• 제목/요약/키워드: 습식

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Passive sampler를 이용한 공단 지역의 $NO_2$, $SO_2$ 측정 (The measurement of $NO_2$, $SO_2$ by Passive sampler in industrial complex)

  • 김성근;손찬웅;김선태;인치경
    • 한국대기환경학회:학술대회논문집
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    • 한국대기환경학회 2000년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.125-126
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    • 2000
  • 현재 공단지역에서 발생하는 오염물질을 파악하기 위해서는 오염물질이 배출되는 곳에 TMS를 설치하거나 측정하고자 하는 지점에 습식법을 이용하여 오염물질을 측정하는 방법이 사용되고 있다. 하지만 이러한 TMS나 습식법을 이용하여 오염물질을 측정하기 위해서는 고가의 설치비나 인력 장비 문제로 인하여 동시에 여러 지역을 측정하기 어렵다는 단점을 가지고 있으며, 특히 공단 지역과 같은 특수한 지역의 오염물질의 경향을 파악하기 위해서는 더욱 그러하다. (중략)

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습식 도금액 조성의 분석과 관리 (Analysis & Control of Electrolysis for Surface Finishing)

  • 김유상;정광미
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.125-126
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    • 2014
  • 습식도금에 사용되는 처리액의 성분농도는 다양한 요인 때문에 변화한다. 안정한 품질로서 처리하기 위하여 성분이나 반응생성물 농도를 분석하고 처리액 농도를 파악하여 유지 관리할 필요가 있다. 도금약품개발에 즈음하여 약품제조사는 가동범위가 넓고 불순물 혼입에 강한 조성개발을 시도했다. 본고에서는 표면처리에 사용되는 전처리용액, 도금액 분석에 사용되는 방법, 조성과 관리에 관하 여 기술하였다.

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액상 레드머드 첨가율에 따른 습식 흙콘크리트의 특성 (Characteristic of Wet Soil Concrete according to Liquefaction Red mud Addition Ratio)

  • 강혜주;황병일;우미경;이영원;강석표
    • 한국건축시공학회:학술대회논문집
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    • 한국건축시공학회 2018년도 춘계 학술논문 발표대회
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    • pp.81-82
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    • 2018
  • In this paper, we investigate the characteristics of wet soil concrete according to the addition ratio of liquefaction red mud addition rate by liquefying red mud. as a result, the compressive strength decreased and the water absorption ratio increased as the liquefaction red mud addition rate increased.

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단결정 실리콘의 이방성 습식식각

  • 조남인;김민철;강찬민
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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    • pp.23-25
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    • 2003
  • 단결정 실리콘의 이방성 습식식각을 위하여 KOH 용액을 사용하여 식각 특성을 관찰하였다. 식각율은 식각액의 온도와 농도에 따라 변하는 것이 관찰되었으며, 패턴 형성 방향과 식각액의 농도에 따라 식각 형태가 다름도 알 수 있었다. 식각용액의 농도 20wt0% 이고 식각 시의 온도가 $80^{\circ}C$ 이상에서는 알파벳 "U" 자 모양의 형태로 식각이 이루어지고, 그 이하의 온도와 농도에서는 "V" 자 모양의 식각형태가 이루어졌다.; 자 모양의 식각형태가 이루어졌다.

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IPA-KOH 혼합액에 의한 습식 이방성식각 연구 (Anisotropic wet etching by IPA-KOH solutions)

  • 천인호;조남인;김창교
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2000년도 추계학술대회
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    • pp.185-193
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    • 2000
  • 이방성 습식 식각을 이용하여 멤브레인을 제작하기 위하여 KOH-IPA의 식각액을 사용하여 단결정 실리콘 기판을 이방성으로 식각을 하고, 각 용액에 대한 식각 특성을 관찰하였다. 식각률은 식각액의 온도와 농도에 의존하며, 패턴 형성 방향과 식각액의 농도에 따라 식각 형태가 다르게 나타났다. 패턴은 Primary Flat에 45°로 기울여 형성되었으며 20wt·% KOH 80℃ 이상에서는 U-groove, 그 이하의 온도와 농도에서는 V-groove 식각 형태를 관찰할 수 있었다. 각 면에 대한 식각률 차이에 의해서 생기는 Hillock은 온도와 농도가 높아짐에 따라 줄어들었고, 재식각을 퉁하여 현저하게 줄어듦을 알 수 있었다.