수직형 FHD증착법을 사용하여 SiO$_{2}$, SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계 실리카 유리미립자를 형성하였으며, SEM, ICP-AES, XRD, TGA-DSC을 사용하여 그 특성을 분석하였다. XRD측정을 통해, 미립자 형성시 사용된 화염온도(130$0^{\circ}C$-150$0^{\circ}C$)와 기판온도(-20$0^{\circ}C$)가 SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$계 미립자를 비정질상태로 형성하였으며, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$와 SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계 미립자에서는 B$_{2}$O$_{3}$, BPO$_{4}$, GeO$_{2}$의 결정성피크들을 관찰하였다. TGA-DSC 열분석을 통해, SiO$_{2}$와 SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$는 온도변화에 따른 질량변화가 없었으며, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계의 경우 질량감소를 동반한 유리전이에 따른 분자이완현상 및 결정화나 회복반응을 나타내고 있다. 질량감소는 미립자가 결정상태일때 가속되는 경향을 나타냈으며, DSC열분석을 통해 SiO$_{2}$, SiO$_{2}$-P$_{2}$O$_{5}$, SiO$_{2}$P$_{2}$O$_{5}$-B$_{2}$O$_{3}$-GeO$_{2}$계 유리미립자들의 고밀화가 시작되는 온도를 각각 1224$^{\circ}C$, 1151$^{\circ}C$, 953$^{\circ}C$, 113$0^{\circ}C$에서 관찰하였다.
Kim, Wonho;Bae, Jong-Woo;Kang, Ho-young;Lee, Moo-Jung;Choi, II-Dong
Applied Chemistry for Engineering
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제8권3호
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pp.533-542
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1997
Due to the trends of faster and denser circuit design, dielectric properties of packaging materials for semiconductor will give a greater influence on performance and reliability. Also as chip becomes more densified, thermal dissipation becomes a critical reliability issue. Consequently, four important properties for manufacturing semiconductor packaging materials are low values of dielectric constant, high values of thermal conductivity, relatively low values of thermal expansion coefficient and low cost. Thus, in this study, to achieve increased performance of EMC, crystalline silica was selected as the filler for epoxy matrix. As a result, when the volume percent of crystal silica was 60~70%, good properties as packaging materials for semiconductor were achieved. In addition, overall molding condition of EMC in this experiment was established.
Al-containing titanium silicalite-1 ([Al]-TS-1) catalyst was prepared hydrothermally, and the effects of synthesis parameters such as silica/alumina sources, $SiO_2/TiO_2$ ratio, and aging treatment were investigated. The structure, crystal size, and shape were examined by XRD and SEM, and the extent of titanium incorporation into the zeolite framework was examined using UV-vis DRS spectroscopy. For [Al]-TS-1 catalyst preparation, aging of ca. 24h was essential, and the faster crystallization rates were achieved with Cab-O-Sil than with Ludox or TEOS as a silica source. In addition, the higher crystallinity and faster crystallization rate were obtained using sodium aluminate as an aluminum source. 2-butanol oxidation using $H_2O_2$ as an oxidant was carried out to confirm the redox property of the [Al]-TS-1. Acid sites catalyzed toluene alkylation study indicated that lattice titanium species in [Al]-TS-1 weakened the acid strength, and the para-ethyltoluene selectivity was enhanced as a results.
We have investigated the infrared spectra for CO adsorbed on silica supported nickel(Ni-Si$O_2$), silica supported copper(Cu-Si$O_2$), silica supported nickel-copper alloys(Ni/Cu-Si$O_2$) of several compositions with varying CO pressures(0.2 $torr{\sim}$50 torr) at room temperature and on pumping to vacumn at room temperature within the frequency range of 1500 $cm^{-1}{\sim}2500\;cm^{-1}$. Four bands(2059.6 $cm^{-1},\;{\sim}$2036.5 $cm^{-1},\;{\sim}$ 1868.7 $cm^{-1},\;{\sim}$ 1697.1 $cm^{-1}$) were observed for Ni-Si$O_2$, two bands($\sim$2115.5 $cm^{-1},\;{\sim}$1743.0 $cm^{-1}$) were observed for Cu-Si$O_2$ and five bands(${\sim}2123.2\;cm^{-1}$, 2059.6 $cm^{-1},\;{\sim}$2036.4 $cm^{-1},\;{\sim}$1899.5 $cm^{-1},\;{\sim}$1697.1 $cm^{-1}$) were observed for Ni/Cu-Si$O_2$. These absorption bands correspond with those of the previous reports approximately. The bands below 1800 $cm^{-1}$ were only observed with Ni metal or Ni/Cu alloy crystal plane containing step at room temperature and the ${\sim}1697.1\;cm^{-1}$ bands observed with Ni-Si$O_2$ and Ni/Cu-Si$O_2$ may be ascribed to CO molecule adsorbed on the adsorption sites near step. The bands below 2000 $cm^{-1}$ were rarely observed with Cu metal crystal plane at room temperature and the 1743.0 $cm^{-1}$ bands may be ascribed to CO molecule adsorbed on the adsorption sites near step. The band shifts of adsorbed CO with varing Cu contents from 0 to 0.5 mole fraction at the same CO pressure or at the same pumping time to vacumn were below 21 $cm^{-1}$. and comparatively small than those with other ⅠB metal addition. It may means ligand effect of Cu d electron is small.
In this study, we used TIPS (thermally induced phase separation) for the application of water treatment membrane, and observed the change in morphology of separation membrane due to the change of solidification temperature and heat capacity. For manufactured membrane, PVDF and silica with excellent mechanical properties and chemical resistance were used, and DOP (dioctyl phthalate), DBP (dibutyl phthalate) were used as the diluent. Using the SEM (scanning electron microscope), the morphology of each different coagulation solutions of heat capacity change was observed. As the heat capacity increased, the crystallization rate of PVDF was decreased and showed large pore. In contrast, It also confirmed that the smaller heat capacity, the faster the crystallization rate and make smaller pores.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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pp.324-324
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2010
핵융합의 고체형 증식(Helium Cooled Solid Breeder : HCSB) 블랑켓(Blanket Module)은 삼중수소 증식을 위해서 Li4SiO4, Li2TiO3, Li2O 및 Li2ZrO3 등의 페블이 고려되고 있다. 이러한 페블을 제조하기 위해서는 먼저 각각의 분말 제조가 선행되어야 한다. 한국의 Test Blanket Module(TBM)은 Li4SiO4 페블을 개발을 개발하여 사용할 예정이고 옵션으로 Li2TiO3 페블을 개발하는 것으로 되어 있다. Li4SiO4 페블을 개발하기 위해서 먼저 분말합성이 필수적이다. Li4SiO4 분말을 합성에 하기 위해서는 Lithium 금속염과 실리카 졸을 용매 및 폴리머 캐리어로서의 두 가지 기능을 하는 에틸렌글리콜에 첨가한 후 가열하여 완전히 용해시킨 후 혼합 용액을 건조시켜 겔형의 전구체를 제조한다. 이를 하소한 후 결정화시켜 Silicate 분말을 얻는데 이때의 건조, 하소 및 결정화 온도의 조건에 따른 분말의 크기 및 특성이 각각 다르다. 즉, 바인더 물질의 비율과 합성온도에 따라 특성이 약간씩 다른 분말을 얻을 수 있었다. 이렇게 얻어진 Silicate 분말은 지르코니아 볼을 이용하여 약 24 시간 동안 볼 밀링 과정을 통해 입도가 작은 미세한 Silicate 분말로 만들었다. 합성된 분말은 여러 가지 시험 및 분석을 통해서 검증되었으며, 불순물 등은 관찰되지 않았다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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제11권5호
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pp.218-223
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2001
The chemical-mechanical polishing process was carried out for 2"-dia. sapphire wafer grown by horizontalBridgman method on the urethane lapping pad with the silica sol. The polished wafer shows the full-width at halfmaximum of 200~400 arcsec in double-crystal X-ray diffraction, indicating that the slicing, grinding and lapping processes before the polishing process affected the crystalline structural property of the wafer surface by the mechanical residual stress. For the inclusion of surface treatments after chemical-mechanical polishing such as the thermal annealing at the temperature of $1,200^{\circ}C$for 4 hrs. and chemical etching, the crystalline quality was sigdicantly enhanced with the reduced full-width at half maximum up to 8.3 arcsec.arcsec.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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제24권2호
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pp.174-181
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2007
In this study, $SiO_2/poly(ethylene-co-vinyl$ alcohol)(EVOH) hybrid coating materials with gas barrier property could be produced using sol-gel method. The biaxially oriented polypropylene (BOPP) substrate with surface pretreatment was coated with the prepared hybrid sols containing various inorganic silicate component by a spin coating method. Crystallization behavior of the hybrids was investigated in terms of analysis of X-ray diffraction and cooling thermogram from DSC experiment. From the morphological observation of the $SiO_2/EVOH$ hybrid gel, it was confirmed that there existed an optimum content of inorganic silicate precursor, Tetraethylorthosilicate (TEOS), to produce hybrid materials with dense microstructure, exhibiting uniformly dispersed silica particles with average size below 100 nm. When TEOS was added at below or above the optimum content, particle clusters with large domain were observed, resulting in phase separation. This morphological result was found to be in good agreement with that of oxygen permeability of the hybrid coated films. In the case of film coated with hybrid prepared from addition of 0.01 - 0.02mol of TEOS, a remarkable improvement in barrier property could be obtained, however, with the addition of TEOS more than 0.04 mol, the barrier property was dramatically reduced because of phase separation and micro-crack formation on the film surface.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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제5권2호
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pp.122-128
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1995
Sintered bodies were prepared from ${\alpha} - Al_2O_3/SiO_2$ composite powders which each alumina particles were surrounded by silica particles and investigated the mullitization behavior on the process of reaction - sintering. Mullitized reaction was started by formation of amorphous aluminosilicate inter - layer and proceeded by diffusion of alumina through this inter-layer. The growth of mullite was happened along the surface of alumina and controlled by the rate of diffusion.
We report the synthesis and characterization of quartz nanocrystals (NCs). Quartz NCs were synthesized from the dissolution of amorphous silica nanoparticle precursors under the mild hydrothermal condition of ~250 ℃ and autogenic pressure. It was confirmed that the average size of the nanostructure with a highly crystalline phase of α-quartz can be tuned in a relatively narrow range from 407.5 to 826.2 nm with respect to the reaction time. α-Quartz NCs have potential uses for technological applications in optoelectronics, sensing, and rechargeable battery devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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