AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/$cm^{2}$에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의 온도에서 각각 89kW/$cm^{2}$와 44kW/$cm^{2}$이었다.
본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.
일정진폭하중과 과대하중비 2.5의 단일 인장과대하중에 의한 4140강 용접부 의 피로균열성장거동을 실온과 -45.deg.C의 저온에서 피로시험과 파면관찰을 통하여 고찰하였다. 이때, 용접부 미시조직의 영향을 평가하기 위해 모재(parent metal), 열영향부(as-welded HAZ), 열처리된 열영향부(PWHT HAZ)로 나누어 응력비 0과 0.5로 CT시험편을 이용하여 피로시험을 실시하였다. 피로균열성장거동은 재료의 미시조직과 온도변화보다는 응력비에 크게 영향을 받았으며, 단일 과대하중에 의한 피로균열성장 지연효과가 모든 재료에서 상당히 크게 나타났다. 전자현미경에 의한 피로파면 관찰 결과, 실온에서는 연성의 스트라이에이숀과 -45.deg.C에서는 의벽개파면과 같은 피로 균열성장거동을 나타내고 있다.
유럽화살오징어를 빙장된 상태로 실온(2$0^{\circ}C$)에 저장하여 두고 가공수율 및 저장중 선도변화를 관능적 및 화학적 방법으로 조사한 결과 시료동체에 대한 가식부 수율은 체장이 보통(25-27cm)일 때는 60% 정도였으며 대형(27cm이상) 일때는 64%정도였고 시료전체에 대한 가식부수율은 75-80%였다 실온에서 저장하는 동안 저장 10-12일까지는 식용가능하였고 이때의 관능적 현상으로는 지느러미는 분홍색 동체는 황색반점 흡반은 적색, 육질 견고도는 약한 상태였다 또한 이때의 panel score는 5-6사이였으며 VBN함량은 30-40mg/100g TMA함량은 12-13mg/100g이었고 K값은 관능검사 결과와 잘일치하지 않았다 따라서 유럽화살오징어의 가공원료로서의 저장한계기간은 10일이 적당하다고 판단되었다.
본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.
본 연구는 단기 숙성형 생햄의 식중독균 오염 상태와 냉장 및 실온 저장 중 미생물 및 관능학적 품질 변화를 살펴보기 위하여 실시되었다. 생햄의 초기 총균수는 3.06 log CFU/g이었으며 저장 말기까지 균 수 증가는 미미하였다. 주 종균은 유산균과 Staphylococcus 균이었다. 10과 $25^{\circ}C$의 저장 온도에서 생햄의 저장 수명은 각각 75와 45일 정도로 예상되었다. 본 실험에서 생햄 원료 및 저장 중 단지 $25^{\circ}C$에서 21일 저장된 시료에서 C. perfringens가 검출되었고 다른 시료에서는 비가열육제품의 위생 기준으로 명시된 6가지 식중독균은 검출되지 않았다. 종합적으로 판단하건데 현실적으로 비가열 제품의 경우 국내 식중독 미생물에 대한 음성 기준을 만족시키기는 어렵고 외국 기준에 비하여 너무 엄격하므로 관련 기준의 완화가 요구된다.
본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.
PCL, MDI, BD 및 DMPA를 이용, 폴리우레탄(PU)을 ionomer 및 nonionomergudxo 로 제조하였으며 이때 연질성분의 함량(SSC) 및 길이가 PU의 기계적, 동적기계적 특성은 물론 형상기억특성에 미치는 영향을 연구하였다. Ionomer는 nonionomer에 비하여 경도, 탄 성율 및 강도가 모두 우수하였으며 그 효과는 실온에서 경질성분의 함량(HSC)이 높은 PU 일수록 보다 뚜렷하였는데 이는 HSC가 증가할수록 ion 중심의 농도가 증가하며 ion 중심간 의 Coulob 력이 고온보다 실온에서 보다 큰데 기인하는 것으로 해석하였다. 반복인장하중실 험에서 ionomer는 nonionomer에 비해 회복변형이 크고 잔류변형이 작았는데 이는 ionomer 의 고무탄성율이 보다 큰 데 기인한 것으로 해석하였다. 나아가 재료의 형상기억거동은 기 본적으로 탄성율의 온도의존성에 크게 의존함을 알수있었다.
서로 결정구조가 다른 물질 사이의 계면을 연구하기 위해 실온에서 W(bcc) 표면에 Al(fcc)를 성장시켜, 그 흡착구조를 연구하였다. 실온에서 W(110)면에 Al원자를 0.5 ML, 1.0 ML, 2.0 ML, 3.0 ML과 4.0 ML으로 증착시켜 Al/W(110)계의 흡착구조를 저에너지 전자회절(LEED)을 이용하여 관찰하였고, 각 coverage의 Al/W(110)계에서 이온산란분광법(CAICISS-TOF)을 이용하여 흡착구조를 연구하였다. 연구결과, Al의 coverage가 증가함에 따라 표면의 Al이 crystal되어, 4.0 ML Al/W(110)계에서 Al은 6-fold symmetry를 이루는 fcc 구조의 (111)면으로 성장하였으며 성장된 Al(111)면의 [T10]방향과 [1T0]방향이 substrate인 W(110)면의 [001]방향과 서로 평행한 double domain의 표면구조이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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