 등등 국내에서 주는 각종 마크와 인증을 모두 섭렵한 혜성은 2000년 미디어사업부를 신설, CD제작에 나섰고 2002년도에는 고효율조명기기, 인버터, 냉난방 공조설비개체 등을 아이템으로 ESCO사업에 뛰어들었다. 원가경쟁력에서 타사에 비해 강점을 갖고 있다는 혜성L&M의 ESCO사업부를 찾아가 보았다.
Ca(Ti, V)O$_{3}$의 감습특성에 대하여 조사하였다. 시편의 임피던스는 V$_{2}$O$_{5}$의 치환량이 증가함에 따라 감소하며 1mol% V$_{2}$O$_{5}$를 치환한 시편이 가장 우수한 감도를 나타내었다. 전극물질은 감도에 영향을 미치며 Pt가 가장 적합하였다. 히스테리시스 현상은 거의 나타나지 않으며 감도는 분위기 온도 및 열처리에 안정하였다.
탄소 탄소 복합재료(C/C composite)는 고온도 영역에서 강도저하가 없으며 화학적으로 더욱 안정되어 지기 때문에 고온 구조재료로서 널리 사용되어지고 있다. 모재의 성분이 모두 탄소로 구성되어 있어 약 $500^{\circ}C$의 산화분위기에서 부터는 산화되는 결점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 결점을 보완하기 위해 Pack Cementation과 Dipping 방법을 통해 내산화 코팅층을 형성 하여 $1300^{\circ}C$에서의 내산화성을 향상 시킬 수 있었다.
반도체 집적도의 비약적인 발전으로 복잡하고 다양한 공정이 연구되었고 공정 중 박막에서 발생되는 물리적, 화학적 반응들에 대한 연구 필요성이 대두 되었다. 박막은 다양한 공정 환경에서 박막의 특성을 잃지 않고 물성을 유지하여야 한다. 특히 공정상의 고온 환경에서 박막은 안정해야하며 물리적손상이 있어서는 안 된다. 이 논문에서는 반도체의 기판으로 사용되는 Si기판과 금속배선 물질인 Cu와의 확산을 효과적으로 방지하기 위한 W-C-N 확산방지막을 제시하였고 시료 증착을 위하여 rf magnetron sputter를 사용하여 동일한 증착조건에서 질소(N)의 비율을 다르게 하여 박막 내 질소비율(0 sccm, 2 sccm)에 따른 확산방지막을 제작하였다. 이후 시료의 열적 안정성 측정을 위하여 상온, 600도, 800도로 각각 질소 분위기에서 30분간 열처리 과정을 실시하여 열적 손상을 인가하였다. 이후 Nanoindentation기법을 이용하여 총 16 point 측정을 하였다. 이를 Weibull distribution으로 분석하여 정량화 시켜 박막의 균일도와 신뢰도를 연구하였다. 또 WET-SPM을 이용하여 AFM 표면 이미지를 확인하였다. 그 결과 고온에서 박막이 Compressive stress를 받아 박막이 일어남을 확인 하였다. 이는 질화물질이 고온에서 물성변화가 적게 나타나는 것을 알 수 있었고, 균일도와 결정성 또한 질화물질에서 더 안정적이었다.
초고집적(ULSI) 반도체 소자의 multilevel metalization을 위한 중간 유저네로서 저 유전상수(k<)와 높은 열적안정성(>45$0^{\circ}C$)을 갖는 새로운 물질을 도입하는 것이 필요하다. 중합체 박막은 낮은 유전상수와 높은 열적 안정성으로 인하여 low-k 물질로 적당하다고 여겨진다. PECVD에 의한 plasma polymer 박막의 증착은 많이 보고되어 왔으마 고밀도 플라즈마 형성이 가능하고 기판으로 유입되는 ion의 energy 조절이 가능한 inductively coupled plasma(ICP) CVD에 의한 plasma polymer 박막에 대한 연구는 보고된 바 없다. 본 연구에서는 Mtehyl-cyclohexane precusor를 사용하여 substrate에 bias를 주면서 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 플라즈마 폴리머 박막(plasma polymerized methyl-cyclohexane : 이하^g , pp MCH라 칭함)을 증착하였으며 ICP power와 substrate bias(SB) power가 증착된 박막의 특성에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 증착된 박막의 유전상 수 및 열적 안정성은 ICP power의 변화에 비해 SB power의 변화에 더 크게 영향을 받았다.^g , pp MCH 박막은 platinum(Pt) 기판과 silicon 기판위에서 같이 증착되었다. Methyl-cyclohexane precursor는 4$0^{\circ}C$로 유지된 bubbler에 담겨지고 carrier 가스 (H2:10%, He:90%)에 의해 reactor 내부로 유입된다.^g , pp MCH 박막은 증착압력 350 mTorr, 증착온도 6$0^{\circ}C$에서 \circled1SB power를 10W에 고정시키고 ICP power를 5W부터 70W까지, \circled2ICP power를 10W에 고정시키고 SB power를 5W부터 70W까지 변화하면서 증착하였다. 유전 상수 및 절연성은 Al/PPMCH//Pt 구조의 capacitor를 만들어서 측정하였으며, 열적 안정성은 Ar 분위기에서 30분간의 열처리 전후의 두께 변화를 측정함으로써 분석하였다. SB power 10W에서 ICP power가 5W에서 70w로 증가함에 따라 유전상수는 2.65에서 3.14로 증가하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 크게 향상되지 않은 것으로 나타났다. ICP power 10W에서 SB power가 5W에서 70W로 증가함에 따라 유전상수는 2.63에서 3.46으로 증가하였다. 열적 안정성은 SB power의 증가에 따라 현저하게 향상되었으며 30W 이상에서 증착된 박막은 45$0^{\circ}C$까지 안정하였고, 70W에서 증착된 박막은 50$0^{\circ}C$까지 안정하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 현저하게 향상되었다. 그 원인은 SB power의 인가에 의해 활성화된 precursor 분자들이 큰 에너지를 가지고 기판에 유입되어 치밀한 박막이 형성되었기 때문으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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